Spansion公司近日宣布推出業(yè)界最快串行閃存產(chǎn)品——65nm Spansion FL-S NOR閃存系列。該系列產(chǎn)品擁有較同類競爭方案提升20%的更快速的雙倍數(shù)據(jù)率(DDR)讀取速度,
據(jù)IHS iSuppli公司的DRAM研究報告,盡管其DRAM含量不斷增加,但機頂盒在DRAM市場中的份額未來幾年將進一步下降。按比特出貨量計算,2010年機頂盒(STB)使用的DRAM所占份額為
連于慧/臺北 誰也沒想到2011年DRAM產(chǎn)業(yè)面臨到比2008年更難熬的寒冬,不但報價再度崩盤,且全球經(jīng)濟景氣不確定性的時間越拉越長,臺系DRAM廠這次面臨的困境不是減產(chǎn)救市,而
Tessera Technologies, Inc.旗下全資子公司Invensas Corporation今天宣布,將在本月中旬的Intel舉辦舊金山秋季IDF 2011上展示自己的新型多die面朝下內(nèi)存封裝技術(shù)“x
iSuppli公布,三星二季度DRAM全球市場占有率升值41.6%,位居榜首,海力士第二。據(jù)韓聯(lián)社9月4日報道,市場研究公司iSuppli表示,今年第二季度三星電子動態(tài)隨機存取內(nèi)存(DRAM
因零件廠商紛紛將供應(yīng)重心轉(zhuǎn)向智能手機、加上PC出貨量優(yōu)于廠商預(yù)估,導(dǎo)致PC用零件浮現(xiàn)缺貨情況,也帶動PC零件交易價格強勁,其中存儲器代表性產(chǎn)品DRAM價格今年來已上揚了4%、液晶面板價格更大漲了11%。今年來PC用液晶
據(jù)IHS iSuppli公司的最新研究,根據(jù)過去、現(xiàn)在及未來的表現(xiàn),三星電子不但在DRAM市場占有最大份額,而且競爭力最強。這項新的分析考慮了四個因素:DRAM廠商的現(xiàn)金余額,銷售
21ic訊 領(lǐng)先市場的高速、高容量、無需電池的非易失性存儲解決方案供應(yīng)商,賽普拉斯半導(dǎo)體公司的子公司 AgigA Tech公司日前宣布,開始向主要OEM和開發(fā)合作伙伴提供業(yè)界首款DDR4 非易失性 DIMM (NVDIMM)的樣品。AGIGA
據(jù)HIS iSuppli的最新研究表明,憑借制勝的戰(zhàn)略,三星在2010年第四季度成功增加了早已掌控在手的DRAM(動態(tài)隨機存取存儲器)市場份額。初步結(jié)果顯示,三星在2010年第四季度的D
市場研究機構(gòu)IC Insights統(tǒng)計預(yù)估,2014年第二季全球動態(tài)隨機存取記憶體(DRAM)平均銷售價格(ASP),將由第一季的3.06美元微幅下跌至3美元,是2012年第四季以來首度下滑。不
南韓第二大記憶體廠SK海力士(SK Hynix)首季超越勁敵美光,成為全球PC用動態(tài)隨機記憶體(DRAM)第一大廠。市調(diào)機構(gòu)iSuppli數(shù)據(jù)顯示,SK海力士PC用DRAM首季市占率33.2%,重新奪
全球市場研究機構(gòu)TrendForce旗下記憶體儲存事業(yè)處DRAMeXchange最新報價顯示,6月下旬合約價持平,4GB均價為30.5美元,換算顆粒價格約為3.5美元,與現(xiàn)貨價格(DDR3 4Gb 512M
磁阻式隨機存取記憶體(MRAM)或許在許多應(yīng)用領(lǐng)域有取代 DRAM 與 SRAM 的潛力,但就連市場上唯一家生產(chǎn)這種非揮發(fā)性記憶體的供應(yīng)商都認為,這種取代的過程得花上好一段時間。
近來DRAM 價格晶片大宗訂單的價格依然居高不下。目前主要DRAM晶片制造商增加供應(yīng)給日益成長的智慧手機市場,令人擔(dān)心個人電腦(PC)未來的供應(yīng)。預(yù)料在8月之前蘋果最新iPhon
據(jù)日本媒體報道,日本半導(dǎo)體巨頭爾必達公司(Elpida)25日宣布,將于2011年4月前在臺灣證券交易所上市。爾必達將發(fā)行臺灣存托憑證,籌資約100億日元(約合7.95億元人民幣)。據(jù)
1998年前后臺灣跨入面板產(chǎn)業(yè),投資熱潮方興未艾,許庭禎受奇美創(chuàng)辦人許文龍征詢,加入奇美電的創(chuàng)始團隊,卻因體悟到面板廠投資壓力,成為最早退出的人。當(dāng)年許庭禎拿到電機博士學(xué)位,先后在摩托羅拉、應(yīng)材就職,當(dāng)他
全球DRAM產(chǎn)業(yè)再度面臨二次崩盤潮的危機,雖然2010年上半年在供給不足的情況下,DRAM報價達到頂峰,但下半年卻意外遇上個人計算機(PC)產(chǎn)業(yè)旺季不旺,加上DRAM產(chǎn)業(yè)供給端大量
IBM公司系統(tǒng)與技術(shù)集團的首席技術(shù)官Jai Menon最近稱非易失性相變內(nèi)存(PCM)技術(shù)的芯片尺寸微縮能力將超越常規(guī)閃存芯片,并會在3-5年內(nèi)在服務(wù)器機型上投入使用。Menon稱IBM將
國際研究暨顧問機構(gòu)Gartner 發(fā)布最新預(yù)測, 2014年全球半導(dǎo)體銷售業(yè)績將穩(wěn)步達到3,360億美元,較2013年成長6.7%,高于上一季所預(yù)測的5.4%。2014年第二季較諸前一季之成長幅度已超出預(yù)期,連同晶圓代工龍頭臺積電(TSM
磁阻內(nèi)存的概念幾乎是和磁盤記錄技術(shù)同時被提出來的。但是眾所周知,內(nèi)存讀寫的速度需要達到磁盤讀寫的速度的100萬倍,所以不能直接使用磁盤記錄技術(shù)來生產(chǎn)內(nèi)存。磁阻內(nèi)存的設(shè)計看起來并不復(fù)雜,但是對材料的要求比較