三星電子的韓國華城廠(Hwaseong),即將擴產(chǎn)的傳聞延燒許久。最新消息顯示,三星決定投資 3 萬億韓元(約 26.4 億美元)提升 DRAM 產(chǎn)能。不過由于未來 11 線不再生產(chǎn) DRAM,產(chǎn)
三星挾帶存儲器產(chǎn)業(yè)龍頭優(yōu)勢,本季營收可望超越英特爾而榮登半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)王座,證明了后PC時代的到來,隨著移動產(chǎn)業(yè)、物聯(lián)網(wǎng)及智能汽車產(chǎn)業(yè)興起,讓原先并未擴產(chǎn)的存儲器產(chǎn)業(yè)成為炙手可熱的領(lǐng)域,也使得三星更加壯大。
三星挾帶存儲器產(chǎn)業(yè)龍頭優(yōu)勢,本季營收可望超越英特爾而榮登半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)王座,證明了后PC時代的到來,隨著移動產(chǎn)業(yè)、物聯(lián)網(wǎng)及智能汽車產(chǎn)業(yè)興起,讓原先并未擴產(chǎn)的存儲器產(chǎn)業(yè)
半導(dǎo)體業(yè)務(wù)正為三星電子創(chuàng)造源源不斷的利潤,但是該公司在40多年前進軍芯片行業(yè)時并非一帆風(fēng)順。
OFweek電子工程網(wǎng)訊 垂直分層閘流體(Vertical Layered Thyristor;VLT),是Kilopass研發(fā)出的新型內(nèi)存單元,能夠顯著降低動態(tài)隨機存取內(nèi)存(DRAM)的成本和復(fù)雜性。這是一種靜
力晶集團執(zhí)行長黃崇仁表示,第五代行動通訊(5G)快速興起,將啟動大量影像傳輸需求,加上汽車電子及云端服務(wù)器快速成長,將開啟另一波內(nèi)存(DRAM和Flash)強勁需求,但供給端都遭遇程技術(shù)瓶頸,預(yù)料明年DRAM還是會缺貨。
Gartner 表示,在 NAND Flash 方面 2017 年第 2 季將會開始呈現(xiàn)反轉(zhuǎn),使得全球 NAND Flash 和 SSD 的價格會在 2018 年出現(xiàn)明顯下滑,并在 2019 年重新陷入一個相對低點。
近日,美國一支從新加坡起航的航母戰(zhàn)斗群引發(fā)全球關(guān)注。據(jù)悉,該航母群原先準(zhǔn)備前往澳大利亞,后突然掉頭向朝鮮半島駛進,引人遐想。
Direct Rambus DRAM的信號連接關(guān)系如圖所示。與DDR-SDRAM最大的不同在于信號線是漏極開路輸出以及時鐘是以連續(xù)不斷的方式往復(fù)的。 圖 Direct Rambus DRAM的信號連接關(guān)系
平面DRAM是內(nèi)存單元數(shù)組與內(nèi)存邏輯電路分占兩側(cè),3D Super-DRAM則是將內(nèi)存單元數(shù)組堆棧在內(nèi)存邏輯電路的上方,因此裸晶尺寸會變得比較小,每片晶圓的裸晶產(chǎn)出量也會更多;這意味著3D Super-DRAM的成本可以低于平面DRAM。
PCB有“電子產(chǎn)品之母”之稱,面對諸多關(guān)鍵材料銅箔基板、銅箔等報價持續(xù)走高,業(yè)界盛傳,硬板大廠今年罕見在淡季提高報價,外傳漲幅逾三成不等。
美光昨日以新臺幣27.52億元標(biāo)下TPK-KY宸鴻轉(zhuǎn)投資公司達鴻臺中廠房。美光表示,標(biāo)下的臺中廠房未來將用于DRAM先進封測技術(shù)發(fā)展,與美光中科及華亞科廠房進行資源整合,打造中國臺灣地區(qū)DRAM中心。
自Galaxy Note 7 電池爆炸事件與管理層級涉及行賄被起訴后,三星近日又被傳出其產(chǎn)業(yè)重心記憶體模組產(chǎn)品良率出問題需緊急召回,由于三星于 PC DRAM 市占過半,這次良率出問題除了可能讓三星集團的處境雪上加霜外,也會讓價格已上揚的 PC DRAM 價格再度飆高。
回顧去年,不難發(fā)現(xiàn),存儲器行業(yè)大熱,一直都呈現(xiàn)為上升的趨勢,如果說去年買什么IT產(chǎn)品最賺錢,相信大部分人都會第一時間想到內(nèi)存,沒錯,這兩年時間,內(nèi)存翻了一番都不止,早在去年的下半年,就已經(jīng)有消息傳出今年Q1內(nèi)存還會再漲15%左右,事實果然沒有讓大家失望,只開年一個月時間,內(nèi)存果然再次飆升18%,現(xiàn)在的DRAM內(nèi)存顆粒市場現(xiàn)貨價格已經(jīng)達到最近18個月以來的最高值,漲漲漲的趨勢依然在繼續(xù)。
內(nèi)存和SSD從去年中旬到今年連續(xù)漲價,最夸張的局面是,一塊SATA 3的固態(tài)盤,如今甚至要多花一倍的錢。
TrendForce 內(nèi)存儲存研究(DRAMeXchange)最新研究顯示,在旺季需求帶動, 以及內(nèi)存價格全面飆漲的態(tài)勢下, 2016 年第四季全球 DRAM 總體營收大幅季成長約 18.2%。
不久前 Sony 才發(fā)布了一款比米粒還小的微型感光元件,近日則進一步發(fā)布拍攝幀率可達 1,000fps 的超高速 CMOS 感光元件,可見近期 Sony 在感光元件的研發(fā)上已不局限于傳統(tǒng)的畫質(zhì)、感光度等需求,而是往更多面向在研發(fā)新的感光元件科技。
近年來,企業(yè)加速整合并購,有一些企業(yè)也自我斷臂修整,以讓關(guān)鍵業(yè)務(wù)盈利能力更強,由于經(jīng)濟效益不明顯,美光計劃出售Nor Flash業(yè)務(wù),全力發(fā)展 DRAM 及 NAND FLASH 。 根據(jù)
存儲器產(chǎn)品主要包括DRAM內(nèi)存和FLASH閃存。從歷史發(fā)展經(jīng)驗來看,存儲器產(chǎn)業(yè)是一個周期波動的產(chǎn)業(yè),同時也是一個高度壟斷和高風(fēng)險的產(chǎn)業(yè)。2016年12月底總投資240億美元的長江存儲國家存儲器基地正式開工建設(shè),同時福建晉華和合肥長芯等存儲器項目也正在積極籌備和建設(shè)當(dāng)中。
專業(yè)存儲調(diào)研機構(gòu)集邦科技(DRAMeXchange)的數(shù)據(jù)顯示,DRAM內(nèi)存顆粒的市場現(xiàn)貨價格已經(jīng)達到最近18個月以來的最高值,漲漲漲的趨勢依然在繼續(xù)...