胡皓婷/臺北 TFT LCD驅動IC設計業(yè)者奇景光電公布2010年財報,因客戶調整供貨比例的影響,奇景大尺寸驅動IC營收在2010年出現(xiàn)年衰退25.7%的情況,也是全年營收較2009年同期減少7.2%的主因。奇景執(zhí)行長吳炳昌表示,雖
近日消息,據(jù)外媒報道,在美國加州舉行的IEEE定制積體電路大會(CICC)一場專題演講上有這樣一種看法:CMOS半導體技術將在2024年7nm制程時代面臨窘境,而石墨烯可望脫穎而出,成為用來取代這項技術的最佳選擇。美國喬治
CMOS半導體技術將在2024年7nm制程時代面臨窘境,而石墨烯可望脫穎而出,成為用來取代這項技術的最佳選擇──這是根據(jù)近日于美國加州舉行的IEEE定制積體電路大會(CICC)一場專題演講上所發(fā)表的看法?!甘┮呀?jīng)展現(xiàn)出
摘要:分析了Gilbert結構有源雙平衡混頻器的工作機理,以及混頻器的轉換增益、線性度與跨導、CMOS溝道尺寸等相關電路參數(shù)間的關系,并據(jù)此使用ADS軟件進行設計及優(yōu)化。在采用TSMC 0.25μm CMOS工藝,射頻信號為2.
CMOS半導體技術將在2024年7nm制程時代面臨窘境,而石墨烯可望脫穎而出,成為用來取代這項技術的最佳選擇──這是根據(jù)近日于美國加州舉行的IEEE定制積體電路大會(CICC)一場專題演講上所發(fā)表的看法。「石墨烯已經(jīng)展現(xiàn)出
南韓專業(yè)于研發(fā)制造數(shù)位類比訊號產(chǎn)品的半導體大廠美格納,今宣布將提供三重電壓制程來整合晶片外的高壓電路至標準雙匣極制程以應用于高效能混合訊號產(chǎn)品。該三重電壓制程之創(chuàng)舉為:將不需額外加層的CMOS電晶體設計嵌
21ic訊 IDT 公司日前宣布,推出全球首個支持苛刻的 5Gbps 超高速控制器應用要求的新器件系列,擴展了IDT 在 CrystalFree CMOS 振蕩器產(chǎn)品線的產(chǎn)品組合。新系列的IDT CMOS 振蕩器符合所有的超高速 USB 3.0 規(guī)格,包括
手機高級功率放大器解決方案的新領軍人 Amalfi Semiconductor日前宣布推出前端 GSM/GPRS 蜂窩手機用 CMOS 發(fā)射模塊,該模塊是世界上最經(jīng)濟的高性能模塊。利用體效應互補金屬氧化物半導體工藝自身的可擴展性,Adaptiv
CCD和CMOS是當前主要的兩項成像技術,它們產(chǎn)生于不同的制造工藝背景,就當前技術言仍各具優(yōu)劣。選擇CCD或CMOS攝像機應依據(jù)適用環(huán)境和要求,合適選用CCD或CMOS技術,便能使圖像監(jiān)控達到預期的效果。另外,還可看到,C
摘要:利用共源共柵電感可以提高共源共柵結構功率放大器的效率。這里提出一種采用共源共柵電感提高效率的5.25GHzWLAN的功率放大器的設計方案,使用CMOS工藝設計了兩級全差分放大電路,在此基礎上設計輸入輸出匹配網(wǎng)絡
摘要:傳統(tǒng)基準電路主要采用帶隙基準方案,利用二級管PN結具有負溫度系數(shù)的正向電壓和具有正溫度系數(shù)的VBE電壓得出具有零溫度系數(shù)的基準。針對BJT不能與標準的CMOS工藝兼容的缺陷,利用NMOS和PMOS管的兩個閾值電壓VT
晶圓代工廠7月份營收,臺積電(2330)、世界(5347)小幅攀升,聯(lián)電(2303)下挫,整體來看,第三季因為庫存去化持續(xù)進行,產(chǎn)能利用率降至低點,營收、獲利均會有明顯減幅。而市場關心的是,第四季是否能順利反彈回升,達到
晶圓代工廠聯(lián)電(2303)及世界先進(5347)昨(9)日公告7月營收,聯(lián)電因晶圓出貨量下滑,7月營收88.09億元,較6月減少4%,世界先進則因受惠于CMOS影像傳感器訂單轉強,7月營收13.85億元,月增率約2%。 臺積電今
韓國芯片代工廠Dongbu日前宣布,中國客戶比亞迪微電子的130納米CMOS影像處理器開始進入量產(chǎn)。比亞迪微電子是深圳比亞迪公司的子公司,該公司在寧波有一個6英寸芯片廠,主要生產(chǎn)模擬電子產(chǎn)品。比亞迪的CMOS影像處理器
韓國芯片代工廠Dongbu日前宣布,中國客戶比亞迪微電子的130納米CMOS影像處理器開始進入量產(chǎn)。比亞迪微電子是深圳比亞迪公司的子公司,該公司在寧波有一個6英寸芯片廠,主要生產(chǎn)模擬電子產(chǎn)品。比亞迪的CMOS影像處理器
摘要:片上系統(tǒng)射頻功率放大器是射頻前端的重要單元。通過分析和對比各類功率放大器的特點,電路采用SMIC0.35-μmCMOS工藝設計2.4 GHz WLAN全集成線性功率放大器。論文中設計的功率放大器采用不同結構的兩級放大
摘要:片上系統(tǒng)射頻功率放大器是射頻前端的重要單元。通過分析和對比各類功率放大器的特點,電路采用SMIC0.35-μmCMOS工藝設計2.4 GHz WLAN全集成線性功率放大器。論文中設計的功率放大器采用不同結構的兩級放大