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三星已啟動(dòng)EUV 1ynm工藝的DRAM內(nèi)存芯片研發(fā) 最快2020年投產(chǎn)使用
EUV光刻目前被三星、臺(tái)積電、Intel等用于7nm工藝節(jié)點(diǎn)上，制造的普遍是AP(應(yīng)用處理器)。三星曾表示，7nm LPP工藝將在今年下半年量產(chǎn)，明年上半年推出首款可商用的邏輯芯片。
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如何玩轉(zhuǎn)DDR？要先從這五大關(guān)鍵技術(shù)下手
差分時(shí)鐘是DDR的一個(gè)重要且必要的設(shè)計(jì)，但大家對(duì)CK#（CKN）的作用認(rèn)識(shí)很少，很多人理解為第二個(gè)觸發(fā)時(shí)鐘，其實(shí)它的真實(shí)作用是起到觸發(fā)時(shí)鐘校準(zhǔn)的作用。
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美光：下一代1Y nm工藝DRAM正在驗(yàn)證中，暫不需要EUV光刻
三星是第一家量產(chǎn)18nm工藝，也就是第一個(gè)進(jìn)入1X nm節(jié)點(diǎn)的，遙遙領(lǐng)先其他公司，美光現(xiàn)在也開(kāi)始向1X nm工藝轉(zhuǎn)進(jìn)，下一代的1Y nm工藝已經(jīng)進(jìn)入客戶驗(yàn)證階段了，今年下半年問(wèn)世，1Z nm工藝節(jié)點(diǎn)在處于工藝優(yōu)化階段，1α及1β工藝則是在不同研發(fā)階段。
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2018年全球半導(dǎo)體超預(yù)期發(fā)展，資本支出將首度破千億美元大關(guān)
受惠于半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)仍處于循環(huán)周期高檔的因素，市場(chǎng)調(diào)查機(jī)構(gòu) IC insight 調(diào)查報(bào)告指出，2018 年全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的資本支出將首次突破千億美元大關(guān)。
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被動(dòng)元器件缺料漲價(jià)，代工廠在苦撐
被動(dòng)元器件自去年以來(lái)一直在漲價(jià)，截止目前漲價(jià)勢(shì)頭未見(jiàn)緩和。尤其是今年鋁電解電容的材料價(jià)格的上漲，以及環(huán)保政策使得原材料生產(chǎn)供應(yīng)減少，不少代工廠甚至面臨斷料危機(jī)，災(zāi)情慘烈。 受此影響，被動(dòng)元件廠商供貨愈發(fā)緊俏，部分產(chǎn)品供應(yīng)開(kāi)始傾向部分客戶。據(jù)供應(yīng)鏈廠商透露，近期，以國(guó)巨為代表的臺(tái)系被動(dòng)元件大廠不再宣布價(jià)格調(diào)漲幅度，而是采取個(gè)別客戶議價(jià)方式，有些規(guī)格產(chǎn)品加價(jià)幅度甚至高達(dá)7成，仍然供不應(yīng)求。
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2018一季度全球內(nèi)存市場(chǎng)“喜提”歷史新高
根據(jù) TrendForce 存儲(chǔ)器儲(chǔ)存研究(DRAMeXchange)調(diào)查顯示，2018 年第一季的 DRAM 價(jià)格走勢(shì)，除了繪圖用存儲(chǔ)器(graphic DRAM)受惠于基期較低以及虛擬挖礦(cryptocurrency)需求的增溫，帶動(dòng)價(jià)格有 15% 顯著上漲外，其余各應(yīng)用別的存儲(chǔ)器在第一季約有 3-6% 不等的季漲幅，今年第一季全球 DRAM 總營(yíng)收較 2017 年第四季成長(zhǎng) 5.4%，再創(chuàng)新高。
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DRAM產(chǎn)能不斷擴(kuò)大，美光有望趕超SK海力士成全球第2大存儲(chǔ)器廠
近期DRAM需求暢旺，價(jià)格持續(xù)上漲，銷售量不斷攀升。面對(duì)制造DRAM勢(shì)不可擋利潤(rùn)，芯片廠已將其視為肥肉，不斷擴(kuò)大DRAM產(chǎn)能，但全球DRAM三大廠商的競(jìng)爭(zhēng)仍有高低之分。
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三星控制全球三分之二DRAM市場(chǎng)，中國(guó)企業(yè)無(wú)法超越
前兩天，三星電子發(fā)布公告顯示，第一季度營(yíng)收為60.56萬(wàn)億韓元(約561億美元)，同比增長(zhǎng)19.8%;營(yíng)業(yè)利潤(rùn)為15.64萬(wàn)億韓元(約145億美元)，同比增長(zhǎng)58%。 而值得關(guān)注的是，在這15.64萬(wàn)億韓元的利潤(rùn)中，絕大部分來(lái)自于芯片業(yè)務(wù)，三星芯片業(yè)務(wù)第一季度實(shí)現(xiàn)營(yíng)業(yè)利潤(rùn)11.6萬(wàn)億韓元，達(dá)到手機(jī)業(yè)務(wù)的3倍。從這個(gè)角度來(lái)看，三星已經(jīng)不是傳統(tǒng)意義上人們認(rèn)識(shí)中的智能手機(jī)廠商，而是一家標(biāo)準(zhǔn)的半導(dǎo)體(芯片)企業(yè)。
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美光臺(tái)灣工廠今年導(dǎo)入先進(jìn)制程
臺(tái)灣是全球第三大存儲(chǔ)器廠商美光科技(Micron)重要的DRAM生產(chǎn)基地，該公司持續(xù)于臺(tái)中廠與桃園廠投資先進(jìn)制程，同時(shí)增聘人員。該公司從去年初至今年底，預(yù)計(jì)臺(tái)灣員工數(shù)將增加1,700人，成長(zhǎng)幅度約三成。
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矽品砸8.66億元新臺(tái)幣在福建建新廠
臺(tái)灣封測(cè)大廠矽品積極布局大陸福建，已砸下新臺(tái)幣8.66億元，著手廠房新建工程。
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中國(guó)崛起！中國(guó)首個(gè)自主研發(fā)的 DRAM 芯片有望于2018年底在合肥誕生
在近日于合肥舉辦的“國(guó)家集成電路重大專項(xiàng)走進(jìn)安徽活動(dòng)”中，長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)技術(shù)有限公司董事長(zhǎng)、睿力集成電路有限公司首席執(zhí)行官王寧國(guó)介紹了合肥長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)器項(xiàng)目的 5 年規(guī)劃：2018 年 1 月一廠廠房建設(shè)完成，并開(kāi)始設(shè)備安裝;2018 年底量產(chǎn) 8Gb DDR4 工程樣品;2019 年 3 季度量產(chǎn) 8Gb LPDDR4;2019 年底實(shí)現(xiàn)產(chǎn)能 2 萬(wàn)片/月;2020 年開(kāi)始規(guī)劃二廠建設(shè);2021 年完成 17 納米技術(shù)研發(fā)。王寧國(guó)表示，希望 2018 年底第一個(gè)中國(guó)自主研發(fā)的 DRAM 芯片能夠在合肥誕生。
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韓國(guó)央行表示半導(dǎo)體需求依舊熱絡(luò)，廠商應(yīng)重非存儲(chǔ)器市場(chǎng)
有史以來(lái)維持最大成長(zhǎng)周期的半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)，未來(lái)會(huì)再繼續(xù)成長(zhǎng)嗎?這答案恐怕是肯定的。因?yàn)椋枕n國(guó)央行在 8 日所發(fā)出的報(bào)告指稱，全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的強(qiáng)勁需求趨勢(shì)仍會(huì)持續(xù)一年，并且呼吁韓國(guó)本土的半導(dǎo)體制造商仍應(yīng)當(dāng)重點(diǎn)關(guān)注非存儲(chǔ)器產(chǎn)品的生產(chǎn)，以為未來(lái)的發(fā)展做好準(zhǔn)備。
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DRAM價(jià)格同比暴漲47%，手機(jī)廠商都開(kāi)始退縮了
根據(jù)市調(diào)機(jī)構(gòu)IC Insights最新研究顯示，在1978年至2012年的34年間，DRAM每位元(bit)價(jià)格平均每年下跌33%。然而，從2012年到2017年，DRAM平均每位元價(jià)格下跌僅為每年3%。此外，2017年全年DRAM價(jià)格漲幅達(dá)到47%，是自1978年以來(lái)最大的年度漲幅，超過(guò)了1988年30年前的45%漲幅。
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新增產(chǎn)能能不能跟上連續(xù)上漲的存儲(chǔ)器價(jià)格？
記憶體儲(chǔ)存研究(DRAMeXchange)指出，記憶體價(jià)格連漲六季，數(shù)家中國(guó)智慧機(jī)品牌不堪成本壓力，去年中國(guó)對(duì)三星半導(dǎo)體表達(dá)不滿，進(jìn)一步造成第1季行動(dòng)式記憶體漲幅收斂。
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新式DRAM存取技術(shù)倍增超頻性能
微處理器的頻率頻率可以透過(guò)許多方式大幅增加，但卻受限于主存儲(chǔ)器的性能而必須降低其頻率頻率來(lái)維持計(jì)算機(jī)系統(tǒng)的穩(wěn)定性。 本文透過(guò)對(duì)于靜態(tài)隨機(jī)存取內(nèi)存(SRAM)單元縮減布局面積的研究，提出一種新的存取技術(shù)，可望提升動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取內(nèi)存(DRAM)單元的訪問(wèn)速度。
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NAND Flash價(jià)格先降后升，DRAM則持續(xù)走高
2017 年，整體記憶體產(chǎn)業(yè)不論DRAM 或NAND Flash，都度過(guò)了一個(gè)黃金好年，那么2018 年可否持續(xù)榮景呢?
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有哪些低成本DRAM解決方案
DRAM正轉(zhuǎn)變?yōu)橘u方市場(chǎng)，也為DRAM廠商寫(xiě)下利潤(rùn)新高紀(jì)錄。就像石油危機(jī)一樣，在DRAM危機(jī)下，客戶必須為DRAM付出更多代價(jià)?，F(xiàn)在正是尋找低成本替代方案的時(shí)候了!
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三星電子有望在今年成為全球最大半導(dǎo)體銷售商
三星電子有望在今年成為全球最大半導(dǎo)體銷售商。飆升的存儲(chǔ)芯片需求正推動(dòng)三星超越英特爾公司，后者已經(jīng)把持年芯片收入第一的位置長(zhǎng)達(dá)25年時(shí)間。
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次世代內(nèi)存為何成為先進(jìn)SoC設(shè)計(jì)的主流
經(jīng)過(guò)十多年的沉潛，次世代內(nèi)存的產(chǎn)品，包含F(xiàn)RAM(鐵電內(nèi)存)，MRAM(磁阻式隨機(jī)存取內(nèi)存)和RRAM(可變電阻式內(nèi)存)，在物聯(lián)網(wǎng)與智能應(yīng)用的推動(dòng)下，開(kāi)始找到利基市場(chǎng)。
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三星量產(chǎn)全球最小DDR4內(nèi)存芯片 速度提升10%
據(jù)報(bào)道，三星電子宣布，公司已開(kāi)始通過(guò)第二代10納米級(jí)制程工藝量產(chǎn)DRAM內(nèi)存芯片。
