磁阻式隨機(jī)存取記憶體(MRAM)或許在許多應(yīng)用領(lǐng)域有取代DRAM與SRAM的潛力,但就連市場上唯一家生產(chǎn)這種非揮發(fā)性記憶體的供應(yīng)商都認(rèn)為,這種取代的過程得花上好一段時(shí)間。一份來自資料儲(chǔ)存產(chǎn)業(yè)顧問機(jī)構(gòu)CoughlinAssociat
三星電子(SamsungElectronics)投入總金額12兆韓元(約108.36億美元)于京畿道華城市增設(shè)的半導(dǎo)體廠,決定將先提供閃存(NANDFlash)量產(chǎn)使用。據(jù)南韓電子新聞報(bào)導(dǎo),三星預(yù)計(jì)于2
日系存儲(chǔ)器大廠爾必達(dá)(Elpida)雖然預(yù)期2010年第2季(7~9月)財(cái)報(bào)較2009年同期大幅增加,但相較上季卻是明顯縮水,主要還是受到個(gè)人計(jì)算機(jī)(PC)市場需求不振的影響,未來爾必達(dá)
DRAM拉貨潮啟動(dòng),加上芯片廠制程推進(jìn)受阻,主流DDR34Gb顆?,F(xiàn)貨報(bào)價(jià)攀上4.35美元,創(chuàng)近一年半新高價(jià),本季漲幅近二成,有機(jī)會(huì)向歷史新高4.6美元邁進(jìn),華亞科、南科將成為大贏家。DRAM市調(diào)機(jī)構(gòu)集邦科技表示,本季DRAM
不同于系統(tǒng)半導(dǎo)體、NAND Flash已展開10納米時(shí)代,DRAM無法輕易突破10納米的高墻。雖然四重曝光(Quadruple patterning;QPT)技術(shù),有利DRAM的先進(jìn)制程轉(zhuǎn)換,但電容器制程問題是一大難題,由于采用新材料將直接影響生產(chǎn)
不同于系統(tǒng)半導(dǎo)體、NAND Flash已展開10納米時(shí)代,DRAM無法輕易突破10納米的高墻。雖然四重曝光(Quadruple patterning;QPT)技術(shù),有利DRAM的先進(jìn)制程轉(zhuǎn)換,但電容器制程問題是一大難題,由于采用新材料將直接影響生產(chǎn)
市場研究機(jī)構(gòu)TrendForce旗下內(nèi)存儲(chǔ)存事業(yè)處DRAMeXchange最新調(diào)查顯示,NAND Flash供貨商為了追求利潤極大化,開始重新配置產(chǎn)能,透過縮減通路供給量來滿足系統(tǒng)OEM客戶訂單需求,帶動(dòng)6月下旬NAND Flash顆粒合約價(jià)上漲
全球市場研究機(jī)構(gòu)TrendForce旗下存儲(chǔ)器儲(chǔ)存事業(yè)處DRAMeXchange最新調(diào)查顯示,NAND Flash供應(yīng)商為了追求利潤極大化,開始重新配置產(chǎn)能,透過縮減通路供給量來滿足系統(tǒng)EM客戶訂單需求,帶動(dòng)6月下旬NAND Flash顆粒合約價(jià)
全球市場研究機(jī)構(gòu)TrendForce旗下記憶體儲(chǔ)存事業(yè)處DRAMeXchange最新報(bào)價(jià)顯示,6月下旬合約價(jià)持平,4GB均價(jià)為30.5美元,換算顆粒價(jià)格約為3.5美元,與現(xiàn)貨價(jià)格(DDR3 4Gb 512M
磁阻式隨機(jī)存取記憶體(MRAM)或許在許多應(yīng)用領(lǐng)域有取代 DRAM 與 SRAM 的潛力,但就連市場上唯一家生產(chǎn)這種非揮發(fā)性記憶體的供應(yīng)商都認(rèn)為,這種取代的過程得花上好一段時(shí)間。
1 引言FIFO(First In First Out)是一種具有先進(jìn)先出存儲(chǔ)功能的部件。在高速數(shù)字系統(tǒng)當(dāng)中通常用作數(shù)據(jù)緩存。在高速數(shù)據(jù)采集、傳輸和實(shí)時(shí)顯示控制領(lǐng)域中.往往需要對(duì)大量數(shù)據(jù)進(jìn)行快速存儲(chǔ)和讀取,而這種先進(jìn)先出的結(jié)構(gòu)
根據(jù)TRI觀察,2014上半年臺(tái)灣IC設(shè)計(jì)產(chǎn)業(yè)受惠于中國大陸與新興市場智慧手機(jī)需求旺盛、4K2K電視滲透率上升、世足賽帶來LCDTV需求等三大因素,拉動(dòng)了智慧手機(jī)晶片、驅(qū)動(dòng)IC及電視SoC晶片之營收持續(xù)高漲,形成半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)少
排名在三星(Samsung)、海力士(Hynix)之后的全球第三大DRAM廠爾必達(dá)(Elpida Memory),正考慮收購臺(tái)灣DRAM同業(yè)以鞏固自身市場地位?彭博社(Bloomberg)的一篇報(bào)導(dǎo)指出,由臺(tái)灣
美系存儲(chǔ)器大廠美光(Micron)交出連續(xù)4季獲利財(cái)報(bào),美光近幾年多角化發(fā)展十分成功,目前DRAM營收比重有僅剩下25%,受到下半年標(biāo)準(zhǔn)型DRAM價(jià)格重挫的沖擊已大幅減少;然值得注意
臺(tái)灣TDR市場有機(jī)會(huì)再添一檔重量級(jí)新兵!券商圈傳出日系DRAM大廠爾必達(dá)(Elpida)有意來臺(tái)申請TDR掛牌,藉此拓展多元化的募資管道。然而,據(jù)了解,券商界目前為止尚無人籌組承銷
80C186XL16位嵌入式微處理器是Intel公司在嵌入式微處理器市場的上導(dǎo)產(chǎn)品之一,已廣泛應(yīng)用于電腦終端、程控交換和工控等領(lǐng)域。在該嵌入式微處理器片內(nèi),集成有DRAM RCU單元
憑借長達(dá) 12 年服務(wù)于 JEDEC 和標(biāo)準(zhǔn)委員會(huì)的敬業(yè)精神以及在促進(jìn)下一代移動(dòng)低功耗 DRAM 技術(shù)發(fā)展方面所起的重要作用,Daniel Skinner 贏得技術(shù)領(lǐng)導(dǎo)者們的一致贊譽(yù)。21ic訊—BOISE,2014 年 6 月 19 日 — 美
全球市場研究機(jī)構(gòu)TrendForce旗下記憶體儲(chǔ)存事業(yè)處DRAMeXchange表示,由于DRAM大廠持續(xù)將產(chǎn)能從標(biāo)準(zhǔn)型記憶體轉(zhuǎn)移至行動(dòng)式記憶體,加上部份DRAM廠轉(zhuǎn)進(jìn)25nm制程良率偏低及20nm制程轉(zhuǎn)進(jìn)有延宕的情形
全球市場研究機(jī)構(gòu)TrendForce旗下記憶體儲(chǔ)存事業(yè)處DRAMeXchange最新調(diào)查顯示,近期各家智慧型手機(jī)大廠備貨力道明顯升溫,加上NANDFlash廠商加速轉(zhuǎn)進(jìn)新制程導(dǎo)致供貨縮減,6月上旬NANDFlash合約價(jià)上
中國市場誘人,SK海力士(SK hynix)18日在深圳拉生意,盼尋找新商機(jī),擴(kuò)展在中國高階行動(dòng)裝置的滲透率;在此同時(shí),該公司獲利展望熱絡(luò),18日股價(jià)創(chuàng)下2002年以來新高。韓國時(shí)報(bào)(Korea Times)18日報(bào)導(dǎo),SK海力士在深圳為