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力晶明年資本支出160億新臺(tái)幣

臺(tái)系DRAM廠力晶宣布2011年的資本支出為新臺(tái)幣160億元，較2010年的資本支出200億元減少約20%;此外，之前被主管機(jī)關(guān)退件的上限8億股的海外存托憑證(GDR)申請案也將重新啟動(dòng);再者，力晶亦宣布將出售部分機(jī)臺(tái)設(shè)備給設(shè)備商

電子設(shè)計(jì)自動(dòng)化
2010-10-25

晶圓廠 DRAM 存儲(chǔ)器制程技術(shù)
力晶明年資本支出160億新臺(tái)幣擬售后租回機(jī)臺(tái)設(shè)備

臺(tái)系DRAM廠力晶宣布2011年的資本支出為新臺(tái)幣160億元，較2010年的資本支出200億元減少約20%；此外，之前被主管機(jī)關(guān)退件的上限8億股的海外存托憑證(GDR)申請案也將重新啟動(dòng)；再者，力晶亦宣布將出售部分機(jī)臺(tái)設(shè)備給設(shè)備

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2010-10-22

晶圓廠 DRAM 存儲(chǔ)器制程技術(shù)
明年量產(chǎn)20納米NAND Flash

海力士社長權(quán)五哲表示，自2010年8月投入量產(chǎn)的26納米64Gb NAND Flash目前出貨相當(dāng)順利。2011年中計(jì)劃量產(chǎn)20納米制程產(chǎn)品。海力士持續(xù)引領(lǐng)DRAM產(chǎn)品制程微縮趨勢，然而NAND Flash產(chǎn)品技術(shù)方面在過去1、2年落后其它競爭

消費(fèi)電子
2010-10-21

Flash 海力士 NAND DRAM
海力士擬明年量產(chǎn)20納米NAND Flash

韓國半導(dǎo)體廠海力士(Hynix)計(jì)劃2011年中以20納米制程量產(chǎn)NAND Flash。此20納米制程快閃存儲(chǔ)器可應(yīng)用于手機(jī)或平板計(jì)算機(jī)(Tablet PC)等裝置，相較26納米存儲(chǔ)器，晶圓(wafer)產(chǎn)出量提高約25%。海力士社長權(quán)五哲表示，自

智能硬件
2010-10-20

Flash 海力士 NAND DRAM
臺(tái)DRAM廠4Q面臨全虧危機(jī)

南亞科和華亞科20日將打頭陣召開法說，然力晶卻搶先公布第3季財(cái)報(bào)，稅后獲利19.36億元，若加計(jì)瑞晶獲利，第3季獲利可望逼近30億元；南亞科和華亞科則因?yàn)?0奈米制程轉(zhuǎn)換，產(chǎn)出不如預(yù)期，加上DDR3價(jià)格慢性崩盤，使得2

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2010-10-19

芯片 GB DDR3 DRAM
力晶前3季賺122億元笑傲DRAM廠

DRAM大廠力晶科技（5346）昨（18）日公布今年第3季不含轉(zhuǎn)投資瑞晶之自行結(jié)算財(cái)務(wù)報(bào)告，第3季營收達(dá)250.24億元，毛利率達(dá)17.35％，每股凈利達(dá)0.34元，而總結(jié)今年前3季營收達(dá)675.42億元，稅后凈利達(dá)122.39億元，每股凈

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2010-10-19

晶圓代工先進(jìn)制程 DDR3 DRAM
DRAM價(jià)格連跌5月　三星、海力士4Q營收不樂觀

DRAM內(nèi)存半導(dǎo)體價(jià)格跌勢持續(xù)第5個(gè)月，韓廠三星電子(SamsungElectronics)和海力士半導(dǎo)體(Hynix)等內(nèi)存公司2010年第4季將難避免營收惡化的危機(jī)。據(jù)內(nèi)存市場研究機(jī)構(gòu)DRAMeXchange統(tǒng)計(jì)，DRAM主要產(chǎn)品DDR3在10月上半時(shí)平均

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2010-10-19

半導(dǎo)體三星海力士 DRAM
海力士擬明年量產(chǎn)20奈米NANDFlash

南韓半導(dǎo)體廠海力士(Hynix)計(jì)劃2011年中以20奈米制程量產(chǎn)NANDFlash。此20奈米制程閃存可應(yīng)用于手機(jī)或平板計(jì)算機(jī)(TabletPC)等裝置，相較26奈米內(nèi)存，晶圓(wafer)產(chǎn)出量提高約25%。海力士社長權(quán)五哲表示，自2010年8月投

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2010-10-19

海力士 NI NANDFLASH DRAM
USB 3.0明年起飛，2012年是否將普及如現(xiàn)今USB 2.0

市場研究機(jī)構(gòu)DRAMeXchange認(rèn)為，隨著 USB 3.0 的應(yīng)用將在主控端(Host)與裝置端(Device)技術(shù)逐漸成熟，以及芯片與連接器等配套零件價(jià)格因競爭激烈而有效下滑，再加上處理器廠商Intel與AMD大力支持，該標(biāo)準(zhǔn)將在 2011年

消費(fèi)電子
2010-10-19

USB U盤 EXCHANGE DRAM
爾必達(dá)和夏普共同開發(fā)ReRAM填補(bǔ)DRAM與NAND閃存的性能差

新一代存儲(chǔ)器的大型共同開發(fā)項(xiàng)目即將在日本啟動(dòng)。爾必達(dá)存儲(chǔ)器、夏普、東京大學(xué)以及產(chǎn)業(yè)技術(shù)綜合研究所將聯(lián)手開發(fā)Gbit級(jí)可變電阻式存儲(chǔ)器（ReRAM）。此次開發(fā)將結(jié)合夏普擁有的可變電阻元件等材料技術(shù)和爾必達(dá)存儲(chǔ)器擁

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2010-10-18

爾必達(dá) 夏普 NAND閃存 DRAM
三星2011年半導(dǎo)體資本支出92億美元居全球業(yè)者之首

據(jù)外電報(bào)導(dǎo)，三星電子(SamsungElectronics)繼2010年對半導(dǎo)體進(jìn)行達(dá)96億美元的大規(guī)模資本額投資后，2011年也將持續(xù)投資92億美元發(fā)展半導(dǎo)體事業(yè)。三星連續(xù)2年在半導(dǎo)體投資額排名居世界之冠。三星2011年將優(yōu)先對華城廠1

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2010-10-18

半導(dǎo)體三星美光 DRAM
臺(tái)灣南亞科技兩工程師猝死月加班超100小時(shí)

（浩鈞）10月15日消息，據(jù)臺(tái)灣媒體報(bào)道，經(jīng)家屬最近向媒體投訴，臺(tái)灣南亞科技在今年1月份5天內(nèi)連續(xù)有兩名員工猝死，分別為29歲的工程師和38歲的課長。南亞科技成立于1995年3月4日，致力于DRAM（動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取內(nèi)

消費(fèi)電子
2010-10-18

半導(dǎo)體工程師內(nèi)存 DRAM
晶圓測試廠Q4能見度低

晶圓代工廠第3季產(chǎn)能利用率仍維持在滿載水位，但后段晶圓測試廠京元電（2449）、欣銓（3264）的8月及9月營收雖仍同步保持在高檔，但10月之后產(chǎn)能利用率已明顯滑落，主要原因是利基型DRAM及閃存等訂單突然喊卡。京元電

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2010-10-15

晶圓代工內(nèi)存晶圓 DRAM
景氣雖不明海力士仍持續(xù)投資30納米制程

雖然在經(jīng)濟(jì)前景不明的情況下，半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)景氣亦受到連帶影響，不過全球排名第2的半導(dǎo)體大廠海力士(Hynix)仍計(jì)劃對轉(zhuǎn)進(jìn)30納米制程持續(xù)加碼，以增加和三星電子(SamsungElectronics)、日本爾必達(dá)(Elpida)等大廠競爭的優(yōu)

半導(dǎo)體
2010-10-14

計(jì)算機(jī) 海力士 PC DRAM
景氣雖不明　海力士仍持續(xù)投資30納米制程

雖然在經(jīng)濟(jì)前景不明的情況下，半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)景氣亦受到連帶影響，不過全球排名第2的半導(dǎo)體大廠海力士(Hynix)仍計(jì)劃對轉(zhuǎn)進(jìn)30納米制程持續(xù)加碼，以增加和三星電子(Samsung Electronics)、日本爾必達(dá)(Elpida)等大廠競爭的優(yōu)

電子設(shè)計(jì)自動(dòng)化
2010-10-13

爾必達(dá) 海力士 PC DRAM
坂本幸雄踩剎車瑞晶擴(kuò)產(chǎn)計(jì)劃喊停

個(gè)人計(jì)算機(jī)(PC)需求不振連累DRAM價(jià)格重挫，爾必達(dá)(Elpida)社長坂本幸雄坦承將下修公司獲利目標(biāo)，同時(shí)在臺(tái)灣轉(zhuǎn)投資瑞晶R2廠的擴(kuò)產(chǎn)計(jì)劃也將踩剎車。2010年在3、4月DRAM大缺貨之際，爾必達(dá)內(nèi)部規(guī)劃廣邀PC客戶入股來協(xié)助

半導(dǎo)體
2010-10-12

爾必達(dá) PID PC市場 DRAM
英特爾和三星均看壞下半年景氣

下周又將進(jìn)入超級(jí)財(cái)報(bào)周了，最先登場的是半導(dǎo)體龍頭英特爾(Intel)，將在美國時(shí)間12日美股收盤后，發(fā)布該公司第3季的業(yè)績報(bào)告，不過，英特爾早在上個(gè)月示警，表示由于PC市場需求疲軟，導(dǎo)致第3季營收恐怕難達(dá)預(yù)期。無獨(dú)

半導(dǎo)體
2010-10-12

三星英特爾微處理器 DRAM
瑞晶擴(kuò)產(chǎn)計(jì)劃無奈擱淺

爾必達(dá)(Elpida)社長坂本幸雄坦承將下修公司獲利目標(biāo)，同時(shí)在臺(tái)灣轉(zhuǎn)投資瑞晶R2廠的擴(kuò)產(chǎn)計(jì)劃也將踩剎車。2010年在3、4月DRAM大缺貨之際，爾必達(dá)內(nèi)部規(guī)劃廣邀PC客戶入股來協(xié)助瑞晶擴(kuò)產(chǎn)，屆時(shí)將依照投資比重來分配DRAM貨

消費(fèi)電子
2010-10-12

爾必達(dá) PID PC市場 DRAM
英特爾和三星均不看好下半年景氣

下周又將進(jìn)入超級(jí)財(cái)報(bào)周了，最先登場的是半導(dǎo)體龍頭英特爾(Intel)，將在美國時(shí)間12日美股收盤后，發(fā)布該公司第3季的業(yè)績報(bào)告，不過，英特爾早在上個(gè)月示警，表示由于PC市場需求疲軟，導(dǎo)致第3季營收恐怕難達(dá)預(yù)期。

消費(fèi)電子
2010-10-12

三星英特爾微處理器 DRAM
美光多元化布局　不再獨(dú)鐘DRAM產(chǎn)品

美系存儲(chǔ)器大廠美光(Micron)交出連續(xù)4季獲利財(cái)報(bào)，美光近幾年多角化發(fā)展十分成功，目前DRAM營收比重有僅剩下25%，受到下半年標(biāo)準(zhǔn)型DRAM價(jià)格重挫的沖擊已大幅減少;然值得注意的是，與存儲(chǔ)器龍大廠三星電子(Samsung El

電子設(shè)計(jì)自動(dòng)化
2010-10-12

美光計(jì)算機(jī) DRAM 存儲(chǔ)器

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DRAM

力晶明年資本支出160億新臺(tái)幣

力晶明年資本支出160億新臺(tái)幣擬售后租回機(jī)臺(tái)設(shè)備

明年量產(chǎn)20納米NAND Flash

海力士擬明年量產(chǎn)20納米NAND Flash

臺(tái)DRAM廠4Q面臨全虧危機(jī)

力晶前3季賺122億元笑傲DRAM廠

DRAM價(jià)格連跌5月　三星、海力士4Q營收不樂觀

海力士擬明年量產(chǎn)20奈米NANDFlash

USB 3.0明年起飛，2012年是否將普及如現(xiàn)今USB 2.0

爾必達(dá)和夏普共同開發(fā)ReRAM填補(bǔ)DRAM與NAND閃存的性能差

三星2011年半導(dǎo)體資本支出92億美元居全球業(yè)者之首

臺(tái)灣南亞科技兩工程師猝死月加班超100小時(shí)

晶圓測試廠Q4能見度低

景氣雖不明海力士仍持續(xù)投資30納米制程

景氣雖不明　海力士仍持續(xù)投資30納米制程

坂本幸雄踩剎車瑞晶擴(kuò)產(chǎn)計(jì)劃喊停

英特爾和三星均看壞下半年景氣

瑞晶擴(kuò)產(chǎn)計(jì)劃無奈擱淺

英特爾和三星均不看好下半年景氣

美光多元化布局　不再獨(dú)鐘DRAM產(chǎn)品

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