CMOS隔離器在醫(yī)療設(shè)備中的典型應(yīng)用

典型醫(yī)療設(shè)備應(yīng)用 ? 圖2：心電圖（ECG）前端 心電圖應(yīng)用 圖2顯示了一個(gè)心電圖（ECG）前端框圖，來(lái)自設(shè)備放大器的模擬輸出經(jīng)過(guò)高通濾波器，然后通過(guò)串行ADC轉(zhuǎn)換成數(shù)字格式。轉(zhuǎn)換后的數(shù)據(jù)通過(guò)增強(qiáng)型（5kV）數(shù)字隔離器

MEMS是否真的會(huì)走上CMOS的演進(jìn)路線

MEMS市場(chǎng)2010年強(qiáng)勁增長(zhǎng)，營(yíng)業(yè)收入同比增長(zhǎng)18.3%。但據(jù)IHS iSuppli公司的最新研究，這只是MEMS和傳感器市場(chǎng)新一輪兩位數(shù)增長(zhǎng)周期的開(kāi)始，其增長(zhǎng)趨勢(shì)將持續(xù)到2014年。2011年，MEMS產(chǎn)業(yè)的主要增長(zhǎng)動(dòng)力將是消費(fèi)電子和手

勝開(kāi)封裝技術(shù) 大廠肯定

隨著智能型手機(jī)及Tablet PC快速的增長(zhǎng)，勝開(kāi)科技CMOS image sensor也跟著大幅被采用，該公司走利基型封裝策略，在image sensor及MEMS封裝另闢藍(lán)海，跨入產(chǎn)業(yè)最為當(dāng)紅手機(jī)、數(shù)碼相機(jī)等進(jìn)入障礙較高的產(chǎn)業(yè)，毛利率高于

Diodes推出高速CMOS邏輯器件

21ic訊 Diodes公司推出完整的先進(jìn)高速CMOS邏輯器件系列，實(shí)現(xiàn)比現(xiàn)有同類(lèi)高速CMOS邏輯器件更優(yōu)越的功耗和開(kāi)關(guān)速度。全新74AHC1Gxx邏輯系列的工作電壓為2.0V至5.5V，可輕易替代用于各種消費(fèi)電子產(chǎn)品的行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)邏輯器件

MEMS是否會(huì)走CMOS的演進(jìn)路線

MEMS市場(chǎng)2010年強(qiáng)勁增長(zhǎng)，營(yíng)業(yè)收入同比增長(zhǎng)18.3%。但據(jù)IHS iSuppli公司的最新研究，這只是MEMS和傳感器市場(chǎng)新一輪兩位數(shù)增長(zhǎng)周期的開(kāi)始，其增長(zhǎng)趨勢(shì)將持續(xù)到2014年。2011年，MEMS產(chǎn)業(yè)的主要增長(zhǎng)動(dòng)力將是消費(fèi)電子和手

鑫創(chuàng)CMOS MEMS麥克風(fēng)下半年量產(chǎn)

國(guó)科會(huì)19日舉辦晶片系統(tǒng)成果發(fā)表會(huì)，NAND Flash控制晶片廠鑫創(chuàng)(3259)總經(jīng)理胡定中親自說(shuō)明公司以CMOS MEMS麥克風(fēng)設(shè)計(jì)及制程專(zhuān)利成果，并宣布已經(jīng)完成產(chǎn)品開(kāi)發(fā)，并計(jì)劃于今年下半年量產(chǎn)，預(yù)估到今年底，該產(chǎn)品將有機(jī)會(huì)

GlobalFoundries進(jìn)軍MEMS市場(chǎng)

MEMS市場(chǎng)2010年強(qiáng)勁增長(zhǎng)，營(yíng)業(yè)收入同比增長(zhǎng)18.3%。但據(jù)IHS iSuppli公司的最新研究，這只是MEMS和傳感器市場(chǎng)新一輪兩位數(shù)增長(zhǎng)周期的開(kāi)始，其增長(zhǎng)趨勢(shì)將持續(xù)到2014年。2011年，MEMS產(chǎn)業(yè)的主要增長(zhǎng)動(dòng)力將是消費(fèi)電子和手

應(yīng)用于頻率合成器的寬分頻比CMOS可編程分頻器設(shè)計(jì)

提出一種應(yīng)用于射頻頻率合成器的寬分頻比可編程分頻器設(shè)計(jì)。該分頻器采用脈沖吞吐結(jié)構(gòu)，可編程計(jì)數(shù)器和吞脈沖計(jì)數(shù)器都采用改進(jìn)的CMOS源極耦合(SCL)邏輯結(jié)構(gòu)的模擬電路實(shí)現(xiàn)，相對(duì)于采用數(shù)字電路實(shí)現(xiàn)降低了電路的噪聲和減少了版圖面積。同時(shí)，對(duì)可編程分頻器中的檢測(cè)和置數(shù)邏輯做了改進(jìn)，提高分頻器的工作頻率及穩(wěn)定性。最后，采用TSMC的0．13／μm CMOS工藝，利用Cadence Spectre工具進(jìn)行仿真，在4．5 GHz頻率下，該分頻器可實(shí)現(xiàn)200～515的分頻比，整個(gè)功耗不超過(guò)19 mW，版圖面積為106 μm×187μm。

GLOBALFOUNDRIES參加IMEC研發(fā)項(xiàng)目，將開(kāi)發(fā)22nm CMOS及GaN on Si技術(shù)

比利時(shí)IMEC宣布，美國(guó)GLOBALFOUNDRIES公司將參加該研究所的研發(fā)項(xiàng)目。發(fā)布資料顯示，GLOBALFOUNDRIES已在有關(guān)（1）22nm節(jié)點(diǎn)制程CMOS技術(shù)、（2）硅（Si）上氮化鎵（GaN）技術(shù)（GaN on Si技術(shù)）的戰(zhàn)略性長(zhǎng)期合作協(xié)議上

Globalfoundries與IMEC簽署亞22nm節(jié)點(diǎn)制程CMOS合作計(jì)劃

擁有阿拉伯財(cái)閥背景的Globalfoundries公司最近與歐洲半導(dǎo)體研究機(jī)構(gòu)，比利時(shí)的IMEC簽署了一項(xiàng)關(guān)于在亞22nm節(jié)點(diǎn)制程CMOS技術(shù)和硅上氮化鎵（GaN-on-Si：可用于制造固態(tài)照明器件，功率器件和射頻電路器件等）技術(shù)結(jié)成長(zhǎng)

GlobalFoundries和imec共同研發(fā)22nm節(jié)點(diǎn)以下CMOS技術(shù)

全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體代工廠商之一GlobalFoundries與納電子研發(fā)中心imec簽署了一項(xiàng)長(zhǎng)期的戰(zhàn)略合作協(xié)議，共同研發(fā)22nm節(jié)點(diǎn)以下CMOS技術(shù)以及GaN-on-Si技術(shù)。

一種基于PWM的CMOS誤差放大器的設(shè)計(jì)

摘要：為解決PWM控制器中輸出電壓與基準(zhǔn)電壓的誤差放大問(wèn)題，設(shè)計(jì)了一款高增益、寬帶寬、靜態(tài)電流小的新型誤差放大器，通過(guò)在二級(jí)放大器中間增加一級(jí)緩沖電路，克服補(bǔ)償電容的前饋效應(yīng)，同時(shí)消除補(bǔ)償電容引入的零點(diǎn)。

0．6 V CMOS軌至軌運(yùn)算放大器

摘要：為適應(yīng)低壓低功耗設(shè)計(jì)的應(yīng)用，設(shè)計(jì)了一種超低電源電壓的軌至軌CMOS運(yùn)算放大器。采用N溝道差分對(duì)和共模電平偏移的P溝道差分對(duì)來(lái)實(shí)現(xiàn)軌至軌信號(hào)輸入。當(dāng)輸入信號(hào)的共模電平處于中間時(shí)，P溝道差分對(duì)的輸入共模電平

Aptina 1.1微米背照式制程

胡皓婷 全球CMOS影像感測(cè)器(CMOS Image Sensor；CIS)大廠Aptina積極布局相關(guān)市場(chǎng)，預(yù)期至2012年起，1,200萬(wàn)畫(huà)素CIS將成為下一代趨勢(shì)。為符合終端需求，Aptina在1.4微米產(chǎn)品外，再推出1.1微米背照式(Backside Illumin

電荷泵型LED驅(qū)動(dòng)器的CMOS誤差放大器設(shè)計(jì)

結(jié)合電荷泵型LED驅(qū)動(dòng)器的工作要求，從減小輸出電壓紋波、穩(wěn)定輸出電壓出發(fā)，設(shè)計(jì)了一款誤差放大器。該誤差放大器具有較大的工作電壓范圍，使電荷泵型LED驅(qū)動(dòng)器高效率低噪聲工作?；贑HRT 0．35μm CMOS MIXEDSIGNAL TECHNOLOGY進(jìn)行仿真，結(jié)果表明，在2．7～5 V工作電壓范圍內(nèi)，開(kāi)環(huán)電壓增益約等于72 dB，相位裕度約等于65°，單位增益帶寬約等于4．6 MHz，共模抑制比CMRR約等于113 dB，電源抑制比PSRR約等于100 dB。

恩智浦推出10Gbps CMOS多路復(fù)用器/多路解復(fù)用器開(kāi)關(guān)

21ic訊 恩智浦半導(dǎo)體NXP Semiconductors N.V.近日宣布推出業(yè)內(nèi)速度最快的多路復(fù)用器/多路解復(fù)用器開(kāi)關(guān)CBTL02043。CBTL02043可以支持速度高達(dá)10Gbps 信號(hào)號(hào)切換，同時(shí)具有低功耗及低能量損失的特性，特別適用于臺(tái)式電

2010年CMOS攝像模組用鏡頭主要廠家市場(chǎng)占有率

水清木華研究中心最新研究報(bào)告指出，2010年CMOS攝像模組產(chǎn)值相較2009年大幅度增加，驅(qū)動(dòng)力來(lái)自三方面。一是手機(jī)攝像像素值大幅度增加，200萬(wàn)像素成為主流；預(yù)計(jì)2011年，300萬(wàn)像素將成為主流；預(yù)計(jì)2013年，500萬(wàn)像素將

帶CMOS邏輯的AGC電路

CMOS振蕩編碼器

CMOS PLL譯碼電路