美光NAND和NOR閃存多芯片封裝(MCP)解決方案讓狹小空間應用具備高級功能美光科技有限公司(Micron Technology, Inc. 納斯達克股票代碼:MU)今天推出了業(yè)界最全面的嵌入式多芯
21ic嵌入式訊 全球領先的半導體解決方案提供商美光科技有限公司(Micron Technology, Inc. 納斯達克股票代碼:MU)今天推出了業(yè)界最全面的嵌入式多芯片封裝產品組合,涵蓋多種
主攻個人計算機市場的標準型動態(tài)隨機存取存儲器(DRAM)近期呈現(xiàn)強勁的拉貨力道,本月價格可望強彈;應用行動裝置的儲存型快閃存儲器(NAND Flash)因補貨需求落空,價格看跌。
從今年DRAM庫存指數(shù)上,可以看出,DRAM市場正在穩(wěn)步增長。今年第一季度,DRAM庫存指數(shù)降至11.6周,比2011年第四季度的12.1周下降4%,如圖3所示。這是自去年第四季度該指數(shù)升
3月30日消息,據(jù)路透社報道,美國內存芯片制造商美光科技周四晚稱已經就內存芯片價格案與軟件巨頭甲骨文公司達成和解協(xié)議。據(jù)悉,甲骨文此前對美光科技提起訴訟,指控美光科
據(jù)業(yè)界人士表示,美光將會成功收購困難重重的爾必達(Elpida)。爾必達困難重重,想收購它的廠家卻是躍躍欲試。據(jù)悉,東芝和Globalfoundries都參與了競購。但是美光似乎在這宗
近日消息,國際研究機構Gartner表示,2014年全球半導體資本支出總金額預計將達645億美元,較去(2013)年的578億美元增加11.4%;另由于記憶體平均售價上揚,加以消費產品需求增加,全年度資本度設備支出將年成長17.1%。
三星電子今日宣布已開始量產全球首款20納米8Gb DDR4企業(yè)級服務器用DRAM。今年下半年適用于DDR4的服務器中央處理器已經上市,此時量產該款DRAM產品將推動高端服務器市場從DDR3向DDR4的轉換。基于20納米8Gb DDR4的服
2012 年 4 月 11 日–Invensas Corporation 是半導體技術解決方案的領先供應商,也是 Tessera Technologies, Inc.(納斯達克:TSRA)的全資子公司,現(xiàn)推出面向輕薄筆記
80C186XL16位嵌入式微處理器是Intel公司在嵌入式微處理器市場的上導產品之一,已廣泛應用于電腦終端、程控交換和工控等領域。在該嵌入式微處理器片內,集成有DRAM RCU單元,即DRAM刷新控制單元。RCU單元可以自動產
主攻個人計算機市場的標準型動態(tài)隨機存取存儲器(DRAM)近期呈現(xiàn)強勁的拉貨力道,本月價格可望強彈;應用行動裝置的儲存型快閃存儲器(NAND Flash)因補貨需求落空,價格看跌。
根據(jù)國外媒體報道,作為蘋果的重要合作伙伴同時也是競爭對手,三星再一次回歸蘋果下一代iPhone的零件供應商名單。韓國電子巨頭據(jù)傳將會為iPhone 6提供動態(tài)隨機訪問存儲器組件。從iPhone 5到iPhone 5s,蘋果老對手三
爾必達這只瘦死的駱駝,雖然在DRAM市場的占有率仍然位列前三,但自2月份爾必達宣告破產以來,DRAM市場的波動明顯減弱,與其長期趨勢不符。雖上月曾有傳聞稱蘋果為爾必達加碼
歷經六年的開發(fā)時間,DDR4終于踏上征程,揚帆起航。近日英特爾服務器處理器Xeon E5-2600系列,正式推出采用Haswell新運算架構的第三代產品Xeon E5-2600 v3,開始支持時鐘頻
近日,國際研究暨顧問機構 Gartner發(fā)布最新預測稱,2014年全球半導體銷售業(yè)績將達3,380億美元,高于上一季所預測的6.7%,較2013年成長了7.2%。 Gartner研究總監(jiān)Jon Erensen表示:“受惠于美國節(jié)慶旺季(holiday
爾必達破產勢必推升DRAM價格和營業(yè)收入據(jù)IHS iSuppli公司的內存與存儲研究報告,日本爾必達本周申請破產保護,將有利于DRAM市場中剩余的其它廠商,因為此舉將導致今年下半
80C186XL16位嵌入式微處理器是Intel公司在嵌入式微處理器市場的上導產品之一,已廣泛應用于電腦終端、程控交換和工控等領域。在該嵌入式微處理器片內,集成有DRAM RCU單元,即DRAM刷新控制單元。RCU單元可以自動產生
三星電子(SamsungElectronics)在稍早正式量產20奈米MobileDRAM,將有望幫助三星提高生產力以及成本競爭力。尤其在競爭對手們仍停留在20奈米中段制程的情況下,隨著三星在20奈米時代下畫上句點,分析認為,三星將有望
三星電子在稍早正式量產20納米Mobile DRAM,此舉有望拉開與競爭對手的技術差距。(SK海力士(SK Hynix)預計在下半年正式量產20納米中段制程產品,恐怕要等到2015年才有望能成功研發(fā)20納米產品)尤其在競爭對手們仍停留
北京時間2月16日消息,據(jù)國外媒體報道,據(jù)集邦科技(TrendForce)旗下的行業(yè)研究部門DRAMeXchange稱,日本政府也許不會出手援救爾必達,那就會將DRAM半導體市場推向寡頭壟斷。