光電打靶玩具電路原理簡介

一個滑稽可笑的貓頭鷹，當用光電槍擊中其腹部的靶心時，它的兩眼閃閃發(fā)光，且會發(fā)出悅耳的“嘟哩、嘟哩”的叫聲。五秒鐘后，它又會啟動停止發(fā)光和叫聲。本文介紹這個玩具的制作方法，它只用一塊CMOS數(shù)字集

CMOS RAMS的備用電源電路

德國改進CMOS 讀取速度提高百倍

新華社柏林1月3日電 數(shù)碼攝影攝像中常用的CMOS圖像傳感器在光線不足的情況下往往表現(xiàn)不佳，德國弗勞恩霍夫應用研究促進協(xié)會最新推出的一款加裝了特定光電元件的CMOS傳感器則克服了這一問題。該研究機構2日發(fā)表聲明說

基于CMOS探測器的射線檢測設計應用

概述：以CMOS探測器為記錄介質(zhì)的數(shù)字化射線檢測技術，檢測精度高、溫度適應性好、結構適應性強。CMOS射線掃描探測器探測單元排成線陣列，需要在檢測時進行相對掃描運動，逐線采集并拼成完整的透照投影圖像。介紹了檢測工裝設計，完成了探測器的固定、位置調(diào)節(jié)及實現(xiàn)與檢測工件的相對運動。介紹了檢測應用中的探測器配置與校準、透照方式選取、運動速度控制、檢測參數(shù)優(yōu)化、缺陷定量分析和圖像存檔管理等。應用結果表明，經(jīng)過工藝優(yōu)化，CMOS探測器能夠?qū)崿F(xiàn)大多數(shù)產(chǎn)品零部件的射線檢測。最后分析了應用中存在的問題及后續(xù)研究方向。 Application of Direct Radiography Using CMOS X-ray Linear Array Detector SUN Chao-Ming, LI Qiang, WANG Zeng-Yong, LI Jian-Wen (Institute of Machinery Manufacturing Technology, CAEP, Mian yang 621900, China) Abstract: The digital radiography（DR） using complementary metal oxide silicon(CMOS) X-ray linear array detector as record media had advantages of higher spatial resolution, better temperature adaptability and flexible structure adaptability. During radiographic testing, relative movement of the detector and the work piece was necessary to collect each line of the scanned image, as the detecting units were lined in a row. So the testing equipments were designed to mount the detector, adjust the relative position and move the work piece according to its structure. The testing procedure comprising configuration and calibration of the detector, selection of the applicable scan mode, control of the scan speed, optimizing of the testing parameters, segmentation and quantification of defects and archiving and retrieval of the digital images were described. After optimizing the testing process, it showed that CMOS detector had capability to achieve better images and it could be used in radiographic testing widely. The benefit of using DR and some problems to be solved were talked in the end. Keywords: Digital radiography; CMOS X-ray linear array detector; Process optimization

聯(lián)電推A+制程解決方案

晶圓代工廠聯(lián)電（2303）昨（29）日宣布，推出A+制程技術解決方案，持續(xù)推升8寸晶圓制造能力，聯(lián)電成為業(yè)界唯一在8寸晶圓廠中，提供最完整的0.11微米后段全鋁A+技術平臺的晶圓代工廠。 聯(lián)電表示，A+制程技術解決方

基于CMOS探測器的射線檢測設計應用

基于CMOS探測器的射線檢測設計應用

CMOS圖像通道在超聲診斷儀中的應用

1 引言 隨著醫(yī)療診斷儀器小型化、便攜化的進程，高性能32位微處理器正在越來越多地應用于各類小型醫(yī)療影像設備中，但是如何利用這些微處理器傳送和處理實時圖像，卻是一個丞待解決的問題。從ARM 7系列開始，ARM處理器

CMOS圖像通道在超聲診斷儀中的應用

CMOS圖像通道在超聲診斷儀中的應用

用基于CMOS技術的接收器芯片設計高性價比的汽車收音機

高增長的經(jīng)濟體如巴西、印度尼西亞、印度和中國已出現(xiàn)新興中產(chǎn)階級和快速增長的汽車市場。這些市場要求汽車零售價相對較低，因此給汽車組件帶來很大的成本壓力。此外，在發(fā)達經(jīng)濟體如美國、歐洲國家和日本的汽車市場

用基于CMOS技術的接收器芯片設計高性價比的汽車收音機

高增長的經(jīng)濟體如巴西、印度尼西亞、印度和中國已出現(xiàn)新興中產(chǎn)階級和快速增長的汽車市場。這些市場要求汽車零售價相對較低，因此給汽車組件帶來很大的成本壓力。此外，在發(fā)達經(jīng)濟體如美國、歐洲國家和日本的汽車市場

美研究將MEMS晶體管集成至CMOS電路，可取代獨立晶振

　　MEMS-JFET構造　　美國半導體研發(fā)聯(lián)盟機構Semiconductor Research （SRC）與康耐爾大學（Cornell University）合作發(fā)表一種微機電系統(tǒng)（MEMS）晶體管，并可提供給SRC聯(lián)盟成員采用，做為CMOS芯片上的時序（timing

Crocus與中芯國際簽署技術開發(fā)和晶圓制造協(xié)議

Crocus科技，領先的強化磁性半導體技術開發(fā)商，和中芯國際集成電路制造有限公司(“中芯國際”，紐約證交所代碼：SMI，香港聯(lián)交所代碼：0981.HK)，中國內(nèi)地最大最先進的集成電路晶圓代工企業(yè)，今天宣布，正

Crocus與中芯國際簽署技術開發(fā)和晶圓制造協(xié)議

21ic訊 Crocus科技和中芯國際集成電路制造有限公司（“中芯國際”）日前宣布，正式簽署合作技術開發(fā)和晶圓制造協(xié)議。根據(jù)協(xié)議，兩家公司將共同開發(fā)針對汽車應用的高溫磁性邏輯單元™（MLU）技術。中芯

場效應管和CMOS集成電路焊接技巧

焊接絕緣柵（或雙柵）場效應管以及CMOS集成塊時，因其輸入阻抗很高、極間電容小，少量的靜電荷即會感應靜電高壓，導致器件擊穿損壞。筆者通過長期實踐摸索出下述焊接方法，取得令人滿意的效果。1.焊絕緣柵場效應管。

美研究將MEMS晶體管集成至CMOS電路，可取代獨立晶振

美國半導體研發(fā)聯(lián)盟機構Semiconductor Research (SRC)與康耐爾大學(Cornell University)合作發(fā)表一種微機電系統(tǒng)(MEMS)晶體管，并可提供給SRC聯(lián)盟成員采用，做為CMOS芯片上的時序(timing)解決方案。 這種MEMS-JFET元

新研發(fā)MEMS電晶體號稱能與CMOS電路整合

美國半導體研發(fā)聯(lián)盟機構Semiconductor Research (SRC)與康乃爾大學(Cornell University)合作發(fā)表一種微機電系統(tǒng)(MEMS)電晶體，并可提供給SRC聯(lián)盟成員采用，做為 CMOS 晶片上的時序(timing)解決方案。 這種 MEMS-JFE

一種基于動態(tài)閾值NMOS的1．2V CMOS模擬乘法器

摘要 分析了以動態(tài)閾值NMOS晶體管作為輸入信號的輸入晶體管，利用4個動態(tài)閾值NMOS和2個有源電阻設計和實現(xiàn)的一種1．2 V低功耗CMOS模擬乘法器電路。該電路具有節(jié)省輸入晶體管數(shù)目、偏置晶體管和偏置電路，以及性能指標

CMOS與CCD圖像傳感器

CCD（Charge Coupled Device）圖像傳感器（以下簡稱CCD）和CMOS圖像傳感器（CMOS Image Sensor以下簡稱CIS）的主要區(qū)別是由感光單元及讀出電路結構不同而導致制造工藝的不同。CCD感光單元實現(xiàn)光電轉(zhuǎn)換后，以電荷的方

CMOS與CCD圖像傳感器

CCD（Charge Coupled Device）圖像傳感器（以下簡稱CCD）和CMOS圖像傳感器（CMOS Image Sensor以下簡稱CIS）的主要區(qū)別是由感光單元及讀出電路結構不同而導致制造工藝的不同。CCD感光單元實現(xiàn)光電轉(zhuǎn)換后，以電荷的方

CMOS與CCD圖像傳感器

CCD（Charge Coupled Device）圖像傳感器（以下簡稱CCD）和CMOS圖像傳感器（CMOS Image Sensor以下簡稱CIS）的主要區(qū)別是由感光單元及讀出電路結構不同而導致制造工藝的不同。CCD感光單元實現(xiàn)光電轉(zhuǎn)換后，以電荷的方