最近幾年存儲(chǔ)器市場(chǎng)大熱,儲(chǔ)存型快閃存儲(chǔ)、DARM在淡季爆出“大冷門(mén)”,飆出歷年最大漲幅后,編碼型快閃存儲(chǔ)也緊隨其后,在蟄伏4年后,首次漲價(jià),首季調(diào)漲5~7%不等,下季漲幅更大,估計(jì)會(huì)超過(guò)10%。
2016年DRAM市場(chǎng)情況可謂是“跌宕起伏”,上半年需求不振,持續(xù)跌價(jià),第三季后,在中國(guó)智慧行手機(jī)出貨多,筆電出貨回溫的前提下,DRAM的平均銷(xiāo)售單價(jià)開(kāi)始大幅度上揚(yáng)。
長(zhǎng)江存儲(chǔ)成立后,大陸在這個(gè)階段于半導(dǎo)體的宏觀布局重新成形。但是為什么挑由存儲(chǔ)器入手?這是個(gè)關(guān)鍵選擇。尤其是在臺(tái)灣的 DRAM 產(chǎn)業(yè)甫因規(guī)模經(jīng)濟(jì)不足導(dǎo)致研發(fā)無(wú)法完全自主而緩緩淡出之際,這樣的選擇需要一番辯證。進(jìn)口替代當(dāng)然是原因之一,但不是全部。
據(jù)知名爆料人士的消息,三星已與奧迪簽訂合同,將從2018年開(kāi)始供應(yīng)Exynos處理器,這是三星移動(dòng)AP首次進(jìn)軍汽車(chē)領(lǐng)域。
2016 年 DRAM 產(chǎn)業(yè)市況轉(zhuǎn)折相當(dāng)大,歷經(jīng)上半年需求不振,持續(xù)跌價(jià)的態(tài)勢(shì),至第三季后,才在中國(guó)智能手機(jī)出貨暢旺、筆電出貨回溫下,DRAM 的平均銷(xiāo)售單價(jià)開(kāi)始大幅上揚(yáng)。展望未來(lái),TrendForce 旗下內(nèi)存儲(chǔ)存事業(yè)處 DRAMeXchange 預(yù)估,2017 年整體 DRAM 供給位成長(zhǎng)將小于 20%,為歷年來(lái)最低,在需求面沒(méi)有明顯轉(zhuǎn)弱的前提下,預(yù)估全年度 DRAM 供給成長(zhǎng)將小于需求成長(zhǎng),可望帶動(dòng) DRAM 價(jià)格持續(xù)攀高,維持供應(yīng)商全面獲利的狀態(tài)。
DRAM的結(jié)構(gòu)可謂是簡(jiǎn)單高效,每一個(gè)bit只需要一個(gè)晶體管另加一個(gè)電容。但是電容不可避免的存在漏電現(xiàn)象,如果電荷不足會(huì)導(dǎo)致數(shù)據(jù)出錯(cuò),因此電容必須被周期性的刷新,這也是DRAM的一大特點(diǎn)。而且電容的充放電需要一個(gè)過(guò)
半導(dǎo)體嵌入式非易失性存儲(chǔ)器(eNVM)知識(shí)產(chǎn)權(quán)(IP)產(chǎn)品領(lǐng)先提供商Kilopass Technology, Inc.今日宣布:推出其革命性的垂直分層晶閘管(Vertical Layered Thyristor, VLT)技術(shù),進(jìn)而顛覆全球DRAM市場(chǎng)。VLT存儲(chǔ)單元在201
最近幾年半導(dǎo)體行業(yè)可謂是風(fēng)云變幻,并購(gòu)案一波未平一波又起。美光本來(lái)應(yīng)該在2016年7月底完成對(duì)華亞科的收購(gòu),但卻宣布無(wú)法在預(yù)定時(shí)間內(nèi)完成收購(gòu),一時(shí)讓市場(chǎng)紛紛猜測(cè)美光收購(gòu)華亞科項(xiàng)目恐生變數(shù)。
伴隨第三季強(qiáng)勁的旺季備貨需求到來(lái),DRAMeXchange預(yù)估第三季全球DRAM總營(yíng)收將出現(xiàn)較顯著的增長(zhǎng)。第二季筆記本電腦及服務(wù)器相關(guān)產(chǎn)品出貨動(dòng)能表現(xiàn)一般,因此DRAM三大廠也同步調(diào)整產(chǎn)品類(lèi)別,持續(xù)向行動(dòng)式內(nèi)存轉(zhuǎn)進(jìn)。
目前全球DRAM市場(chǎng)主要由三星、SK海力士和美光所壟斷,三家企業(yè)占有超過(guò)九成的市場(chǎng)份額,不過(guò)份額正在往三星和SK海力士?jī)杉翼n國(guó)企業(yè)集中,而美光的市場(chǎng)份額出現(xiàn)下降勢(shì)頭。不禁讓業(yè)界為其擔(dān)憂。
展望營(yíng)運(yùn)后市,南亞科指出,受惠旺季效應(yīng),記憶體需求將增溫,價(jià)格走穩(wěn),三大廠減少標(biāo)準(zhǔn)型DRAM產(chǎn)品轉(zhuǎn)向生產(chǎn)儲(chǔ)存型快閃記憶體,整體DRAM供給減少,相較上半年,下半年DRAM市況穩(wěn)定并好轉(zhuǎn)。
問(wèn)題1:什么是DRAM、SRAM、SDRAM?答:名詞解釋如下DRAM--------動(dòng)態(tài)隨即存取器,需要不斷的刷新,才能保存數(shù)據(jù),而且是行列地址復(fù)用的,許多都有頁(yè)模式SRAM--------靜態(tài)的隨
長(zhǎng)久以來(lái),半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的“健康狀況”與全球經(jīng)濟(jì)成長(zhǎng)息息相關(guān),很少有強(qiáng)大的半導(dǎo)體市場(chǎng),沒(méi)有好的世界經(jīng)濟(jì)在背后支撐它。在七月推出的2016年McClean報(bào)告中,市調(diào)機(jī)構(gòu)ICInsights預(yù)測(cè),今年全球GDP成長(zhǎng)率僅2.3%,低于全球不景氣門(mén)檻(RecessionThreshold)的2.5%...
行業(yè)專(zhuān)家認(rèn)為,對(duì)于一個(gè)典型的大型數(shù)據(jù)中心而言,其50億美元成本的80%左右會(huì)用在設(shè)備的機(jī)械和電子基礎(chǔ)設(shè)施上。對(duì)于數(shù)據(jù)中心服務(wù)器,高功率密度的原因之一在于存儲(chǔ)器子系統(tǒng)。
三星電子近日宣布,已經(jīng)在全球范圍內(nèi)第一家實(shí)現(xiàn)了10nm級(jí)別工藝DDR4 DRAM內(nèi)存顆粒的量產(chǎn),也是繼2014年首個(gè)量產(chǎn)20nm DDR3內(nèi)存顆粒后的又一壯舉。
不論是NAND閃存還是DRAM內(nèi)存領(lǐng)域,韓國(guó)兩家公司三星、SK Hynix總算還能保住吃香喝辣的日子,但美國(guó)的美光公司這兩年就沒(méi)啥舒服日子了,技術(shù)、產(chǎn)能都落后友商,偏偏現(xiàn)在又遇
三星電子(Samsung Electronics)開(kāi)始量產(chǎn)18納米DRAM,成本將可比目前的20納米再低20~30%左右。由于SK海力士(Sk Hynix)、美光(Micron)等業(yè)者的DRAM制程都還停留在20納米以上世
大陸記憶體業(yè)新秀武漢新芯廿八日將舉行旗下首座十二寸DRAM廠建廠動(dòng)工儀式。武漢新芯挾官方資金與國(guó)家集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展基金(大基金)支持,向全球宣示大陸建立自主記憶體技術(shù)與制造的決心。這是繼紫光集團(tuán)進(jìn)軍記憶體領(lǐng)
中國(guó)正集中精力發(fā)展國(guó)內(nèi)的存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè),但是與領(lǐng)先水平之間的競(jìng)爭(zhēng)之路不會(huì)平坦(尤其是DRAM)。我們認(rèn)為存儲(chǔ)技術(shù)的獲得及制造發(fā)展是DRAM行業(yè)新進(jìn)入者所面臨的主要挑戰(zhàn)。 預(yù)計(jì)新進(jìn)入者至少需要2-3年時(shí)間開(kāi)發(fā)并量產(chǎn)具有領(lǐng)
DRAM記憶體元月份報(bào)價(jià)持續(xù)走跌,預(yù)告三星、SK海力士等南韓半導(dǎo)體廠今年路途恐不平順。TrendForce旗下記憶體儲(chǔ)存事業(yè)處DRAMeXchange周二公布數(shù)據(jù)顯示,4GB DDR3記憶體模組合