CMOS
-
Siemon采用Luxtera技術(shù)推出主動光纜產(chǎn)品
2/1/2010，硅CMOS光子技術(shù)開發(fā)商Luxtera宣布同布線系統(tǒng)廠商Siemon合作，利用Luxtera的40Gbps光模塊產(chǎn)品，Siemon將會推出Moray主動光纜產(chǎn)品。Siemon表示他們選擇Luxtera的光模塊是看中了其硅CMOS光子技術(shù)和高性能，低
-
三星擬再新增CMOS 8寸廠
三星電子(Samsung Electronics)再度出手，繼2009年下半首度大幅擴充產(chǎn)能外，2010年將首度啟動擴充產(chǎn)能機制，預(yù)計將再新增1座8寸晶圓廠，全數(shù)用于投產(chǎn)CMOS影像傳感器。據(jù)了解，三星原本已在韓國共有2座8寸廠、1座12寸
-
超低壓差CMOS線性穩(wěn)壓器的設(shè)計
隨著筆記本電腦、手機、PDA 等移動設(shè)備的普及,對應(yīng)各種電池電源使用的集成電路的開發(fā)越來越活躍,高性能、低成本、超小型封裝產(chǎn)品正在加速形成商品化。LDO(低壓差)型線性穩(wěn)壓器由于具有結(jié)構(gòu)簡單、成本低廉、低噪聲、
-
Vishay 推出循環(huán)壽命長達兩百萬次的面板電位計
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出新款經(jīng)濟、長壽命的面板電位計 --- P11L，該電位計具有四種模塊和12.5mm的緊湊外形。標準的低成本面板電位計的循環(huán)壽命只有50000次，而Vishay的P11L的壽命則長達2百萬次
-
巧焊場效應(yīng)管和CMOS集成電路
焊接絕緣柵（或雙柵）場效應(yīng)管以及CMOS集成塊時，因其輸入阻抗很高、極間電容小，少量的靜電荷即會感應(yīng)靜電高壓，導(dǎo)致器件擊穿損壞。筆者通過長期實踐摸索出下述焊接方法，取得令人滿意的效果。1.焊絕緣柵場效應(yīng)管。
-
監(jiān)控用CMOS與CCD圖像傳感器對比
CCD（Charge Coupled Device）圖像傳感器（以下簡稱CCD）和CMOS圖像傳感器（CMOS Image Sensor以下簡稱CIS）的主要區(qū)別是由感光單元及讀出電路結(jié)構(gòu)不同而導(dǎo)致制造工藝的不同。CCD感光單元實現(xiàn)光電轉(zhuǎn)換后，以電荷的方
-
監(jiān)控用CMOS與CCD圖像傳感器對比
CCD（Charge Coupled Device）圖像傳感器（以下簡稱CCD）和CMOS圖像傳感器（CMOS Image Sensor以下簡稱CIS）的主要區(qū)別是由感光單元及讀出電路結(jié)構(gòu)不同而導(dǎo)致制造工藝的不同。CCD感光單元實現(xiàn)光電轉(zhuǎn)換后，以電荷的方
-
監(jiān)控用CMOS與CCD圖像傳感器對比
CCD（Charge Coupled Device）圖像傳感器（以下簡稱CCD）和CMOS圖像傳感器（CMOS Image Sensor以下簡稱CIS）的主要區(qū)別是由感光單元及讀出電路結(jié)構(gòu)不同而導(dǎo)致制造工藝的不同。CCD感光單元實現(xiàn)光電轉(zhuǎn)換后，以電荷的方
-
監(jiān)控用CMOS與CCD圖像傳感器對比
CCD（Charge Coupled Device）圖像傳感器（以下簡稱CCD）和CMOS圖像傳感器（CMOS Image Sensor以下簡稱CIS）的主要區(qū)別是由感光單元及讀出電路結(jié)構(gòu)不同而導(dǎo)致制造工藝的不同。CCD感光單元實現(xiàn)光電轉(zhuǎn)換后，以電荷的方
-
CMOS系統(tǒng)電源接口－直流開關(guān)電路
620)this.width=620;" />
-
CMOS系統(tǒng)電源接口－交流開關(guān)電路圖
620)this.width=620;" />
-
安捷倫GoldenGate 4.4加速先進CMOS RFIC設(shè)計
安捷倫科技(Agilent Technologies)宣布推出旗下RFIC仿真、驗證與分析軟件的最新版本──GoldenGate 4.4。該軟件具備強化的效能、更高穩(wěn)定度與良率分析，以及RF-混合訊號仿真效能，可為先進節(jié)點RFIC設(shè)計實現(xiàn)更高效能
-
碩達今90元興柜掛牌
楊青山認為，碩達已建構(gòu)優(yōu)異的設(shè)計、生產(chǎn)、銷售體系，正朝全球最大的記憶卡代工、SIP系統(tǒng)級封裝模塊廠目標邁進。圖文/張秉鳳 小型記憶卡封測、模塊廠－碩達科技今（31）日以90元登錄興柜掛牌交易，興柜市場半導(dǎo)體
-
東大等驗證7μm的極薄晶圓也不會影響CMOS元件
東京大學(xué)研究生院工學(xué)系研究專業(yè)附屬綜合研究機構(gòu)與日本迪思科（Disco）、大日本印刷、富士通研究所以及WOW研究中心等共同開發(fā)出了可將300mm晶圓（硅底板）打薄至7μm的技術(shù)。如果采用該技術(shù)層疊100層16GB的內(nèi)存芯
-
IBM展示基于極薄SOI襯底的22nm技術(shù)
IBM研究人員開發(fā)出了基于極薄SOI(ETSOI)的全耗盡CMOS技術(shù)，面向22nm及以下節(jié)點。在IEDM會議上，IBM Albany研發(fā)中心的Kangguo Cheng稱該FD-ETSOI工藝已獲得了25nm柵長，非常適合于低功耗應(yīng)用。除了場效應(yīng)管，IBM的工程
-
兩種高頻CMOS壓控振蕩器的設(shè)計與研究
鎖相環(huán)在通訊技術(shù)中具有重要的地位，在調(diào)制、解調(diào)、時鐘恢復(fù)、頻率合成中都扮演著不可替代的角色?？煽卣袷幤魇擎i相環(huán)的核心部分。最近，鑒于對集成電路低功耗和高集成度的追求，越來越多的研究人員投人到基于CMOS工
-
Nanotech發(fā)布GEPON用純CMOS TIA
12/11/2009，針對光通信應(yīng)用的CMOS模擬和混合信號IC開發(fā)商Nanotech半導(dǎo)體公司推出NT24L55高靈敏度低功耗純CMOS工藝的針對GEPON應(yīng)用的1.25Gbps 跨阻抗放大器TIA芯片NT24L55。該芯片的典型靈敏度-32dBm（誤碼率10-12）
-
東大等驗證7μm的極薄晶圓也不會影響CMOS元件
東京大學(xué)研究生院工學(xué)系研究專業(yè)附屬綜合研究機構(gòu)與日本迪思科（Disco）、大日本印刷、富士通研究所以及WOW研究中心等共同開發(fā)出了可將300mm晶圓（硅底板）打薄至7μm的技術(shù)。如果采用該技術(shù)層疊100層16GB的內(nèi)存芯片
-
采用CMOS門電路的兩級相移振蕩器電路圖
620)this.width=620;" />
-
10~37 GHz CMOS四分頻器的設(shè)計
1 引言 隨著通信技術(shù)的迅猛發(fā)展，人們對通信系統(tǒng)中單元電路的研究也越來越多。而分頻器廣泛應(yīng)用于光纖通信和射頻通信系統(tǒng)中，因此，高速分頻器的研究也日益受到關(guān)注。分頻器按實現(xiàn)方式可分為模擬和數(shù)字兩種。模
