2010年12月下旬DRAM的合約價(jià)格持續(xù)重挫,其中2GB容量DDR3模塊的價(jià)格下跌10%,平均售價(jià)跌破20美元,低價(jià)來(lái)到17美元價(jià)格,相較于2010年上半DRAM缺貨高峰期,2GB容量DDR3模塊價(jià)格較當(dāng)時(shí)的價(jià)格已下跌超過(guò)50%,市場(chǎng)預(yù)期供
曾經(jīng)出現(xiàn)在芯片產(chǎn)業(yè)發(fā)展中的種種問(wèn)題,正高懸于更多的新興行業(yè)之上,如何避免相同的問(wèn)題被復(fù)制,更多地需要從產(chǎn)業(yè)扶持政策與體制中破解。芯片產(chǎn)業(yè)發(fā)展中的問(wèn)題并非獨(dú)有。自2009年以來(lái),新一輪以科技帶動(dòng)的產(chǎn)業(yè)發(fā)展的
平板計(jì)算機(jī)是LED背光繼電視與計(jì)算機(jī)熒幕之后的下一個(gè)產(chǎn)業(yè)焦點(diǎn)。預(yù)計(jì)明年起,平板計(jì)算機(jī)市場(chǎng)起飛,將大量使用LED背光源,這將使得高階LED晶粒供應(yīng)吃緊的狀況,提早在明年2月就發(fā)生。目前蘋果iPad的背光板主要是由日本
據(jù)市場(chǎng)研究公司iSuppli表示,今年全球半導(dǎo)體市場(chǎng)將較上年同期低迷的水平實(shí)現(xiàn)有史以來(lái)最大規(guī)模的增長(zhǎng),這主要得益于DRAM及NAND晶片的大幅增長(zhǎng)。iSuppli預(yù)計(jì),2010年全球半導(dǎo)體行業(yè)總收入或?yàn)?,040億美元,較2009年總收
據(jù)市場(chǎng)研究公司iSuppli表示,今年全球半導(dǎo)體市場(chǎng)將較上年同期低迷的水平實(shí)現(xiàn)有史以來(lái)最大規(guī)模的增長(zhǎng),這主要得益于DRAM及NAND晶片的大幅增長(zhǎng)。iSuppli預(yù)計(jì),2010年全球半導(dǎo)體行業(yè)總收入或?yàn)?,040億美元,較2009年總收
亞洲最大的半導(dǎo)體交易市場(chǎng)Dramexchange分析師周三表示,由于東芝一家芯片工廠因短時(shí)電力故障而停產(chǎn)的影響,到2011年1月中旬之前,NAND閃存芯片的價(jià)格可能會(huì)上漲15%。Dramexchange分析師希恩-楊(SeanYang)表示,32G
市場(chǎng)傳出封測(cè)廠明年第1季平均接單價(jià)格(ASP)將出現(xiàn)5%至10%跌幅,但包括日月光、矽品、菱生、超豐等邏輯IC封測(cè)業(yè)者則表示,國(guó)內(nèi)業(yè)者雖有要求降價(jià),但短期不會(huì)有結(jié)論,也就是下季看來(lái)不會(huì)降價(jià),且國(guó)際大客戶并沒(méi)有任
2010年,半導(dǎo)體封裝業(yè)界,以銅引線鍵合為代表的低成本封裝技術(shù)吸引了眾多目光。雖然將來(lái)有望出現(xiàn)基于TSV(硅貫通孔)的三維積層等創(chuàng)新技術(shù),但目前的通貨緊縮對(duì)策成為最重要的課題。2010年1月,SEMI公布了關(guān)于銅引線
中國(guó)大陸IC封測(cè)技術(shù)已往高階制程移動(dòng),并且藉著半導(dǎo)體群聚效應(yīng)進(jìn)行區(qū)域整并,競(jìng)爭(zhēng)力逐漸提升,例如江蘇長(zhǎng)電已在2009年正式擠進(jìn)全球前10大封測(cè)廠,加上整合元件廠(IDM)逐步與大陸合作,大陸本土IC封測(cè)業(yè)已開(kāi)始進(jìn)入蓬勃
中國(guó)大陸IC封測(cè)技術(shù)已往高階制程移動(dòng),并且藉著半導(dǎo)體群聚效應(yīng)進(jìn)行區(qū)域整并,競(jìng)爭(zhēng)力逐漸提升,例如江蘇長(zhǎng)電已在2009年正式擠進(jìn)全球前10大封測(cè)廠,加上整合元件廠(IDM)逐步與大陸合作,大陸本土IC封測(cè)業(yè)已開(kāi)始進(jìn)入蓬勃
年關(guān)將屆,各家封測(cè)廠開(kāi)始與客戶端協(xié)商2011年首季代工報(bào)價(jià),然情況卻不樂(lè)觀,由于邏輯IC和記憶體封測(cè)客戶皆面臨沉重成本壓力,要求后段廠能降價(jià)且幅度從5%起跳,尤其記憶體封測(cè)客戶砍價(jià)毫不手軟,要求降幅逼近10%,明
記憶體封測(cè)族群下半年?duì)I收表現(xiàn)相對(duì)突出。力成11月?tīng)I(yíng)收為新臺(tái)幣33.51億元,較上月微幅增加,創(chuàng)下新高記錄。該公司表示,爾必達(dá)(Elpida)雖然針對(duì)標(biāo)準(zhǔn)型DRAM進(jìn)行減產(chǎn),但也持續(xù)增加Mobile DRAM的訂單,希望12月?tīng)I(yíng)收也能
2010年,半導(dǎo)體封裝業(yè)界,以銅引線鍵合為代表的低成本封裝技術(shù)吸引了眾多目光。雖然將來(lái)有望出現(xiàn)基于TSV(硅貫通孔)的三維積層等創(chuàng)新技術(shù),但目前的通貨緊縮對(duì)策成為最重要的課題。 2010年1月,SEMI公布了關(guān)于銅
據(jù)iSuppli公司,2010年上半年金士頓增強(qiáng)了在第三方DRAM模組市場(chǎng)中的統(tǒng)治地位,在模組成本上漲之際利用其強(qiáng)大的購(gòu)買力擴(kuò)大了市場(chǎng)份額。2010年上半年金士頓的DRAM模組銷售額為26億美元,比2009年下半年勁增45.6%。其在
2011年DRAM產(chǎn)業(yè)中,雖然三星電子(SamsungElectronics)已揭露大擴(kuò)產(chǎn)計(jì)劃,包括興建12寸晶圓廠Line-16,以及將現(xiàn)有Line-15升級(jí)至35納米制程,但綜觀整個(gè)DRAM產(chǎn)業(yè)的位元成長(zhǎng)率,仍都是來(lái)自于制程微縮為主,包括三星35納
2010年,半導(dǎo)體封裝業(yè)界,以銅引線鍵合為代表的低成本封裝技術(shù)吸引了眾多目光。雖然將來(lái)有望出現(xiàn)基于TSV(硅貫通孔)的三維積層等創(chuàng)新技術(shù),但目前的通貨緊縮對(duì)策成為最重要的課題。2010年1月,SEMI公布了關(guān)于銅引線鍵
大陸IC封測(cè)技術(shù)已往高階制程移動(dòng),并且借著半導(dǎo)體群聚效應(yīng)進(jìn)行區(qū)域整并,競(jìng)爭(zhēng)力逐漸提升,例如江蘇長(zhǎng)電已在2009年正式擠進(jìn)全球前10大封測(cè)廠,加上整合元件廠(IDM)逐步與大陸合作,大陸本土IC封測(cè)業(yè)已開(kāi)始進(jìn)入蓬勃發(fā)展
日本東芝(Toshiba)與南通富士通于2010年4月成立合資無(wú)錫通芝公司,初期東芝半導(dǎo)體(無(wú)錫)出資80%、南通富士通出資20%,但數(shù)年后南通富士通將持過(guò)半股份,未來(lái)將可獲得東芝及其子公司等日系高階封測(cè)訂單。 中資蘇州
2010年,半導(dǎo)體封裝業(yè)界,以銅引線鍵合為代表的低成本封裝技術(shù)吸引了眾多目光。雖然將來(lái)有望出現(xiàn)基于TSV(硅貫通孔)的三維積層等創(chuàng)新技術(shù),但目前的通貨緊縮對(duì)策成為最重要的課題。2010年1月,SEMI公布了關(guān)于銅引線
2010年,半導(dǎo)體封裝業(yè)界,以銅引線鍵合為代表的低成本封裝技術(shù)吸引了眾多目光。雖然將來(lái)有望出現(xiàn)基于TSV(硅貫通孔)的三維積層等創(chuàng)新技術(shù),但目前的通貨緊縮對(duì)策成為最重要的課題。 2010年1月,SEMI公布了關(guān)于銅