時序即將邁入年終之際,IC封測廠的營運表現(xiàn)也開始轉(zhuǎn)弱,11月的營收跌多漲少,其中表現(xiàn)較為逆勢的則有矽品(2325)、欣銓(3264)、菱生(2369),均較上月出現(xiàn)反升,而記憶體封測廠力成(6239)、華東(8110)、福懋科(8131)則
由微軟前CTO Nathan Myhrvold創(chuàng)辦的美國知識風(fēng)險公司,日前針對半導(dǎo)體專利侵權(quán)一案展開了多項行動,包括兩家內(nèi)存商及三家FPGA供應(yīng)商。美國知識風(fēng)險公司,成立于2000年,Myhrvold表示,公司已向特拉華州聯(lián)邦法院提交了多
據(jù)iSuppli公司,2010年上半年金士頓增強了在第三方DRAM模組市場中的統(tǒng)治地位,在模組成本上漲之際利用其強大的購買力擴大了市場份額。 2010年上半年金士頓的DRAM模組銷售額為26億美元,比2009年下半年勁增45.6%
封測業(yè)11月營收陸續(xù)出爐。整體來說,依舊以內(nèi)存封測業(yè)營收表現(xiàn)較佳,包括力成、福懋科和華東等單月實績?nèi)詣?chuàng)歷史新高紀(jì)錄。在邏輯IC封測業(yè)相對疲弱,日月光、京元電呈現(xiàn)下滑,硅格持平,硅品和欣銓逆勢微幅揚升。觀察
IBM公司系統(tǒng)與技術(shù)集團的首席技術(shù)官Jai Menon最近稱非易失性相變內(nèi)存(PCM)技術(shù)的芯片尺寸微縮能力將超越常規(guī)閃存芯片,并會在3-5年內(nèi)在服務(wù)器機型上投入實用。Menon稱IBM將繼續(xù)開發(fā)自有PCM技術(shù)專利,不過專利開發(fā)完
曾經(jīng)出現(xiàn)在芯片產(chǎn)業(yè)發(fā)展中的種種問題,正高懸于更多的新興行業(yè)之上,如何避免相同的問題被復(fù)制,更多地需要從產(chǎn)業(yè)扶持政策與體制中破解。芯片產(chǎn)業(yè)發(fā)展中的問題并非獨有。自2009年以來,新一輪以科技帶動的產(chǎn)業(yè)發(fā)展的
實驗動物獨立通氣籠盒(Individual Ventilated Cages,IVC)(閉環(huán))監(jiān)控系統(tǒng),由微控制器實現(xiàn)對籠盒風(fēng)扇的通氣量、籠盒內(nèi)部的氨含量等參數(shù)采集,并根據(jù)這些參數(shù)來調(diào)整通氣風(fēng)扇轉(zhuǎn)速,以調(diào)整籠盒的換氣率,從而確?;\盒內(nèi)
曾經(jīng)出現(xiàn)在芯片產(chǎn)業(yè)發(fā)展中的種種問題,正高懸于更多的新興行業(yè)之上,如何避免相同的問題被復(fù)制,更多地需要從產(chǎn)業(yè)扶持政策與體制中破解。芯片產(chǎn)業(yè)發(fā)展中的問題并非獨有。自2009年以來,新一輪以科技帶動的產(chǎn)業(yè)發(fā)展的
曾經(jīng)出現(xiàn)在芯片產(chǎn)業(yè)發(fā)展中的種種問題,正高懸于更多的新興行業(yè)之上,如何避免相同的問題被復(fù)制,更多地需要從產(chǎn)業(yè)扶持政策與體制中破解。芯片產(chǎn)業(yè)發(fā)展中的問題并非獨有。自2009年以來,新一輪以科技帶動的產(chǎn)業(yè)發(fā)展的
11月下旬DRAM合約價跌幅超過10%,讓市場籠罩在烏云密布的氣氛當(dāng)中,29日DDR3 eTT(Effectively Tested)報價單日再跌7%,1Gb DDR3報價摜破1.3美元;DRAM業(yè)者則表示,1Gb DDR3 eTT價格單日大跌超過7%,其實只是以補跌來
針對2011年半導(dǎo)體資本支出的趨勢,設(shè)備大廠應(yīng)用材料(Applied Materials)指出,2011年NAND Flash廠資本支出將大幅成長,幅度將勝過DRAM產(chǎn)業(yè),晶圓代工也仍然相當(dāng)強勁,預(yù)估整體半導(dǎo)體設(shè)備市場將有持平至5%的成長幅度。
按VLSI市場調(diào)研公司的最新報告,今年無論半導(dǎo)體以及設(shè)備業(yè)都達到歷史上輝煌的年份之一,由此也導(dǎo)致可能產(chǎn)能過剩及芯片價格下降。同時,該公司也更新了2011及2012年半導(dǎo)體及設(shè)備業(yè)的預(yù)測,為2011年半導(dǎo)體增長4.4%為24
美國應(yīng)用材料(AMAT)2010年11月30日宣布,為了重返硅蝕刻領(lǐng)域,開發(fā)出了新型蝕刻裝置“Centris AdvantEdge Mesa Etch”,并決定在12月舉行的“SEMICON Japan 2010”上展示。AMAT表示,在Si蝕刻領(lǐng)域的市場份額方面,
全球DRAM產(chǎn)業(yè)再度面臨二次崩盤潮的危機,雖然2010年上半年在供給不足的情況下,DRAM報價達到頂峰,但下半年卻意外遇上個人計算機(PC)產(chǎn)業(yè)旺季不旺,加上DRAM產(chǎn)業(yè)供給端大量產(chǎn)出,使得DRAM價格再度面臨崩盤窘境,時至
應(yīng)用材料11月30日宣布推出全新的 Centris™ AdvantEdge™ Mesa™刻蝕系統(tǒng),主要針對45nm以下存儲和邏輯芯片市場。結(jié)構(gòu)緊湊的Centris系統(tǒng)裝配了8個反應(yīng)腔,即6個刻蝕反應(yīng)腔和2個刻蝕后清潔腔,每小時可
根據(jù)分析師和市場研究人員表示,個人電腦中的主要存儲元件DRAM的價格在2011年將會呈現(xiàn)下滑的狀態(tài)。瑞士信貸投資銀行預(yù)測,2011年中期DRAM市場仍將供過于求,但2011年下半年將恢復(fù)。該公司表示,DRAM季度收入將可能在
南朝鮮軍事緊張關(guān)系對于DRAM報價激勵未產(chǎn)生實質(zhì)性的幫助,市場還是回到供需面看待DRAM市場未來的前景;在DRAM供給端產(chǎn)出都集中在下半年,但個人計算機(PC)需求卻旺季不旺下,DRAM合約價和現(xiàn)貨價都呈現(xiàn)加速趕底之姿,
南朝鮮軍事緊張關(guān)系對于DRAM報價激勵未產(chǎn)生實質(zhì)性的幫助,市場還是回到供需面看待DRAM市場未來的前景;在DRAM供給端產(chǎn)出都集中在下半年,但個人計算機(PC)需求卻旺季不旺下,DRAM合約價和現(xiàn)貨價都呈現(xiàn)加速趕底之姿,
南朝鮮軍事緊張情勢再度升高,由于韓國是全球存儲器DRAM和NANDFlash生產(chǎn)重鎮(zhèn),三星電子(SamsungElectronics)和海力士(Hynix)合計囊括全球超過60%市占率,NANDFlash則合計有超過50%市占,加上臺灣DRAM產(chǎn)業(yè)近2年來被韓
南朝鮮軍事緊張情勢再度升高,由于韓國是全球存儲器DRAM和NAND Flash生產(chǎn)重鎮(zhèn),三星電子(Samsung Electronics)和海力士(Hynix)合計囊括全球超過60%市占率,NAND Flash則合計有超過50%市占,加上臺灣DRAM產(chǎn)業(yè)近2年來被