DDR3

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集邦：上半年DDR3封測產(chǎn)能更吃緊

受惠微軟操作系統(tǒng)Windows 7滲透率持續(xù)提升，及計算機系統(tǒng)廠大幅拉高DDR3機種比重，DRAM廠DDR3新產(chǎn)能已陸續(xù)開出，但因后段封測產(chǎn)能提升速度較慢，集邦科技預(yù)估，今年上半年DDR3封測產(chǎn)能吃緊情況更加嚴重，且可能因此影

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2010-01-05

DDR3 DRAM 內(nèi)存英特爾
福懋科去年Q4營收優(yōu)于預(yù)期

DRAM封測廠福懋科（8131）昨（4）日公布去年12月營收約達9.4億元，第4季營收達27.24億元，季增率10.1％，略高于市場預(yù)期，而福懋科2009年全年營收達89.56億元，與2008年的101.93億元相較，年減率約12.1％。法人預(yù)估，

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2010-01-05

晶圓 DDR3 DRAM
華亞科現(xiàn)金增資案過關(guān)

2010年DRAM產(chǎn)業(yè)前景看好，臺系DRAM廠忙著搶錢擴大產(chǎn)能，華亞科日前宣布辦理現(xiàn)金增資，預(yù)計再募資超過新臺幣百億元，日前已正式獲得證期局的同意。華亞科預(yù)計2010年資本支出上看450億元，與同為臺塑集團的南亞科合計資

電子設(shè)計自動化
2009-12-31

Windows 晶圓廠 DDR3 DRAM
2010年市場預(yù)測: PC旺、零組件缺、封測緊

根據(jù)集邦科技(DRAMeXchange)的調(diào)查，今年第四季歐美感恩節(jié)與圣誕節(jié)銷售情況在經(jīng)濟景氣復(fù)蘇及Windows 7帶動下，銷售表現(xiàn)一路旺到年底。筆電出貨成長大幅上升，DRAMeXchange上調(diào)第四季筆電出貨成長率從原本的8.7%至11.

消費電子
2009-12-31

組件測試機 PC DDR3
DDR3注定要奪取DRAM王座

2009年即將結(jié)束，DDR2作為DRAM市場之王的日子同樣所剩無幾。速度更快且功耗更低的DDR3幾年前就已經(jīng)問世，iSuppli公司認為，它即將成為世界上最流行的內(nèi)存技術(shù)。 DDR2還不算過時，而且未來一段時間之內(nèi)也不會過時，它

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2009-12-30

制造工藝 ISUPPLI DDR3 DRAM
提高服務(wù)器使用的DDR3模塊(Netlist)

HyperCloud的DDR3 RDIMM內(nèi)存模塊最大限度地允許384 GB內(nèi)存用在雙插槽服務(wù)器。該模塊采用專利的秩乘法ASIC技術(shù)，從而完全替代帶有16Gb vRank RDIMM的三個存儲器通道。四個物理組區(qū)隱藏在存儲器控制器中心，用作兩個

智能硬件
2009-12-29

VR GB NETLIST DDR3
DDR3將成主流，后段封測廠設(shè)備將跟著升級

全球最大美國消費性電子展CES即將在明年1月7日到10日登場，芯片龍頭廠英特爾將在展中推出新架構(gòu)Nehalem、Westmere、以筆記計算機為主的Atom系列的處理器及芯片組，并全面支持DDR3，將推升DDR3成為明年度主流產(chǎn)品。由

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2009-12-26

封裝測試機 DDR3 DRAM
DDR3時代來臨封測受惠最大

英特爾將在明年初美國消費性電子展（CES）中，正式推出Nehalem、Westmere、Atom等十余款支持DDR3處理器及芯片組，可望推動DDR3在明年登上市場主流位置。國內(nèi)外DRAM廠主流產(chǎn)品線已由70奈米DDR2快速轉(zhuǎn)進50奈米DDR3，隨

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2009-12-25

處理器封裝 DDR3 DRAM
Tektronix強化DDR測試與驗證產(chǎn)品組合

Tektronix宣布推出DDR測試與驗證產(chǎn)品組合的各項強化和升級功能。針對Tektronix TLA7000系列邏輯分析儀推出全新內(nèi)插器，為工程師提供合乎最新DDR3-1867標準的總線擷取與分析功能。全新的內(nèi)插器為TLA7000系列帶來具成

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2009-12-21

DDR TEKTRONIX DDR3 內(nèi)存
Rambus下調(diào)內(nèi)存專利收費與歐盟和解專利糾紛

按照協(xié)議，Rambus公司同意在五年中對SDR及DDR芯片標準專利費用調(diào)整為零，并對最新一代JEDEC內(nèi)存標準（即DDR2和DDR3）收取最高為1。5%的專利費用。據(jù)國外媒體報道，Rambus公司周三同歐盟委員會達成一項和解協(xié)議，這

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2009-12-10

RAM SD DDR3 內(nèi)存
基于Stratix III的DDR3 SDRAM控制器設(shè)計

　1 引言　　DDR3 SDRAM是由JEDEC（電子設(shè)備工程聯(lián)合委員會）制定的全新下一代內(nèi)存技術(shù)標準，具有速度更快、功耗更低、效能更高以及信號質(zhì)量更好等優(yōu)點，對于解決高速系統(tǒng)(例如某些高速圖像處理系統(tǒng))設(shè)計中由于存儲

工業(yè)控制
2009-12-09

控制器設(shè)計 SDRAM控制器 STRATIX DDR3
力晶第4季DRAM產(chǎn)出大躍進季增率挑戰(zhàn)30~40%

臺系DRAM廠為抓準DRAM價格復(fù)蘇的時間點，開始大量增加投片量，其中力晶增產(chǎn)的幅度將居冠，傳出第4季位元成長率將較第3季明顯大增30~40%，力晶11月出貨量大幅成長，也將反映在11月營收上，出現(xiàn)大幅度成長；再者，除了

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2009-11-30

芯片晶圓廠 DDR3 DRAM
臺DRAM廠拼增產(chǎn)搶回市占率惟制程進度仍落后

經(jīng)歷上一波DRAM產(chǎn)業(yè)不景氣，臺系DRAM廠傷得很重，好不容易等到價格反彈到現(xiàn)金成本之上，開始全力擴產(chǎn)找回過去失落的市占率，惟即使目前臺系DRAM廠再努力，也只能用落后的制程來追趕，傳出三星電子(SamsungElectronic

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2009-11-30

芯片爾必達 DDR3 DRAM
臺DRAM廠拼增產(chǎn)搶回市占率惟制程進度仍落后

經(jīng)歷上一波DRAM產(chǎn)業(yè)不景氣，臺系DRAM廠傷得很重，好不容易等到價格反彈到現(xiàn)金成本之上，開始全力擴產(chǎn)找回過去失落的市占率，惟即使目前臺系DRAM廠再努力，也只能用落后的制程來追趕，傳出三星電子 (Samsung Electron

智能硬件
2009-11-30

芯片爾必達 DDR3 DRAM
DRAM合約價漲勢告終12月再現(xiàn)拉鋸戰(zhàn)

11月下旬DRAM合約價終止?jié)q勢，2GB容量DDR2模塊高價面臨下跌壓力，DDR3模塊價格則是持平開始，主要是反應(yīng)傳統(tǒng)淡季將至，近期現(xiàn)貨價格近期修正高達15%，合約價開始出現(xiàn)壓力，惟南亞科發(fā)言人白培霖表示，PCOEM業(yè)者的需求

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2009-11-26

PC OEM DDR3 DRAM
iSuppli：明年第2季DDR3躍登DRAM市場主流

11月24日消息，根據(jù)市場研究機構(gòu)iSuppli的最新預(yù)測，DDR3(Double Data Rate 3)標準型內(nèi)存將在2010年第2季成為產(chǎn)業(yè)主流，全球DRAM市場出貨占比可望突破50%。據(jù)國外媒體報道，以單位出貨量計算，DDR3明年第2季的市占

智能硬件
2009-11-25

ISUPPLI DOUBLE DDR3 DRAM

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DDR3

集邦：上半年DDR3封測產(chǎn)能更吃緊

福懋科去年Q4營收優(yōu)于預(yù)期

華亞科現(xiàn)金增資案過關(guān)

2010年市場預(yù)測: PC旺、零組件缺、封測緊

DDR3注定要奪取DRAM王座

提高服務(wù)器使用的DDR3模塊(Netlist)

DDR3將成主流，后段封測廠設(shè)備將跟著升級

DDR3時代來臨封測受惠最大

Tektronix強化DDR測試與驗證產(chǎn)品組合

Rambus下調(diào)內(nèi)存專利收費與歐盟和解專利糾紛

基于Stratix III的DDR3 SDRAM控制器設(shè)計

力晶第4季DRAM產(chǎn)出大躍進季增率挑戰(zhàn)30~40%

臺DRAM廠拼增產(chǎn)搶回市占率惟制程進度仍落后

臺DRAM廠拼增產(chǎn)搶回市占率惟制程進度仍落后

DRAM合約價漲勢告終12月再現(xiàn)拉鋸戰(zhàn)

iSuppli：明年第2季DDR3躍登DRAM市場主流

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