DRAM

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力晶閃電與瑞晶復(fù)合　供貨以2Gb DDR3為主

臺(tái)系DRAM大廠力晶與瑞晶之間的停止供貨事件6日出現(xiàn)大轉(zhuǎn)變，力晶正式與瑞晶和爾必達(dá)(Elpida)協(xié)商成功，開(kāi)始恢復(fù)向瑞晶拿貨，且以目前力晶手上最缺的2Gb容量DDR3晶片為主，之前欠瑞晶的債款未來(lái)也會(huì)分期償還，借此行動(dòng)

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2011-01-07

DDR3 GB 爾必達(dá) DRAM
房地產(chǎn)收入挹注　日月光12月集團(tuán)營(yíng)收創(chuàng)新高

李洵穎／臺(tái)北 2大封測(cè)廠日月光、力成6日相繼公告2010年12月合并營(yíng)收，皆創(chuàng)歷史新高紀(jì)錄。日月光單月集團(tuán)營(yíng)收在房地產(chǎn)銷售收入挹注下，實(shí)績(jī)?cè)略雎蔬_(dá)16%，惟封測(cè)業(yè)務(wù)營(yíng)收則與上月相當(dāng)；力成則以0.12%些微差距刷新單月歷

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2011-01-07

Flash NAND MOBILE DRAM
臺(tái)系DRAM廠商還能熬過(guò)2011年嗎？

DRAM市場(chǎng)“又”開(kāi)始走下坡；在上一次的下坡路段，臺(tái)灣地區(qū)DRAM廠商僥幸存活，但這一次恐怕沒(méi)有那么幸運(yùn)。其中南亞科(Nanya Technology)因?yàn)橛袀€(gè)“富爸爸”，盡管仍然持續(xù)虧損，應(yīng)該能存活；力晶

智能硬件
2011-01-06

ELECTRONICS CHIP 爾必達(dá) DRAM
三星首推DDR4 DRAM規(guī)格內(nèi)存

三星電子今天宣布，已經(jīng)完成了歷史上第一款DDR4 DRAM規(guī)格內(nèi)存條的開(kāi)發(fā)，并采用30nm級(jí)工藝制造了首批樣品。時(shí)至今日，DDR4內(nèi)存的標(biāo)準(zhǔn)規(guī)范仍未最終定奪。三星這條樣品屬于UDIMM類型，容量為2GB，運(yùn)行電壓只有1.2

消費(fèi)電子
2011-01-06

三星內(nèi)存 DDR4 DRAM
DDR4 DRAM內(nèi)存芯片速度將提升一倍

三星電子星期二稱，它已經(jīng)開(kāi)發(fā)出了一種新的計(jì)算機(jī)內(nèi)存模塊，讀寫數(shù)據(jù)的速度是上一代內(nèi)存芯片的一倍。三星電子在聲明中稱，它將在2012年開(kāi)始使用30納米級(jí)的技術(shù)生產(chǎn)這種新的DDR4 DRAM內(nèi)存模塊。目前DRAM內(nèi)存行業(yè)的主流

消費(fèi)電子
2011-01-06

三星電子內(nèi)存芯片 DDR4 DRAM
臺(tái)系DRAM廠商還能熬過(guò)2011年嗎？

DRAM市場(chǎng)“又”開(kāi)始走下坡；在上一次的下坡路段，臺(tái)灣地區(qū)DRAM廠商僥幸存活，但這一次恐怕沒(méi)有那么幸運(yùn)。其中南亞科(NanyaTechnology)因?yàn)橛袀€(gè)“富爸爸”，盡管仍然持續(xù)虧損，應(yīng)該能存活；力晶半導(dǎo)體(PowerchipSemic

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2011-01-05

ELECTRONICS CHIP 爾必達(dá) DRAM
半導(dǎo)體業(yè)2011年預(yù)測(cè)

2010年半導(dǎo)體市況呈現(xiàn)「先高后低」的走勢(shì)，然2011年將會(huì)回到上低下高趨勢(shì)。主要DRAM記憶體產(chǎn)品DDR3平均固定交易價(jià)格2010年上半至年中為止維持上升走勢(shì)，并于5月達(dá)到頂點(diǎn)2.72美元。然由于電腦等成品銷售情況不甚理想，

電子設(shè)計(jì)自動(dòng)化
2011-01-05

海力士爾必達(dá) DRAM
海力士導(dǎo)入30納米級(jí)DRAM制程

海力士緊跟三星電子之后，將把DRAM的生產(chǎn)制程轉(zhuǎn)換為30納米級(jí)制程。海力士29日宣布，已開(kāi)發(fā)出2款計(jì)算機(jī)用DRAM產(chǎn)品，將首度采用30納米級(jí)制程量產(chǎn)。據(jù)海力士表示，計(jì)劃采用38納米制程生產(chǎn)4Gb和2Gb 2種產(chǎn)品，2011年第1季

消費(fèi)電子
2011-01-04

納米級(jí) 海力士 GB DRAM
2010年DRAM廠成績(jī)

2010年DRAM產(chǎn)業(yè)虎頭蛇尾，年初報(bào)價(jià)大漲至1顆DDR3報(bào)價(jià)達(dá)3美元，但年底卻跌到1美元；但以獲利來(lái)看，2010年只有力晶和瑞晶有賺錢，南亞科、華亞科和茂德都是持續(xù)賠錢，南亞科和華亞科是因?yàn)橹瞥剔D(zhuǎn)換之故，沒(méi)有掌握到年初

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2011-01-04

PID DDR3 爾必達(dá) DRAM
臺(tái)DRAM廠拼制程搶救獲利無(wú)效　轉(zhuǎn)進(jìn)40奈米嫌太晚　1Q恐續(xù)虧

臺(tái)北DDR3報(bào)價(jià)從2010年初1顆3美元跌到年底只剩下0.8美元，跌幅高達(dá)70％，力晶更在2010年底因欠款導(dǎo)致子公司瑞晶停止出貨，透露臺(tái)DRAM廠財(cái)務(wù)已處于極度吃緊狀態(tài)，記憶體業(yè)者表示，由于1月DRAM合約價(jià)和現(xiàn)貨價(jià)還有下跌空

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2011-01-04

微米 PID DDR3 DRAM
臺(tái)灣DRAM廠：產(chǎn)業(yè)最大問(wèn)題不在匯率而在售價(jià)

臺(tái)灣央行總裁彭淮南面對(duì)這一波新臺(tái)幣強(qiáng)勢(shì)升值，采取匯市收盤價(jià)力守30元的作法，外界開(kāi)始出現(xiàn)匯價(jià)失真的爭(zhēng)議，但彭淮南這次直接挑明表示，臺(tái)灣和韓國(guó)在科技產(chǎn)業(yè)的產(chǎn)品雷同度高，匯率過(guò)度升值會(huì)影響出口商的競(jìng)爭(zhēng)力；與

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2011-01-04

三星電子 SAMSUNG ELECTRONICS DRAM
逾期貨款未付瑞晶宣布暫停出貨給力晶

瑞晶31日公告，由于主要大客戶兼母公司力晶的帳款逾期未付，因此即日起暫停出貨給力晶；力晶表示，由于DRAM價(jià)格不佳，在財(cái)務(wù)上規(guī)畫保守，目前正與爾必達(dá)(Elpida)和瑞晶3方協(xié)商當(dāng)中；瑞晶則表示，將與力晶協(xié)議針對(duì)保障

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2011-01-04

PID 爾必達(dá) DRAM
瑞晶宣布暫停出貨給力晶

瑞晶31日公告，由于主要大客戶兼母公司力晶的帳款逾期未付，因此即日起暫停出貨給力晶;力晶表示，由于DRAM價(jià)格不佳，在財(cái)務(wù)上規(guī)畫保守，目前正與爾必達(dá)(Elpida)和瑞晶3方協(xié)商當(dāng)中;瑞晶則表示，將與力晶協(xié)議針對(duì)保障瑞

電子設(shè)計(jì)自動(dòng)化
2011-01-04

PID 爾必達(dá) DRAM
臺(tái)灣DRAM廠：產(chǎn)業(yè)最大問(wèn)題不在匯率而在售價(jià)

臺(tái)灣央行總裁彭淮南面對(duì)這一波新臺(tái)幣強(qiáng)勢(shì)升值，采取匯市收盤價(jià)力守30元的作法，外界開(kāi)始出現(xiàn)匯價(jià)失真的爭(zhēng)議，但彭淮南這次直接挑明表示，臺(tái)灣和韓國(guó)在科技產(chǎn)業(yè)的產(chǎn)品雷同度高，匯率過(guò)度升值會(huì)影響出口商的競(jìng)爭(zhēng)力；與

智能硬件
2011-01-04

三星電子 SAMSUNG ELECTRONICS DRAM
新應(yīng)用帶動(dòng)、節(jié)制擴(kuò)產(chǎn)　半導(dǎo)體產(chǎn)能無(wú)供過(guò)于求疑慮

鄭茜文／臺(tái)北全球半導(dǎo)體業(yè)2011年設(shè)備投資持續(xù)在高檔水位，引發(fā)市場(chǎng)憂慮未來(lái)恐出現(xiàn)供過(guò)于求的現(xiàn)象，半導(dǎo)體設(shè)備大廠應(yīng)用材料(Applied Materials)企業(yè)副總裁暨臺(tái)灣區(qū)總裁余定陸指出，由于新應(yīng)用包括平板電腦、智慧型手

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2011-01-04

半導(dǎo)體晶圓廠半導(dǎo)體設(shè)備 DRAM
DRAM封測(cè)制程沿革

李洵穎 DRAM的世代交替帶動(dòng)了先進(jìn)封裝技術(shù)的發(fā)展，以往DDR DRAM及利基型SDRAM產(chǎn)品，其封裝型態(tài)均為超薄小型晶粒承載封裝(TSOP)，自DDR2產(chǎn)品封裝型態(tài)已改變?yōu)殚l球陣列封裝(BGA)，延續(xù)至2010年主流自DDR2逐步由DDR3取代

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2011-01-04

封裝技術(shù) SDRAM DDR3 DRAM
記憶體封測(cè)廠12月?tīng)I(yíng)收持穩(wěn)或小增　本季將下滑

李洵穎／臺(tái)北隨著DRAM廠轉(zhuǎn)換制程，產(chǎn)出增加，記憶體封測(cè)廠如力成科技、華東科技和福懋科技等2010年12月?tīng)I(yíng)收仍可望持穩(wěn)或小幅增加，處于高檔水準(zhǔn)。惟2011年第1季受到客戶如爾必達(dá)(Elpida)減產(chǎn)效應(yīng)沖擊，下單力道減弱

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2011-01-03

Flash MOBILE 爾必達(dá) DRAM
施振榮稱臺(tái)灣面板業(yè)聯(lián)日抗韓是上上策

宏碁集團(tuán)創(chuàng)辦人施振榮12月29日早間消息，據(jù)臺(tái)灣媒體報(bào)道，宏碁集團(tuán)創(chuàng)辦人施振榮昨天表示，“聯(lián)日抗韓”是上上策，無(wú)論面板業(yè)或DRAM業(yè)都是如此；臺(tái)灣不需要一昧地跟韓國(guó)學(xué)，應(yīng)以創(chuàng)新取勝。第四屆“潘文

智能硬件
2011-01-03

臺(tái)灣面板 PID HITACHI DRAM
DRAM廠產(chǎn)能轉(zhuǎn)戰(zhàn)，類比IC廠成本可望下降

MIC產(chǎn)業(yè)顧問(wèn)兼副主任洪春暉指出，類比IC廠商面臨IDM廠委外代工增加，壓縮投片空間，再加上晶圓代工廠未來(lái)6寸及8寸擴(kuò)產(chǎn)機(jī)會(huì)不大，產(chǎn)能長(zhǎng)期恐面臨不足的窘境，估計(jì)記憶體廠因DRAM價(jià)格持續(xù)滑落，未來(lái)將可能提供部分產(chǎn)能

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2010-12-31

晶圓廠 IC DM DRAM
DRAM的五大趨勢(shì)

2011年全球DRAM會(huì)發(fā)生什么？下面是由BarclaysCapital的CJMuse在匯總了各種資料之后給出的DRAM五大趨勢(shì);1.DownonDRAM下行2011可能是NAND年，而不是DRAM。當(dāng)平板電腦開(kāi)始蠶食它的同伴，筆記本與上網(wǎng)本時(shí)未來(lái)市場(chǎng)會(huì)發(fā)生

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2010-12-31

三星 MICRON 爾必達(dá) DRAM

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DRAM

力晶閃電與瑞晶復(fù)合　供貨以2Gb DDR3為主

房地產(chǎn)收入挹注　日月光12月集團(tuán)營(yíng)收創(chuàng)新高

臺(tái)系DRAM廠商還能熬過(guò)2011年嗎？

三星首推DDR4 DRAM規(guī)格內(nèi)存

DDR4 DRAM內(nèi)存芯片速度將提升一倍

臺(tái)系DRAM廠商還能熬過(guò)2011年嗎？

半導(dǎo)體業(yè)2011年預(yù)測(cè)

海力士導(dǎo)入30納米級(jí)DRAM制程

2010年DRAM廠成績(jī)

臺(tái)DRAM廠拼制程搶救獲利無(wú)效　轉(zhuǎn)進(jìn)40奈米嫌太晚　1Q恐續(xù)虧

臺(tái)灣DRAM廠：產(chǎn)業(yè)最大問(wèn)題不在匯率而在售價(jià)

逾期貨款未付瑞晶宣布暫停出貨給力晶

瑞晶宣布暫停出貨給力晶

臺(tái)灣DRAM廠：產(chǎn)業(yè)最大問(wèn)題不在匯率而在售價(jià)

新應(yīng)用帶動(dòng)、節(jié)制擴(kuò)產(chǎn)　半導(dǎo)體產(chǎn)能無(wú)供過(guò)于求疑慮

DRAM封測(cè)制程沿革

記憶體封測(cè)廠12月?tīng)I(yíng)收持穩(wěn)或小增　本季將下滑

施振榮稱臺(tái)灣面板業(yè)聯(lián)日抗韓是上上策

DRAM廠產(chǎn)能轉(zhuǎn)戰(zhàn)，類比IC廠成本可望下降

DRAM的五大趨勢(shì)

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