DRAM

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2011年DRAM市場(chǎng)銷(xiāo)售額恐縮減11.8%

2010年DRAM市場(chǎng)銷(xiāo)售額沖到4.3億美元，然而自2011年開(kāi)始出現(xiàn)下跌，預(yù)估至2013年為止，都會(huì)維持下跌趨勢(shì)。據(jù)韓國(guó)電子新聞引述市調(diào)機(jī)構(gòu)報(bào)告指出，2011年DRAM市場(chǎng)銷(xiāo)售額與2010年相比，將縮減11.8%，約為355億美元。接著，

智能硬件
2011-01-19

DRAM 計(jì)算機(jī) BSP PHONE
爾必達(dá)擬漲DRAM價(jià)格　漲幅約10%

日本經(jīng)濟(jì)新聞報(bào)導(dǎo)指出，日廠爾必達(dá)(Elpida)有意于2011年1月中旬調(diào)漲DRAM價(jià)，據(jù)國(guó)內(nèi)外PC業(yè)者的說(shuō)法，其要求的漲幅約10%。先前PC用DRAM因需求趨緩，每顆跌破1美元，價(jià)格降至僅1年前的3分之1左右。為不讓獲利狀況持續(xù)惡

智能硬件
2011-01-19

爾必達(dá) ELECTRONICS DRAM BSP
2011年DRAM市場(chǎng)銷(xiāo)售額恐縮減11.8%

外電2010年DRAM市場(chǎng)銷(xiāo)售額沖到4.3億美元，然而自2011年開(kāi)始出現(xiàn)下跌，預(yù)估至2013年為止，都會(huì)維持下跌趨勢(shì)。據(jù)南韓電子新聞引述市調(diào)機(jī)構(gòu)報(bào)告指出，2011年DRAM市場(chǎng)銷(xiāo)售額與2010年相比，將縮減11.8%，約為355億美元。接

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2011-01-18

SMART TABLE DRAM PHONE
DRAM內(nèi)存芯片今年將現(xiàn)供大于求售價(jià)下滑?

2010年全球電腦和手機(jī)市場(chǎng)顯示了明顯增長(zhǎng)，內(nèi)存芯片市場(chǎng)也因電腦和手機(jī)的增長(zhǎng)而受益，全球芯片市場(chǎng)2010年預(yù)計(jì)增長(zhǎng)率將達(dá)到31.5%。據(jù)1月14日國(guó)外消息報(bào)道，iSuppli市場(chǎng)研究公司分析師警告稱(chēng)，經(jīng)過(guò)幾年繁榮的發(fā)展之后，

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2011-01-18

電腦內(nèi)存芯片 ISUPPLI DRAM
iSuppli：2011年智能手機(jī)與平板電腦將拯救DRAM

據(jù)市調(diào)公司iSuppli研究，預(yù)計(jì)2011年DRAM平均銷(xiāo)售價(jià)格(ASP)大幅下滑，全球DRAM銷(xiāo)售額也將隨之急劇萎縮，盡管智能手機(jī)和平板電腦領(lǐng)域存在強(qiáng)勁的增長(zhǎng)機(jī)會(huì)。2011年全球DRAM銷(xiāo)售額預(yù)計(jì)下降至355億美元，比2010年的403億美

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2011-01-18

智能手機(jī) 平板電腦 ISUPPLI DRAM
iSuppli：2011年智能手機(jī)與平板電腦將拯救DRAM

據(jù)市調(diào)公司iSuppli研究，預(yù)計(jì)2011年DRAM平均銷(xiāo)售價(jià)格(ASP)大幅下滑，全球DRAM銷(xiāo)售額也將隨之急劇萎縮，盡管智能手機(jī)和平板電腦領(lǐng)域存在強(qiáng)勁的增長(zhǎng)機(jī)會(huì)。2011年全球DRAM銷(xiāo)售額預(yù)計(jì)下降至355億美元，比2010年的403億美

智能硬件
2011-01-18

智能手機(jī) 平板電腦 ISUPPLI DRAM
臺(tái)積電12寸晶圓廠最新規(guī)劃概況

臺(tái)積電12日宣布，以29億元買(mǎi)下力晶竹科三五路興建中的12寸晶圓廠房，做為20納米以下先進(jìn)制程的新基地。力晶29億元落袋，可提升現(xiàn)金部位，抵抗DRAM市況寒冬。市場(chǎng)原估計(jì)交易金額逾30億元，實(shí)際以29億元成交。外界認(rèn)為

消費(fèi)電子
2011-01-17

臺(tái)積電晶圓廠 FAB DRAM
臺(tái)積電買(mǎi)下力晶12寸晶圓廠

臺(tái)積電12日宣布，以29億元買(mǎi)下力晶竹科三五路興建中的12寸晶圓廠房，做為20納米以下先進(jìn)制程的新基地。力晶29億元落袋，可提升現(xiàn)金部位，抵抗DRAM市況寒冬。市場(chǎng)原估計(jì)交易金額逾30億元，實(shí)際以29億元成交。外界認(rèn)為

電子設(shè)計(jì)自動(dòng)化
2011-01-17

臺(tái)積電晶圓廠 FAB DRAM
矽品日KD未過(guò)熱續(xù)攻堅(jiān)有望

矽品精密（2325）去年2月時(shí)公告加碼南茂股權(quán)，近期最后一筆款項(xiàng)正式入帳，矽品對(duì)南茂持股增加至15.77％，成為南茂最大單一股東。矽品雖將LCD驅(qū)動(dòng)IC及DRAM封測(cè)設(shè)備售予南茂，但所獲得的資金用來(lái)加碼投資南茂，雙方有效

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2011-01-16

NVIDIA 晶片 KD DRAM
五大趨勢(shì)，2011年DRAM市場(chǎng)走低

2011年DRAM市場(chǎng)將會(huì)是什么景況？以下是投資銀行BarclaysCapital分析師C.J.Muse收集產(chǎn)業(yè)界各方消息所歸納出的五項(xiàng)發(fā)展趨勢(shì)：1.DRAM市場(chǎng)走下坡Muse表示，2011年NAND市場(chǎng)前景不錯(cuò)，但DRAM市場(chǎng)可能相反；主要是因?yàn)槠桨咫?/p>
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2011-01-14

三星美光爾必達(dá) DRAM
DRAM跌破臺(tái)商成本爾必達(dá)二度聯(lián)臺(tái)抗韓

爾必達(dá)（Elpida）社長(zhǎng)坂本幸雄已于本月6日、7日在臺(tái)洽談以瑞晶為控股公司，與力晶、茂德統(tǒng)合經(jīng)營(yíng)。不過(guò)力晶否認(rèn)與爾必達(dá)有此接觸，稱(chēng)僅透過(guò)三方協(xié)商方式，恢復(fù)瑞晶對(duì)力晶的供貨，當(dāng)前首要目標(biāo)是全力轉(zhuǎn)進(jìn)DDR32Gb制造并

消費(fèi)電子
2011-01-14

爾必達(dá) GB DDR3 DRAM
iSuppli：2011年DRAM需求量將面臨嚴(yán)重下滑

據(jù)外國(guó)媒體報(bào)道，業(yè)內(nèi)分析師警告稱(chēng)，經(jīng)過(guò)幾年繁榮的發(fā)展之后，今年DRAM廠商面臨著需求的嚴(yán)重下滑?；谀壳暗臄?shù)字，iSuppli 預(yù)測(cè)DRAM全球平均銷(xiāo)售價(jià)將會(huì)下降到了$35.5bn，與去年相比下降11.8%。該研究公司警告，在未

智能硬件
2011-01-14

內(nèi)存電腦 ISUPPLI DRAM
臺(tái)積電12寸晶圓廠最新規(guī)劃概況

臺(tái)積電昨（12）日宣布，以29億元買(mǎi)下力晶竹科三五路興建中的12寸晶圓廠房，做為20奈米以下先進(jìn)制程的新基地。力晶29億元落袋，可提升現(xiàn)金部位，抵抗DRAM市況寒冬。市場(chǎng)原估計(jì)交易金額逾30億元，實(shí)際以29億元成交。外

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2011-01-13

臺(tái)積電晶圓廠 FAB DRAM
OCZ宣布退出DRAM業(yè)務(wù) 專(zhuān)注SSD

存儲(chǔ)解決方案廠商O(píng)CZ Technology近日宣布，它們將退出DRAM產(chǎn)品的業(yè)務(wù)，專(zhuān)注于固態(tài)硬盤(pán)（SSD）產(chǎn)品的研發(fā)和銷(xiāo)售。OCZ一直以高端的DRAM/內(nèi)存產(chǎn)品而聞名于業(yè)界，雖然近年來(lái)已經(jīng)擴(kuò)大其產(chǎn)品線例如冷卻裝置和電源產(chǎn)品等，但

消費(fèi)電子
2011-01-13

SSD SATA GBPS DRAM
臺(tái)積花29億元買(mǎi)力晶竹科12寸廠

臺(tái)積電昨（12）日宣布，以29億元買(mǎi)下力晶竹科三五路興建中的12寸晶圓廠房，做為20奈米以下先進(jìn)制程的新基地。力晶29億元落袋，可提升現(xiàn)金部位，抵抗DRAM市況寒冬。市場(chǎng)原估計(jì)交易金額逾30億元，實(shí)際以29億元成交。外

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2011-01-13

先進(jìn)制程臺(tái)積電 FAB DRAM
DRAM價(jià)格再次跌破臺(tái)灣制造商成本傳坂本幸雄二度來(lái)臺(tái)撮合聯(lián)臺(tái)抗韓

根據(jù)外電報(bào)導(dǎo)，爾必達(dá)（Elpida）社長(zhǎng)坂本幸雄已于本月6日、7日在臺(tái)洽談以瑞晶為控股公司，與力晶、茂德統(tǒng)合經(jīng)營(yíng)。不過(guò)力晶否認(rèn)與爾必達(dá)有此接觸，稱(chēng)僅透過(guò)三方協(xié)商方式，恢復(fù)瑞晶對(duì)力晶的供貨，當(dāng)前首要目標(biāo)是全力轉(zhuǎn)

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2011-01-12

爾必達(dá) GB DDR3 DRAM
DRAM價(jià)格再次跌破臺(tái)灣制造商成本傳坂本幸雄二度來(lái)臺(tái)撮合聯(lián)臺(tái)抗韓

根據(jù)外電報(bào)導(dǎo)，爾必達(dá)（Elpida）社長(zhǎng)坂本幸雄已于本月6日、7日在臺(tái)洽談以瑞晶為控股公司，與力晶、茂德統(tǒng)合經(jīng)營(yíng)。不過(guò)力晶否認(rèn)與爾必達(dá)有此接觸，稱(chēng)僅透過(guò)三方協(xié)商方式，恢復(fù)瑞晶對(duì)力晶的供貨，當(dāng)前首要目標(biāo)是全力轉(zhuǎn)

智能硬件
2011-01-12

爾必達(dá) GB DDR3 DRAM
爾必達(dá) 將結(jié)盟力晶茂德

日本讀賣(mài)新聞9日?qǐng)?bào)導(dǎo)，日本記憶體大廠爾必達(dá)（Elpida）與臺(tái)灣兩家晶片制造商力晶科技和茂德科技，已進(jìn)入結(jié)盟的最后階段談判，可望達(dá)成全面性的業(yè)務(wù)整合協(xié)議。力晶表示，目前并未針對(duì)結(jié)盟進(jìn)行接觸；茂德則不愿評(píng)論。日

半導(dǎo)體
2011-01-10

晶片爾必達(dá) PID DRAM
半導(dǎo)體業(yè)2011年將呈現(xiàn)先低后高走勢(shì)

2010年半導(dǎo)體市況呈現(xiàn)「先高后低」的走勢(shì)，然2011年將會(huì)回到上低下高趨勢(shì)。主要DRAM記憶體產(chǎn)品DDR3平均固定交易價(jià)格2010年上半至年中為止維持上升走勢(shì)，并于5月達(dá)到頂點(diǎn)2.72美元。然由于電腦等成品銷(xiāo)售情況不甚理想，

半導(dǎo)體
2011-01-09

爾必達(dá) 海力士 DRAM
封測(cè)三雄淡月造江山

封測(cè)三雄日月光(2311)、矽品(2325)、力成(6239)結(jié)算12月?tīng)I(yíng)收亮麗，其中日月光、力成更是在淡月中刷新猷，矽品也逆勢(shì)月增3.4%，三雄去年第四季淡季不淡，搭配昨晚美國(guó)半導(dǎo)體指數(shù)大漲利多，激勵(lì)今日封測(cè)三雄早盤(pán)股價(jià)有

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2011-01-07

半導(dǎo)體元件晶片 DRAM

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DRAM

2011年DRAM市場(chǎng)銷(xiāo)售額恐縮減11.8%

爾必達(dá)擬漲DRAM價(jià)格　漲幅約10%

2011年DRAM市場(chǎng)銷(xiāo)售額恐縮減11.8%

DRAM內(nèi)存芯片今年將現(xiàn)供大于求售價(jià)下滑?

iSuppli：2011年智能手機(jī)與平板電腦將拯救DRAM

iSuppli：2011年智能手機(jī)與平板電腦將拯救DRAM

臺(tái)積電12寸晶圓廠最新規(guī)劃概況

臺(tái)積電買(mǎi)下力晶12寸晶圓廠

矽品日KD未過(guò)熱續(xù)攻堅(jiān)有望

五大趨勢(shì)，2011年DRAM市場(chǎng)走低

DRAM跌破臺(tái)商成本爾必達(dá)二度聯(lián)臺(tái)抗韓

iSuppli：2011年DRAM需求量將面臨嚴(yán)重下滑

臺(tái)積電12寸晶圓廠最新規(guī)劃概況

OCZ宣布退出DRAM業(yè)務(wù) 專(zhuān)注SSD

臺(tái)積花29億元買(mǎi)力晶竹科12寸廠

DRAM價(jià)格再次跌破臺(tái)灣制造商成本傳坂本幸雄二度來(lái)臺(tái)撮合聯(lián)臺(tái)抗韓

DRAM價(jià)格再次跌破臺(tái)灣制造商成本傳坂本幸雄二度來(lái)臺(tái)撮合聯(lián)臺(tái)抗韓

爾必達(dá) 將結(jié)盟力晶茂德

半導(dǎo)體業(yè)2011年將呈現(xiàn)先低后高走勢(shì)

封測(cè)三雄淡月造江山

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