DRAM

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內(nèi)存第4季景氣混沌　封測(cè)代工價(jià)下滑壓力增

隨著時(shí)序即將進(jìn)入第4季，各廠的封測(cè)代工價(jià)格陸續(xù)洽談中，但DRAM客戶因景氣因素，要求封測(cè)廠降價(jià)的壓力較前3季明顯，尤以臺(tái)廠降幅較大，幅度為2~3%左右。平均而言，第4季整體代工平均單價(jià)(ASP)降幅大于第3季。由于下

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2010-09-30

內(nèi)存 DRAM 驅(qū)動(dòng)IC PC
爾必達(dá)30納米制程DRAM邁入量產(chǎn)

日廠爾必達(dá)(Elpida)將自2010年12月開(kāi)始導(dǎo)入30納米前半制程量產(chǎn)DRAM，與同年7月早一步投入30納米前半制程DRAM量產(chǎn)的三星電子(SamsungElectronics)較勁。據(jù)悉，新的制程技術(shù)可撙節(jié)約30%的生產(chǎn)成本。爾必達(dá)另計(jì)劃2011年

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2010-09-30

晶圓爾必達(dá) 制程技術(shù) DRAM
IC產(chǎn)業(yè)紅色警報(bào) 9月市場(chǎng)已呈現(xiàn)弱勢(shì)

目前模擬、存儲(chǔ)器、PC芯片及其它，雖不能言己下降，但是己呈現(xiàn)季節(jié)性的弱勢(shì)。 VLSI的總裁Dan Hutcheson認(rèn)為在2010年初開(kāi)始熱了一陣之后，目前IC工業(yè)可能回復(fù)到正常的狀態(tài)。有人說(shuō)工業(yè)開(kāi)始減緩，停頓或者是可怕的

消費(fèi)電子
2010-09-29

NAND閃存 LSI IC產(chǎn)業(yè) DRAM
IC產(chǎn)業(yè)紅色警報(bào)9月市場(chǎng)已呈現(xiàn)弱勢(shì)

目前模擬、存儲(chǔ)器、PC芯片及其它，雖不能言己下降，但是己呈現(xiàn)季節(jié)性的弱勢(shì)。VLSI的總裁DanHutcheson認(rèn)為在2010年初開(kāi)始熱了一陣之后，目前IC工業(yè)可能回復(fù)到正常的狀態(tài)。有人說(shuō)工業(yè)開(kāi)始減緩，停頓或者是可怕的再次下

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2010-09-28

NAND閃存 LSI IC產(chǎn)業(yè) DRAM
IC產(chǎn)業(yè)紅色警報(bào) 9月市場(chǎng)已呈現(xiàn)弱勢(shì)

目前模擬、存儲(chǔ)器、PC芯片及其它，雖不能言己下降，但是己呈現(xiàn)季節(jié)性的弱勢(shì)。VLSI的總裁Dan Hutcheson認(rèn)為在2010年初開(kāi)始熱了一陣之后，目前IC工業(yè)可能回復(fù)到正常的狀態(tài)。有人說(shuō)工業(yè)開(kāi)始減緩，停頓或者是可怕的再次下

半導(dǎo)體
2010-09-28

NAND閃存 LSI IC產(chǎn)業(yè) DRAM
分析師：2010年后芯片市場(chǎng)將回歸正常

目前模擬、內(nèi)存與PC芯片等市場(chǎng)，似乎處于淡季狀態(tài)──如果不是真的衰退;那么，半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)究竟是正朝向成長(zhǎng)速度趨緩、停滯，抑或是又一次恐怖的衰退?對(duì)此市場(chǎng)研究機(jī)構(gòu)VLSI Research執(zhí)行長(zhǎng)G. Dan Hutcheson認(rèn)為，以上皆

電子設(shè)計(jì)自動(dòng)化
2010-09-28

芯片市場(chǎng) LSI RESEARCH DRAM
揮別激情2010，分析師：芯片將回歸正常

目前模擬、內(nèi)存與PC芯片等市場(chǎng)，似乎處于淡季狀態(tài)──如果不是真的衰退；那么，半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)究竟是正朝向成長(zhǎng)速度趨緩、停滯，抑或是又一次恐怖的衰退？對(duì)此市場(chǎng)研究機(jī)構(gòu)VLSI Research執(zhí)行長(zhǎng)G. Dan Hutcheson認(rèn)為，以上

半導(dǎo)體
2010-09-27

芯片 LSI RESEARCH DRAM
晶圓級(jí)封裝向大尺寸芯片發(fā)展

晶圓級(jí)封裝（WLP）技術(shù)正在穩(wěn)步向小芯片應(yīng)用繁衍。對(duì)大尺寸芯片應(yīng)用如DRAM和flash存儲(chǔ)器而言，批量生產(chǎn)前景還不明朗，但理想的WLP可靠性高，且能高頻運(yùn)行，有望改變這種大尺寸芯片無(wú)法應(yīng)用的現(xiàn)狀。WLP一般擁有良好的

消費(fèi)電子
2010-09-27

芯片晶圓封裝 DRAM
晶圓級(jí)封裝向大尺寸芯片發(fā)展

晶圓級(jí)封裝（WLP）技術(shù)正在穩(wěn)步向小芯片應(yīng)用繁衍。對(duì)大尺寸芯片應(yīng)用如DRAM和flash存儲(chǔ)器而言，批量生產(chǎn)前景還不明朗，但理想的WLP可靠性高，且能高頻運(yùn)行，有望改變這種大尺寸芯片無(wú)法應(yīng)用的現(xiàn)狀。WLP一般擁有良好的

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2010-09-26

芯片晶圓封裝 DRAM
三星35納米4Q出貨

三星電子(Samsung Electronics)制程微縮持續(xù)踩油門(mén)，繼46納米制程大量供貨，下世代35納米制程將在第4季試產(chǎn)，目標(biāo)2010年底占總產(chǎn)能達(dá)10%，由于從 35納米跳到46納米估計(jì)成本可再下降30%，屆時(shí)臺(tái)、韓DRAM之戰(zhàn)將形成以卵

消費(fèi)電子
2010-09-26

三星 GB DRAM PC
德意志銀行予半導(dǎo)體業(yè)買(mǎi)入評(píng)級(jí)2010年產(chǎn)業(yè)收入預(yù)計(jì)增長(zhǎng)16%

9月9日《半導(dǎo)體行業(yè)特別報(bào)告》出版，涉及項(xiàng)目包括有：庫(kù)存補(bǔ)充、企業(yè)升級(jí)周期、智能電話作為主要趨勢(shì)、移動(dòng)性長(zhǎng)期轉(zhuǎn)變、供應(yīng)鏈動(dòng)態(tài)、3G和4G的構(gòu)建。涉及企業(yè)包括有：AMD公司（AMD）、ARM集團(tuán)（ARMH）、AT&；T公司（T

半導(dǎo)體
2010-09-23

電腦 NAND閃存 DRAM
三星35納米4Q出擊臺(tái)DRAM廠以卵擊石

三星電子(SamsungElectronics)制程微縮持續(xù)踩油門(mén)，繼46納米制程大量供貨，下世代35納米制程將在第4季試產(chǎn)，目標(biāo)2010年底占總產(chǎn)能達(dá)10%，由于從35納米跳到46納米估計(jì)成本可再下降30%，屆時(shí)臺(tái)、韓DRAM之戰(zhàn)將形成以卵擊

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2010-09-21

三星 GB DRAM PC
DRAM價(jià)15天爆跌10%恐跌至2美元線

韓國(guó)電子時(shí)報(bào)報(bào)導(dǎo)，DRAM價(jià)格在15天內(nèi)暴跌10%，1GbDDR3價(jià)格恐將跌至2美元線。價(jià)格跌落幅度超過(guò)預(yù)測(cè)值，不只三星電子(SamsungElectronics)和海力士(Hynix)，設(shè)備業(yè)者也感到相當(dāng)緊張。據(jù)市調(diào)機(jī)構(gòu)DRAMeXange統(tǒng)計(jì)，1GbDDR

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2010-09-20

半導(dǎo)體海力士 DDR3 DRAM
DRAM價(jià)15天爆跌10%　恐跌至2美元線

韓國(guó)電子時(shí)報(bào)報(bào)導(dǎo)，DRAM價(jià)格在15天內(nèi)暴跌10%，1Gb DDR3價(jià)格恐將跌至2美元線。價(jià)格跌落幅度超過(guò)預(yù)測(cè)值，不只三星電子(Samsung Electronics)和海力士(Hynix)，設(shè)備業(yè)者也感到相當(dāng)緊張。據(jù)市調(diào)機(jī)構(gòu)DRAMeXange統(tǒng)計(jì)，1Gb

智能硬件
2010-09-20

半導(dǎo)體海力士 DDR3 DRAM
半導(dǎo)體業(yè)明年資本支出保守

設(shè)備業(yè)者表示，8月北美半導(dǎo)體設(shè)備訂單出貨比(B/B值)出現(xiàn)回調(diào)，已透露景氣高檔回調(diào)的走勢(shì)，礙于景氣暫時(shí)轉(zhuǎn)緩，國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體相關(guān)公司明年資本支出恐趨于保守。臺(tái)積電、聯(lián)電、日月光、硅品、力晶、南科、力成等半導(dǎo)體大廠

電子設(shè)計(jì)自動(dòng)化
2010-09-20

先進(jìn)制程臺(tái)積電 DRAM
德意志銀行予半導(dǎo)體業(yè)買(mǎi)入評(píng)級(jí) 今年料增長(zhǎng)16%

在9月9日出版的《半導(dǎo)體行業(yè)特別報(bào)告》為投資者及行業(yè)管理人員提供了及時(shí)的信息回顧。涉及項(xiàng)目包括有：庫(kù)存補(bǔ)充、企業(yè)升級(jí)周期、智能電話作為主要趨勢(shì)、移動(dòng)性長(zhǎng)期轉(zhuǎn)變、供應(yīng)鏈動(dòng)態(tài)、3G和4G的構(gòu)建。涉及企業(yè)包括有：

半導(dǎo)體
2010-09-17

電腦 NAND閃存 DRAM
德意志銀行予半導(dǎo)體業(yè)買(mǎi)入評(píng)級(jí) 2010年產(chǎn)業(yè)收入預(yù)計(jì)增長(zhǎng)16%

9月9日《半導(dǎo)體行業(yè)特別報(bào)告》出版，涉及項(xiàng)目包括有：庫(kù)存補(bǔ)充、企業(yè)升級(jí)周期、智能電話作為主要趨勢(shì)、移動(dòng)性長(zhǎng)期轉(zhuǎn)變、供應(yīng)鏈動(dòng)態(tài)、3G和4G的構(gòu)建。涉及企業(yè)包括有：AMD公司(AMD)、ARM 集團(tuán)(ARMH)、AT&;T公司(T)、Al

電子設(shè)計(jì)自動(dòng)化
2010-09-17

電腦 NAND閃存 DRAM
細(xì)分半導(dǎo)體設(shè)備市場(chǎng)

市場(chǎng)調(diào)查公司Gartner發(fā)布最新半導(dǎo)體設(shè)備市場(chǎng)預(yù)測(cè)，2010年增長(zhǎng)一倍以上，達(dá)122%，但是2011年及2012年分別僅增長(zhǎng)10%及7.4%，速度明顯的放慢。然而，有的公司看法更為悲觀，如巴克萊的CJ Muse，它對(duì)2011年的設(shè)備看法，

電子設(shè)計(jì)自動(dòng)化
2010-09-16

三星半導(dǎo)體設(shè)備 SE DRAM
DRAM廠求獲利，回頭大砍后段封測(cè)價(jià)

景氣復(fù)蘇情況未如預(yù)期，內(nèi)存產(chǎn)業(yè)近來(lái)開(kāi)始彌漫供過(guò)于求的利空氣氛，不論是DRAM以及Flash價(jià)格都未見(jiàn)到止跌。據(jù)悉，業(yè)界傳出，獲利表現(xiàn)較為不佳的 DRAM廠商為維持獲利，回頭砍后段封測(cè)廠的第四季的接單價(jià)格，跌幅落在

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2010-09-15

晶圓爾必達(dá) 封裝 DRAM
日?qǐng)A強(qiáng)升內(nèi)存廠更仰賴臺(tái)廠

日?qǐng)A兌美元匯率強(qiáng)勢(shì)升值，創(chuàng)近15年來(lái)新高;臺(tái)灣存儲(chǔ)器業(yè)者表示，日?qǐng)A走勢(shì)對(duì)日系廠商營(yíng)運(yùn)勢(shì)必產(chǎn)生壓力，未來(lái)將更仰賴臺(tái)灣合作伙伴。日本兩大半導(dǎo)體廠在全球市場(chǎng)占有舉止輕重的影響力，其中爾必達(dá)(Elpida)今年第2季在全

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2010-09-15

東芝爾必達(dá) 內(nèi)存 DRAM

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DRAM

內(nèi)存第4季景氣混沌　封測(cè)代工價(jià)下滑壓力增

爾必達(dá)30納米制程DRAM邁入量產(chǎn)

IC產(chǎn)業(yè)紅色警報(bào) 9月市場(chǎng)已呈現(xiàn)弱勢(shì)

IC產(chǎn)業(yè)紅色警報(bào)9月市場(chǎng)已呈現(xiàn)弱勢(shì)

IC產(chǎn)業(yè)紅色警報(bào) 9月市場(chǎng)已呈現(xiàn)弱勢(shì)

分析師：2010年后芯片市場(chǎng)將回歸正常

揮別激情2010，分析師：芯片將回歸正常

晶圓級(jí)封裝向大尺寸芯片發(fā)展

晶圓級(jí)封裝向大尺寸芯片發(fā)展

三星35納米4Q出貨

德意志銀行予半導(dǎo)體業(yè)買(mǎi)入評(píng)級(jí)2010年產(chǎn)業(yè)收入預(yù)計(jì)增長(zhǎng)16%

三星35納米4Q出擊臺(tái)DRAM廠以卵擊石

DRAM價(jià)15天爆跌10%恐跌至2美元線

DRAM價(jià)15天爆跌10%　恐跌至2美元線

半導(dǎo)體業(yè)明年資本支出保守

德意志銀行予半導(dǎo)體業(yè)買(mǎi)入評(píng)級(jí) 今年料增長(zhǎng)16%

德意志銀行予半導(dǎo)體業(yè)買(mǎi)入評(píng)級(jí) 2010年產(chǎn)業(yè)收入預(yù)計(jì)增長(zhǎng)16%

細(xì)分半導(dǎo)體設(shè)備市場(chǎng)

DRAM廠求獲利，回頭大砍后段封測(cè)價(jià)

日?qǐng)A強(qiáng)升內(nèi)存廠更仰賴臺(tái)廠

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