用CMOS門電路作微功耗放大電路圖

CMOS數(shù)字集成電路具有輸入阻抗高、低功耗、電源電壓范圍廣以及輸出電壓擺帳大等優(yōu)點。除了在數(shù)字化裝置中廣泛應(yīng)用外，亦可用于線性電路，發(fā)揮它低功耗的特點。

CMOS集成模擬開關(guān)控制電路

3G終端PA市場基本上掌握在四強手中 CMOS PA難再為繼

目前WCDMA終端PA(功率放大器)市場基本上掌握在Anadigics、Triquint、RFMD和Skyworks四家供應(yīng)商手中，TD-SCDMA終端PA供應(yīng)商主要有三家，即RFMD、Anadigics和中國瑞迪科(RDA)。3G基站PA供應(yīng)商主要有Triquint、飛思卡爾

一種CMOS綠色模式AC／DC控制器振蕩器電路

摘要：此振蕩器專門針對恒壓恒流(CV-CC)控制、頻率抖動(Frequency Shuffling)技術(shù)。采用電流模脈寬調(diào)制控制方案的電池充電芯片設(shè)計，鋸齒波信號的線性度較好，當(dāng)負(fù)載電路減小時，自動進(jìn)入Burst Mode狀態(tài)提高系統(tǒng)的效

聯(lián)電：獲重大優(yōu)勢

聯(lián)電昨（15）日宣布，將向德州儀器購買大批的先進(jìn)12吋晶圓CMOS制程設(shè)備，此舉將能近一步提升公司的產(chǎn)能，盡管雙方均未公布買賣價格，惟外界估計，此次交易總金額達(dá)新臺幣30至40億元。 稍早德州儀器宣布在日本

拼擴產(chǎn)！聯(lián)電向德儀購12吋晶圓CMOS制程設(shè)備

晶圓代工業(yè)者聯(lián)電(2303)15日宣布，將向德州儀器(Texas Instruments,TI)購買大批先進(jìn)12吋晶圓CMOS制程設(shè)備，此舉將可望進(jìn)一步提升公司的產(chǎn)能規(guī)模。稍早德儀宣布在日本對飛索半導(dǎo)體(Spansion) 日本子公司完成設(shè)備資產(chǎn)

英特爾工藝開發(fā)負(fù)責(zé)人談15nm工藝以后的CMOS技術(shù)

LSI的基本元件CMOS晶體管長期以來一直被指存在微細(xì)化極限，但目前來看似乎還遠(yuǎn)未走到終點。全球最大代工廠商臺積電（TSMC）于今年夏季動工建設(shè)的新工廠打算支持直至7nm工藝的量產(chǎn)。臺積電是半導(dǎo)體行業(yè)中唯一一家具體

極端環(huán)境下代工廠的發(fā)展之道

過去，上海宏力半導(dǎo)體公司一直是一家相當(dāng)?shù)驼{(diào)的公司。這家代工服務(wù)提供商的大部分贏利來自西方國家，特別是歐洲和美國。EETimes歐洲的記者終于有機會采訪宏力半導(dǎo)體公司首席執(zhí)行官兼總裁UlrichSchumacher先生。Schum

SILVACO-UMC 0.18um CMOS PDK 通過聯(lián)華電子驗證

頂尖IC自動化設(shè)計軟件供貨商Silvaco 宣布，通過世界晶圓專工技術(shù)領(lǐng)導(dǎo)者聯(lián)華電子 (UMC) 驗證之0.18um CMOS 制程設(shè)計套件 (Process Design Kit, PDK) ，可支持模擬/ 混合信號之完整IC 設(shè)計流程。 此套 PDK支援 Gatew

Qualcomm與SEMATECH簽署合作協(xié)議 共同開拓新技術(shù)

全球領(lǐng)先的芯片制造協(xié)會SEMATECH和先進(jìn)無線芯片供應(yīng)商Qualcomm宣布Qualcomm已與SEMATECH簽署了合作協(xié)議，共同推進(jìn)CMOS技術(shù)進(jìn)一步發(fā)展。Qualcomm是第一家進(jìn)入SEMATECH的芯片設(shè)計公司，Qualcomm將深入?yún)⑴c和SEMATECH的

0.5um CMOS新型電流反饋放大器的分析與設(shè)計

本文的低壓低功耗 CFOA,它在只需1V 電源電壓情況下，僅產(chǎn)生0.7mW 功耗，84.2dB 的開環(huán)增益，62°的相位裕度，高達(dá)138dB 的共模抑制比, -0.85V～0.97V 的輸出電壓范圍

邏輯門電路的傳播速度

理論上的數(shù)字邏輯設(shè)計重點關(guān)注的是邏輯門電路的傳播延遲。相比之下，高頻電子工程中的許多實際的問題通常只取決于一個更細(xì)微的指標(biāo)：最小輸出轉(zhuǎn)換時間。圖2.13舉例說明了這一差別。較快的轉(zhuǎn)換時間會導(dǎo)致返回電流，串

TTL或CMOS集電極開路輸出的功耗

用來計算TTL集電極開路輸出電路靜態(tài)功耗的公式如下：其中：VT=上拉電阻的有效端接電壓 R=端接電阻的有效值 VHI=高電平輸出（通常等于VT） VLO=低電平輸出 VEE=輸出晶體管的射極（或源極

芯片如何輸入功率

芯片的輸入功率來自于其他器件。對于輸入電路的偏置和觸發(fā)來說它是必需的。表2.1比較了4種不同邏輯系列的靜態(tài)和動態(tài)輸入特性，4種邏輯系列為：SIONETICS 74HCT CMOS，TEXAS INSTRUMENTS 74AS TTL，MOTOROLA 10KH ECL

驅(qū)動容性負(fù)載的動態(tài)功耗

邏輯電路每一次跳變，都要消耗超過它正常靜態(tài)功耗之外的額外的額外功率。當(dāng)以一個恒定速率循環(huán)時，動態(tài)功耗等于功耗=周期頻率*每個周期額外的功率動態(tài)功耗最常見的兩個起因是負(fù)載電容和疊加的偏置電流。圖2.2說明了驅(qū)

Imec與臺積電合作40奈米制程技術(shù)

歐洲半導(dǎo)體研究所Imec與臺積電共同宣布，將Europractice IC拓展至臺積電40奈米的制程技術(shù)。透過這項這項合作，將可透過提供臺積電晶圓共乘(Cybershuttle)多重計劃晶圓給歐洲的公司與學(xué)術(shù)機構(gòu)。 這項合作包括臺積

高線性度設(shè)計的CMOS調(diào)幅電路技術(shù)

引言 本文采用±5V電源，設(shè)計出了一種以模擬乘法器為核心電路的輸出信號與控制電壓成高線性度的電路，并且實現(xiàn)了單端控制和單端輸出。它在鎖相環(huán)、自動增益控制、正弦脈寬調(diào)制(SPWM)、模擬運算等方面有著很好的使用

CMOS雙向開關(guān)工作原理

CMOS雙向開關(guān)也稱CMOS傳輸門。CMOS雙向開關(guān)在模擬電路和數(shù)字電路應(yīng)用非常廣泛。集成電路CMOS雙向開關(guān)產(chǎn)品有CC4066/4051/4052/4053等，性能優(yōu)良，使用方便且成本低。每個開關(guān)只有一個控制端和兩互為輸入/輸出信號端，

高線性度設(shè)計的CMOS調(diào)幅電路技術(shù)

引言 本文采用±5V電源，設(shè)計出了一種以模擬乘法器為核心電路的輸出信號與控制電壓成高線性度的電路，并且實現(xiàn)了單端控制和單端輸出。它在鎖相環(huán)、自動增益控制、正弦脈寬調(diào)制(SPWM)、模擬運算等方面有著很好的使用

CMOS PA陷入成本和性能兩難，“單芯片手機”夢受阻

在基帶、電源管理和射頻收發(fā)等關(guān)鍵器件相繼被CMOS工藝集成后，采用砷化鎵工藝的功率放大器（PA），成為CMOS工藝通向真正的“單芯片手機”的最后堡壘。多家初創(chuàng)公司一直致力用CMOSPA替代砷化鎵PA，其中AXIOM已經(jīng)在2G手