DRAM

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韓國發(fā)展DRAM引導(dǎo)發(fā)展趨勢

韓國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)在人才和技術(shù)都比較匱乏的情況下，通過引進(jìn)國外技術(shù)、消化吸收，最后實(shí)現(xiàn)技術(shù)自有化。之所以取得成功，與韓國政府將半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)上升到國家級項(xiàng)目，最廣泛組織起其國內(nèi)業(yè)界優(yōu)勢資源結(jié)盟攻關(guān)密不可分，這

消費(fèi)電子
2011-11-24

DRAM 半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè) 三星電子 FAB
超輕薄筆電或攪亂半導(dǎo)體市場

普遍預(yù)期正在迅猛發(fā)展的超輕薄筆電(Ultrabook)，即將對半導(dǎo)體市場中的幾個領(lǐng)域產(chǎn)生一定影響，包括感測器、電源和類比晶片等，都預(yù)計(jì)將受益于這個由英特爾(Intel)力推的全新低功耗筆電產(chǎn)品；然而，市調(diào)機(jī)構(gòu) IHS iSupp

消費(fèi)電子
2011-11-24

半導(dǎo)體市場感測器 ULTRA DRAM
2011通訊IC與DRAM境況冰火兩重天

2011年半導(dǎo)體廠商營收成長呈現(xiàn)兩極化局面。根據(jù)ICInsights最新研究預(yù)估，2011年全球半導(dǎo)體市場產(chǎn)值成長率僅達(dá)2%，但受惠今年智慧型手機(jī)和平板等行動裝置熱銷，高通(Qualcomm)、英特爾(Intel)和輝達(dá)(NVIDIA)營收仍可擁

消費(fèi)電子
2011-11-24

通訊平板 IC DRAM
2011年Q3臺灣IC產(chǎn)業(yè)回顧與展望

工研院IEKITIS計(jì)劃表示，2011年第三季臺灣整體IC產(chǎn)業(yè)產(chǎn)值(含設(shè)計(jì)、制造、封裝、測試)達(dá)新臺幣3,767億元，較2011年第二季衰退6.0%。最大原因是(1)希臘危機(jī)懸而未決，沖擊歐美市場電子產(chǎn)品需求意愿;(2)PC/NB、功能手機(jī)

電子設(shè)計(jì)自動化
2011-11-24

IC制造 IC產(chǎn)業(yè) 控制IC DRAM
2011通訊IC與DRAM境遇兩重天

2011年半導(dǎo)體商營收成長將呈現(xiàn)兩極化局面。根據(jù)ICInsights最新研究預(yù)估，2011年全球半導(dǎo)體市場產(chǎn)值成長率僅達(dá)2%，但受惠今年智慧型手機(jī)和平板等行動裝置熱銷，高通(Qualcomm)、英特爾(Intel)和輝達(dá)(NVIDIA)營收仍可擁

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2011-11-23

通訊東芝 IC DRAM
瑞晶預(yù)計(jì)提前轉(zhuǎn)進(jìn)30納米制程

DRAM報(bào)價(jià)直逼歷史低價(jià)，在DRAM產(chǎn)業(yè)籠罩一片低氣壓時，瑞晶的制程轉(zhuǎn)進(jìn)速度仍是一馬當(dāng)先，原本預(yù)定2011年底前旗下所有產(chǎn)能都全數(shù)轉(zhuǎn)進(jìn)30納米制程，日前目標(biāo)已提前達(dá)陣，但因母公司爾必達(dá)(Elpida)應(yīng)部分客戶需要40納米制

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2011-11-23

芯片爾必達(dá) 40納米 DRAM
內(nèi)存晴雨表:三星與美光在DRAM市場低迷之際表現(xiàn)出色

三星份額進(jìn)一步接近50%；整體產(chǎn)業(yè)營業(yè)收入下降16%據(jù)IHS iSuppli公司的DRAM市場簡報(bào)，DRAM市場第三季度形勢困難，但幾家廠商和表現(xiàn)優(yōu)于產(chǎn)業(yè)整體水平，占市場營業(yè)收入的份額略有增長，尤其是韓國三星電子和美國美光。總

智能硬件
2011-11-23

三星美光內(nèi)存 DRAM
瑞晶預(yù)計(jì)提前轉(zhuǎn)進(jìn)30納米制程

DRAM報(bào)價(jià)直逼歷史低價(jià)，在DRAM產(chǎn)業(yè)籠罩一片低氣壓時，瑞晶的制程轉(zhuǎn)進(jìn)速度仍是一馬當(dāng)先，原本預(yù)定2011年底前旗下所有產(chǎn)能都全數(shù)轉(zhuǎn)進(jìn)30納米制程，日前目標(biāo)已提前達(dá)陣，但因母公司爾必達(dá)(Elpida)應(yīng)部分客戶需要40納米

消費(fèi)電子
2011-11-23

芯片爾必達(dá) 40納米 DRAM
瑞晶預(yù)計(jì)提前轉(zhuǎn)進(jìn)30納米制程

DRAM報(bào)價(jià)直逼歷史低價(jià)，在DRAM產(chǎn)業(yè)籠罩一片低氣壓時，瑞晶的制程轉(zhuǎn)進(jìn)速度仍是一馬當(dāng)先，原本預(yù)定2011年底前旗下所有產(chǎn)能都全數(shù)轉(zhuǎn)進(jìn)30納米制程，日前目標(biāo)已提前達(dá)陣，但因母公司爾必達(dá)(Elpida)應(yīng)部分客戶需要40納米制

電子設(shè)計(jì)自動化
2011-11-23

芯片爾必達(dá) 40納米 DRAM
小摩：晶圓代工、封測明年Q1落底

摩根大通證券針對明年亞洲半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)表現(xiàn)出具最新報(bào)告指出，全球存儲器市場將擺脫今年的營收下滑態(tài)勢，預(yù)估明年?duì)I收年成長6%，而面板產(chǎn)業(yè)則將持續(xù)受到需求不振影響，明年上半年價(jià)格難有起色，晶圓代工與封測族群基本

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2011-11-23

存儲器晶圓代工終端 DRAM
臺DRAM廠負(fù)債情況

在個人電腦(PC)需求降溫以及DRAM報(bào)價(jià)持續(xù)惡化下，DRAM廠財(cái)務(wù)問題一一浮上臺面，繼茂德債務(wù)問題爆發(fā)至今，已因?yàn)樨?cái)報(bào)交不出來而停止交易后，力晶也開始與債權(quán)銀行做協(xié)商；目前臺灣DRAM產(chǎn)業(yè)問題，已不是科技產(chǎn)業(yè)或半導(dǎo)

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2011-11-22

晶圓代工晶圓廠 NANDFLASH DRAM
臺灣將投資7億新臺幣于2012年更換道路照明

近日，臺灣經(jīng)濟(jì)部部長施顏祥宣布，臺灣政府將投資7億元新臺幣(相當(dāng)于約2325萬美元)用于替換53，000展現(xiàn)有路燈，此項(xiàng)政策將于2012年1月開始實(shí)施。施顏祥表示此舉有兩個目的：第一、LED更加節(jié)能;第二、扶持當(dāng)?shù)仄?/p>
消費(fèi)電子
2011-11-22

LCD 光電子道路照明 DRAM
半導(dǎo)體商營收兩樣情通訊旺DRAM衰

2011年半導(dǎo)體商營收成長將呈現(xiàn)兩極化局面。根據(jù)ICInsights最新研究預(yù)估，2011年全球半導(dǎo)體市場產(chǎn)值成長率僅達(dá)2%，但受惠今年智慧型手機(jī)和平板等行動裝置熱銷，高通(Qualcomm)、英特爾(Intel)和輝達(dá)(NVIDIA)營收仍可擁

電子設(shè)計(jì)自動化
2011-11-22

半導(dǎo)體通訊東芝 DRAM
半導(dǎo)體商營收兩樣情　通訊旺/DRAM衰

2011年半導(dǎo)體商營收成長將呈現(xiàn)兩極化局面。根據(jù)ICInsights最新研究預(yù)估，2011年全球半導(dǎo)體市場產(chǎn)值成長率僅達(dá)2%，但受惠今年智慧型手機(jī)和平板等行動裝置熱銷，高通(Qualcomm)、英特爾(Intel)和輝達(dá)(NVIDIA)營收仍可擁

半導(dǎo)體
2011-11-21

半導(dǎo)體通訊 BORDER DRAM
Q4臺灣IC產(chǎn)值小幅衰退制造業(yè)表現(xiàn)最差

工研院IEKITIS計(jì)劃最新公布的統(tǒng)計(jì)數(shù)據(jù)顯示，2011年第三季臺灣整體IC產(chǎn)業(yè)產(chǎn)值(含設(shè)計(jì)、制造、封裝、測試)達(dá)新臺幣3,767億元，較2011年第二季衰退6.0%；其中，IC制造業(yè)衰退幅度最大(季衰退10.6%)，特別是DRAM(季衰退高

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2011-11-21

晶片 IC IC制造 DRAM
力晶將繼續(xù)擴(kuò)大NAND Flash產(chǎn)能

力晶在2012年起將會大幅降低標(biāo)準(zhǔn)型DRAM投片量，以最低的產(chǎn)能維持DRAM的技術(shù)發(fā)展，并于明年起全數(shù)轉(zhuǎn)入30nm 4Gb生產(chǎn)，而空出的產(chǎn)能將會以NAND FLASH填補(bǔ)，后續(xù)技術(shù)發(fā)展的重點(diǎn)也轉(zhuǎn)移到NAND 2Xnm的制程微縮。放遠(yuǎn)未來，力

消費(fèi)電子
2011-11-18

Flash NAND DRIVER DRAM
半導(dǎo)體商營收兩樣情通訊旺DRAM衰

2011年半導(dǎo)體商營收成長將呈現(xiàn)兩極化局面。根據(jù)ICInsights最新研究預(yù)估，2011年全球半導(dǎo)體市場產(chǎn)值成長率僅達(dá)2%，但受惠今年智慧型手機(jī)和平板等行動裝置熱銷，高通(Qualcomm)、英特爾(Intel)和輝達(dá)(NVIDIA)營收仍可擁

消費(fèi)電子
2011-11-18

半導(dǎo)體通訊東芝 DRAM
力晶將繼續(xù)擴(kuò)大NAND Flash產(chǎn)能

力晶在2012年起將會大幅降低標(biāo)準(zhǔn)型DRAM投片量，以最低的產(chǎn)能維持DRAM的技術(shù)發(fā)展，并于明年起全數(shù)轉(zhuǎn)入30nm4Gb生產(chǎn)，而空出的產(chǎn)能將會以NANDFLASH填補(bǔ)，后續(xù)技術(shù)發(fā)展的重點(diǎn)也轉(zhuǎn)移到NAND2Xnm的制程微縮。放遠(yuǎn)未來，力晶

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2011-11-17

Flash NAND DDR DRAM
深度觀察：日本半導(dǎo)體牽動全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)

斷鏈效應(yīng)凸顯日商高度重要性繼臺灣、南韓業(yè)者在半導(dǎo)體市場發(fā)光，后進(jìn)者的中國大陸開始崛起，影響日商在全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)中的地位，但311震出一個不爭的事實(shí)，掌握關(guān)鍵技術(shù)的日商，仍是產(chǎn)業(yè)領(lǐng)頭雁，地位無法取代。1980年

消費(fèi)電子
2011-11-17

東芝 SONY DRAM 半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)
五大芯片廠仍居市場要角

斷鏈效應(yīng)凸顯日商高度重要性繼臺灣、南韓業(yè)者在半導(dǎo)體市場發(fā)光，后進(jìn)者的中國大陸開始崛起，影響日商在全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)中的地位，但311震出一個不爭的事實(shí)，掌握關(guān)鍵技術(shù)的日商，仍是產(chǎn)業(yè)領(lǐng)頭雁，地位無法取代。1980年

電子設(shè)計(jì)自動化
2011-11-17

芯片廠東芝 DRAM 半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)

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DRAM

韓國發(fā)展DRAM引導(dǎo)發(fā)展趨勢

超輕薄筆電或攪亂半導(dǎo)體市場

2011通訊IC與DRAM境況冰火兩重天

2011年Q3臺灣IC產(chǎn)業(yè)回顧與展望

2011通訊IC與DRAM境遇兩重天

瑞晶預(yù)計(jì)提前轉(zhuǎn)進(jìn)30納米制程

內(nèi)存晴雨表:三星與美光在DRAM市場低迷之際表現(xiàn)出色

瑞晶預(yù)計(jì)提前轉(zhuǎn)進(jìn)30納米制程

瑞晶預(yù)計(jì)提前轉(zhuǎn)進(jìn)30納米制程

小摩：晶圓代工、封測明年Q1落底

臺DRAM廠負(fù)債情況

臺灣將投資7億新臺幣于2012年更換道路照明

半導(dǎo)體商營收兩樣情通訊旺DRAM衰

半導(dǎo)體商營收兩樣情　通訊旺/DRAM衰

Q4臺灣IC產(chǎn)值小幅衰退制造業(yè)表現(xiàn)最差

力晶將繼續(xù)擴(kuò)大NAND Flash產(chǎn)能

半導(dǎo)體商營收兩樣情通訊旺DRAM衰

力晶將繼續(xù)擴(kuò)大NAND Flash產(chǎn)能

深度觀察：日本半導(dǎo)體牽動全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)

五大芯片廠仍居市場要角

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