DRAM

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臺(tái)灣DRAM廠：產(chǎn)業(yè)最大問題不在匯率而在售價(jià)

臺(tái)灣央行總裁彭淮南面對(duì)這一波新臺(tái)幣強(qiáng)勢(shì)升值，采取匯市收盤價(jià)力守30元的作法，外界開始出現(xiàn)匯價(jià)失真的爭(zhēng)議，但彭淮南這次直接挑明表示，臺(tái)灣和韓國(guó)在科技產(chǎn)業(yè)的產(chǎn)品雷同度高，匯率過度升值會(huì)影響出口商的競(jìng)爭(zhēng)力；與

智能硬件
2011-01-04

DRAM ELECTRONICS SAMSUNG 三星電子
新應(yīng)用帶動(dòng)、節(jié)制擴(kuò)產(chǎn)　半導(dǎo)體產(chǎn)能無(wú)供過于求疑慮

鄭茜文／臺(tái)北全球半導(dǎo)體業(yè)2011年設(shè)備投資持續(xù)在高檔水位，引發(fā)市場(chǎng)憂慮未來(lái)恐出現(xiàn)供過于求的現(xiàn)象，半導(dǎo)體設(shè)備大廠應(yīng)用材料(Applied Materials)企業(yè)副總裁暨臺(tái)灣區(qū)總裁余定陸指出，由于新應(yīng)用包括平板電腦、智慧型手

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2011-01-04

半導(dǎo)體晶圓廠半導(dǎo)體設(shè)備 DRAM
DRAM封測(cè)制程沿革

李洵穎 DRAM的世代交替帶動(dòng)了先進(jìn)封裝技術(shù)的發(fā)展，以往DDR DRAM及利基型SDRAM產(chǎn)品，其封裝型態(tài)均為超薄小型晶粒承載封裝(TSOP)，自DDR2產(chǎn)品封裝型態(tài)已改變?yōu)殚l球陣列封裝(BGA)，延續(xù)至2010年主流自DDR2逐步由DDR3取代

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2011-01-04

封裝技術(shù) SDRAM DDR3 DRAM
記憶體封測(cè)廠12月營(yíng)收持穩(wěn)或小增　本季將下滑

李洵穎／臺(tái)北隨著DRAM廠轉(zhuǎn)換制程，產(chǎn)出增加，記憶體封測(cè)廠如力成科技、華東科技和福懋科技等2010年12月營(yíng)收仍可望持穩(wěn)或小幅增加，處于高檔水準(zhǔn)。惟2011年第1季受到客戶如爾必達(dá)(Elpida)減產(chǎn)效應(yīng)沖擊，下單力道減弱

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2011-01-03

爾必達(dá) Flash MOBILE DRAM
施振榮稱臺(tái)灣面板業(yè)聯(lián)日抗韓是上上策

宏碁集團(tuán)創(chuàng)辦人施振榮12月29日早間消息，據(jù)臺(tái)灣媒體報(bào)道，宏碁集團(tuán)創(chuàng)辦人施振榮昨天表示，“聯(lián)日抗韓”是上上策，無(wú)論面板業(yè)或DRAM業(yè)都是如此；臺(tái)灣不需要一昧地跟韓國(guó)學(xué)，應(yīng)以創(chuàng)新取勝。第四屆“潘文

智能硬件
2011-01-03

臺(tái)灣面板 PID HITACHI DRAM
DRAM廠產(chǎn)能轉(zhuǎn)戰(zhàn)，類比IC廠成本可望下降

MIC產(chǎn)業(yè)顧問兼副主任洪春暉指出，類比IC廠商面臨IDM廠委外代工增加，壓縮投片空間，再加上晶圓代工廠未來(lái)6寸及8寸擴(kuò)產(chǎn)機(jī)會(huì)不大，產(chǎn)能長(zhǎng)期恐面臨不足的窘境，估計(jì)記憶體廠因DRAM價(jià)格持續(xù)滑落，未來(lái)將可能提供部分產(chǎn)能

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2010-12-31

晶圓廠 IC DM DRAM
DRAM的五大趨勢(shì)

2011年全球DRAM會(huì)發(fā)生什么？下面是由BarclaysCapital的CJMuse在匯總了各種資料之后給出的DRAM五大趨勢(shì);1.DownonDRAM下行2011可能是NAND年，而不是DRAM。當(dāng)平板電腦開始蠶食它的同伴，筆記本與上網(wǎng)本時(shí)未來(lái)市場(chǎng)會(huì)發(fā)生

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2010-12-31

三星爾必達(dá) MICRON DRAM
海力士導(dǎo)入30納米級(jí)DRAM制程

海力士(Hynix)緊跟三星電子(SamsungElectronics)之后，將把DRAM的生產(chǎn)制程轉(zhuǎn)換為30納米級(jí)制程。海力士29日宣布，已開發(fā)出2款計(jì)算機(jī)用DRAM產(chǎn)品，將首度采用30納米級(jí)制程量產(chǎn)。據(jù)海力士表示，計(jì)劃采用38納米制程生產(chǎn)4G

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2010-12-31

納米級(jí) 海力士 GB DRAM
日臺(tái)芯片產(chǎn)業(yè)巨頭強(qiáng)強(qiáng)聯(lián)手打造聯(lián)盟

據(jù)日本讀賣新聞報(bào)道：世界第三大DRAM(動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器)半導(dǎo)體芯片制造產(chǎn)商——日本爾必達(dá)(Elpida)25日宣布，將與臺(tái)灣制造商力晶科技、茂德科技就雙方的資金技術(shù)合作事宜進(jìn)行談判。力晶與茂德的DRAM半導(dǎo)

半導(dǎo)體
2010-12-29

爾必達(dá) 芯片產(chǎn)業(yè) BSP DRAM
日臺(tái)半導(dǎo)體芯片產(chǎn)業(yè)巨頭強(qiáng)強(qiáng)聯(lián)手打造"日臺(tái)聯(lián)盟"

據(jù)日本讀賣新聞12月25日?qǐng)?bào)道：世界第三大DRAM(動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器)半導(dǎo)體芯片制造產(chǎn)商——日本爾必達(dá)(Elpida)25日宣布，將與臺(tái)灣制造商力晶科技、茂德科技就雙方的資金技術(shù)合作事宜進(jìn)行談判。力晶與茂德的DRAM半導(dǎo)體

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2010-12-29

爾必達(dá) 芯片產(chǎn)業(yè) 半導(dǎo)體芯片 DRAM
傳爾必達(dá)欲組控股公司　目標(biāo)臺(tái)日DRAM廠4合1整并

DRAM報(bào)價(jià)面臨二次崩盤危機(jī)，過去曾被提及但最后鎩羽的臺(tái)日DRAM產(chǎn)業(yè)4合1大整并議題，再度被端上臺(tái)面！日本外電指出，爾必達(dá)(Elpida)社長(zhǎng)坂本幸雄將于2011年初訪臺(tái)，洽談在臺(tái)灣成立控股公司，將力晶、瑞晶和茂德3家臺(tái)廠

智能硬件
2010-12-28

集成爾必達(dá) 海力士 DRAM
12寸產(chǎn)能吃緊臺(tái)積電買力晶廠地?cái)U(kuò)產(chǎn)

設(shè)備業(yè)者透露，臺(tái)積電(2330)將以超過30億元價(jià)格，買下力晶位于新竹科學(xué)園區(qū)內(nèi)園區(qū)三、五路的12寸廠P4建物及P5建地，以因應(yīng)逐漸吃緊的先進(jìn)產(chǎn)能需求，而目前臺(tái)積電竹科12寸第4、5期工程已于今年完工量產(chǎn)，開始進(jìn)行40及

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2010-12-27

博通臺(tái)積電 FAB DRAM
大陸IC設(shè)計(jì)享受政策扶植

正在崛起當(dāng)中的中國(guó)大陸IC設(shè)計(jì)公司已逐漸成為不能忽視的族群，資策會(huì)產(chǎn)業(yè)情報(bào)研究所（MIC）產(chǎn)業(yè)顧問洪春暉表示，國(guó)際芯片大廠如高通等在大陸降價(jià)搶市，大陸十二五計(jì)劃也宣示將以政策扶植本地IC設(shè)計(jì)產(chǎn)業(yè)，未來(lái)臺(tái)系業(yè)者

消費(fèi)電子
2010-12-27

三星半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè) IC設(shè)計(jì) DRAM
DRAM沒賺頭拿封測(cè)廠開刀

受到年底ODM/OEM廠去化手中過多DRAM庫(kù)存的賣壓影響，近日內(nèi)DRAM價(jià)格呈現(xiàn)崩跌走勢(shì)，1Gb DDR3白牌顆粒價(jià)格已跌至1美元以下，2Gb DDR3現(xiàn)貨價(jià)也跌破2美元，已是賣一顆賠半顆，要求后段封測(cè)廠降價(jià)態(tài)度轉(zhuǎn)趨強(qiáng)硬。封測(cè)

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2010-12-27

OEM GB DDR3 DRAM
擴(kuò)產(chǎn)能臺(tái)積電買力晶廠地

晶圓代工龍頭臺(tái)積電將以超過30億元價(jià)格，買下力晶位于新竹科學(xué)園區(qū)內(nèi)園區(qū)三、五路的12寸廠P4建物及P5建地，以因應(yīng)產(chǎn)能需求。臺(tái)積電昨日表示，臺(tái)積電一直在找可以蓋廠的土地，竹科又已經(jīng)無(wú)法取得其它建廠用地，若

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2010-12-27

臺(tái)積電晶圓廠 FAB DRAM
分析稱三星LED將繼面板及DRAM后再度超越臺(tái)灣

平板計(jì)算機(jī)是LED背光繼電視與計(jì)算機(jī)熒幕之后的下一個(gè)產(chǎn)業(yè)焦點(diǎn)。預(yù)計(jì)明年起，平板計(jì)算機(jī)市場(chǎng)起飛，將大量使用LED背光源，這將使得高階LED晶粒供應(yīng)吃緊的狀況，提早在明年2月就發(fā)生。目前蘋果iPad的背光板主要是由日本

顯示光電
2010-12-24

三星 LED BSP DRAM
12月份DRAM價(jià)格繼續(xù)大幅下滑

據(jù)iSuppli公司，12月DRAM價(jià)格繼續(xù)下降，跌勢(shì)不止，經(jīng)過幾個(gè)月的大幅下滑，價(jià)格已降到年內(nèi)最低水平。12月10日，2GB DDR3 DRAM模組合同價(jià)格為21.00美元，比6月份的44.40美元下跌50%以上。不只DDR3價(jià)格下跌，DDR2同樣跌

消費(fèi)電子
2010-12-24

內(nèi)存 GB DDR3 DRAM
DRAM價(jià)格加速下滑也不能嚇阻廠商加大明年供貨

2009年第二季全球景氣在歷經(jīng)金融海嘯沖擊后自谷底逐季攀升，DRAM價(jià)格亦伴隨景氣回復(fù)同步自谷底走揚(yáng)。DIGITIMESResearch分析師柴煥欣說(shuō)明，2006年以來(lái)，包括臺(tái)、美、日等DRAM廠即因產(chǎn)品價(jià)格持續(xù)下跌而處于長(zhǎng)期虧損窘境

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2010-12-23

先進(jìn)制程 40納米 GB DRAM
美光第一財(cái)季凈利潤(rùn)1.55億美元同比下滑24%

北京時(shí)間12月23日消息，據(jù)國(guó)外媒體報(bào)道，美國(guó)最大的存儲(chǔ)芯片制造商美光科技周三發(fā)布了該公司2011財(cái)年第一財(cái)季財(cái)報(bào)。財(cái)報(bào)顯示，受芯片平均銷售價(jià)格下滑導(dǎo)致利潤(rùn)率下滑的影響，美光科技第一財(cái)季凈利潤(rùn)同比下滑24%。美光

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2010-12-23

美光美光科技內(nèi)存芯片 DRAM
2011年全球DRAM產(chǎn)能位成長(zhǎng)率達(dá)58.8%成長(zhǎng)幅度大于2010年49.4%

2009年第2季全球景氣在歷經(jīng)金融海嘯沖擊后自谷底逐季攀升，DRAM價(jià)格亦伴隨景氣回復(fù)同步自谷底走揚(yáng)。2006年以來(lái)，包括臺(tái)、美、日等DRAM廠即因DRAM價(jià)格持續(xù)下跌而處于長(zhǎng)期虧損窘境，在金融海嘯期間，更因不耐景氣嚴(yán)寒，

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2010-12-22

先進(jìn)制程 PC市場(chǎng) DRAM ELECTRONICS

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DRAM

臺(tái)灣DRAM廠：產(chǎn)業(yè)最大問題不在匯率而在售價(jià)

新應(yīng)用帶動(dòng)、節(jié)制擴(kuò)產(chǎn)　半導(dǎo)體產(chǎn)能無(wú)供過于求疑慮

DRAM封測(cè)制程沿革

記憶體封測(cè)廠12月營(yíng)收持穩(wěn)或小增　本季將下滑

施振榮稱臺(tái)灣面板業(yè)聯(lián)日抗韓是上上策

DRAM廠產(chǎn)能轉(zhuǎn)戰(zhàn)，類比IC廠成本可望下降

DRAM的五大趨勢(shì)

海力士導(dǎo)入30納米級(jí)DRAM制程

日臺(tái)芯片產(chǎn)業(yè)巨頭強(qiáng)強(qiáng)聯(lián)手打造聯(lián)盟

日臺(tái)半導(dǎo)體芯片產(chǎn)業(yè)巨頭強(qiáng)強(qiáng)聯(lián)手打造"日臺(tái)聯(lián)盟"

傳爾必達(dá)欲組控股公司　目標(biāo)臺(tái)日DRAM廠4合1整并

12寸產(chǎn)能吃緊臺(tái)積電買力晶廠地?cái)U(kuò)產(chǎn)

大陸IC設(shè)計(jì)享受政策扶植

DRAM沒賺頭拿封測(cè)廠開刀

擴(kuò)產(chǎn)能臺(tái)積電買力晶廠地

分析稱三星LED將繼面板及DRAM后再度超越臺(tái)灣

12月份DRAM價(jià)格繼續(xù)大幅下滑

DRAM價(jià)格加速下滑也不能嚇阻廠商加大明年供貨

美光第一財(cái)季凈利潤(rùn)1.55億美元同比下滑24%

2011年全球DRAM產(chǎn)能位成長(zhǎng)率達(dá)58.8%成長(zhǎng)幅度大于2010年49.4%

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