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瑞晶預(yù)計(jì)提前轉(zhuǎn)進(jìn)30納米制程
DRAM報(bào)價(jià)直逼歷史低價(jià)，在DRAM產(chǎn)業(yè)籠罩一片低氣壓時(shí)，瑞晶的制程轉(zhuǎn)進(jìn)速度仍是一馬當(dāng)先，原本預(yù)定2011年底前旗下所有產(chǎn)能都全數(shù)轉(zhuǎn)進(jìn)30納米制程，日前目標(biāo)已提前達(dá)陣，但因母公司爾必達(dá)(Elpida)應(yīng)部分客戶需要40納米
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瑞晶預(yù)計(jì)提前轉(zhuǎn)進(jìn)30納米制程
DRAM報(bào)價(jià)直逼歷史低價(jià)，在DRAM產(chǎn)業(yè)籠罩一片低氣壓時(shí)，瑞晶的制程轉(zhuǎn)進(jìn)速度仍是一馬當(dāng)先，原本預(yù)定2011年底前旗下所有產(chǎn)能都全數(shù)轉(zhuǎn)進(jìn)30納米制程，日前目標(biāo)已提前達(dá)陣，但因母公司爾必達(dá)(Elpida)應(yīng)部分客戶需要40納米制
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小摩：晶圓代工、封測(cè)明年Q1落底
摩根大通證券針對(duì)明年亞洲半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)表現(xiàn)出具最新報(bào)告指出，全球存儲(chǔ)器市場(chǎng)將擺脫今年的營(yíng)收下滑態(tài)勢(shì)，預(yù)估明年?duì)I收年成長(zhǎng)6%，而面板產(chǎn)業(yè)則將持續(xù)受到需求不振影響，明年上半年價(jià)格難有起色，晶圓代工與封測(cè)族群基本
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臺(tái)DRAM廠負(fù)債情況
在個(gè)人電腦(PC)需求降溫以及DRAM報(bào)價(jià)持續(xù)惡化下，DRAM廠財(cái)務(wù)問(wèn)題一一浮上臺(tái)面，繼茂德債務(wù)問(wèn)題爆發(fā)至今，已因?yàn)樨?cái)報(bào)交不出來(lái)而停止交易后，力晶也開(kāi)始與債權(quán)銀行做協(xié)商；目前臺(tái)灣DRAM產(chǎn)業(yè)問(wèn)題，已不是科技產(chǎn)業(yè)或半導(dǎo)
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臺(tái)灣將投資7億新臺(tái)幣于2012年更換道路照明
近日，臺(tái)灣經(jīng)濟(jì)部部長(zhǎng)施顏祥宣布，臺(tái)灣政府將投資7億元新臺(tái)幣(相當(dāng)于約2325萬(wàn)美元)用于替換53，000展現(xiàn)有路燈，此項(xiàng)政策將于2012年1月開(kāi)始實(shí)施。 施顏祥表示此舉有兩個(gè)目的：第一、LED更加節(jié)能;第二、扶持當(dāng)?shù)仄?/p>
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半導(dǎo)體商營(yíng)收兩樣情 通訊旺DRAM衰
2011年半導(dǎo)體商營(yíng)收成長(zhǎng)將呈現(xiàn)兩極化局面。根據(jù)ICInsights最新研究預(yù)估，2011年全球半導(dǎo)體市場(chǎng)產(chǎn)值成長(zhǎng)率僅達(dá)2%，但受惠今年智慧型手機(jī)和平板等行動(dòng)裝置熱銷，高通(Qualcomm)、英特爾(Intel)和輝達(dá)(NVIDIA)營(yíng)收仍可擁
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半導(dǎo)體商營(yíng)收兩樣情 通訊旺/DRAM衰
2011年半導(dǎo)體商營(yíng)收成長(zhǎng)將呈現(xiàn)兩極化局面。根據(jù)ICInsights最新研究預(yù)估，2011年全球半導(dǎo)體市場(chǎng)產(chǎn)值成長(zhǎng)率僅達(dá)2%，但受惠今年智慧型手機(jī)和平板等行動(dòng)裝置熱銷，高通(Qualcomm)、英特爾(Intel)和輝達(dá)(NVIDIA)營(yíng)收仍可擁
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Q4臺(tái)灣IC產(chǎn)值小幅衰退制造業(yè)表現(xiàn)最差
工研院IEKITIS計(jì)劃最新公布的統(tǒng)計(jì)數(shù)據(jù)顯示，2011年第三季臺(tái)灣整體IC產(chǎn)業(yè)產(chǎn)值(含設(shè)計(jì)、制造、封裝、測(cè)試)達(dá)新臺(tái)幣3,767億元，較2011年第二季衰退6.0%；其中，IC制造業(yè)衰退幅度最大(季衰退10.6%)，特別是DRAM(季衰退高
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力晶將繼續(xù)擴(kuò)大NAND Flash產(chǎn)能
力晶在2012年起將會(huì)大幅降低標(biāo)準(zhǔn)型DRAM投片量，以最低的產(chǎn)能維持DRAM的技術(shù)發(fā)展，并于明年起全數(shù)轉(zhuǎn)入30nm 4Gb生產(chǎn)，而空出的產(chǎn)能將會(huì)以NAND FLASH填補(bǔ)，后續(xù)技術(shù)發(fā)展的重點(diǎn)也轉(zhuǎn)移到NAND 2Xnm的制程微縮。放遠(yuǎn)未來(lái)，力
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半導(dǎo)體商營(yíng)收兩樣情 通訊旺DRAM衰
2011年半導(dǎo)體商營(yíng)收成長(zhǎng)將呈現(xiàn)兩極化局面。根據(jù)ICInsights最新研究預(yù)估，2011年全球半導(dǎo)體市場(chǎng)產(chǎn)值成長(zhǎng)率僅達(dá)2%，但受惠今年智慧型手機(jī)和平板等行動(dòng)裝置熱銷，高通(Qualcomm)、英特爾(Intel)和輝達(dá)(NVIDIA)營(yíng)收仍可擁
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力晶將繼續(xù)擴(kuò)大NAND Flash產(chǎn)能
力晶在2012年起將會(huì)大幅降低標(biāo)準(zhǔn)型DRAM投片量，以最低的產(chǎn)能維持DRAM的技術(shù)發(fā)展，并于明年起全數(shù)轉(zhuǎn)入30nm4Gb生產(chǎn)，而空出的產(chǎn)能將會(huì)以NANDFLASH填補(bǔ)，后續(xù)技術(shù)發(fā)展的重點(diǎn)也轉(zhuǎn)移到NAND2Xnm的制程微縮。放遠(yuǎn)未來(lái)，力晶
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深度觀察：日本半導(dǎo)體牽動(dòng)全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)
斷鏈效應(yīng)凸顯日商高度重要性繼臺(tái)灣、南韓業(yè)者在半導(dǎo)體市場(chǎng)發(fā)光，后進(jìn)者的中國(guó)大陸開(kāi)始崛起，影響日商在全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)中的地位，但311震出一個(gè)不爭(zhēng)的事實(shí)，掌握關(guān)鍵技術(shù)的日商，仍是產(chǎn)業(yè)領(lǐng)頭雁，地位無(wú)法取代。1980年
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五大芯片廠仍居市場(chǎng)要角
斷鏈效應(yīng)凸顯日商高度重要性繼臺(tái)灣、南韓業(yè)者在半導(dǎo)體市場(chǎng)發(fā)光，后進(jìn)者的中國(guó)大陸開(kāi)始崛起，影響日商在全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)中的地位，但311震出一個(gè)不爭(zhēng)的事實(shí)，掌握關(guān)鍵技術(shù)的日商，仍是產(chǎn)業(yè)領(lǐng)頭雁，地位無(wú)法取代。1980年
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毛利看跌 存儲(chǔ)器封測(cè)廠本季展望
動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（DRAM）第四季價(jià)格持續(xù)下跌，存儲(chǔ)器封測(cè)廠受到客戶要求降價(jià)，近期已同意本季調(diào)降調(diào)降封測(cè)售價(jià)5%到10%，將沖擊本季毛利表現(xiàn)。 據(jù)了解，由于DRAM價(jià)格第三季慘跌，當(dāng)時(shí)存儲(chǔ)器廠已提出要存儲(chǔ)器封測(cè)
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華東福懋科 毛利看跌
動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（DRAM）第四季價(jià)格持續(xù)下跌，存儲(chǔ)器封測(cè)廠受到客戶要求降價(jià)，近期已同意本季調(diào)降調(diào)降封測(cè)售價(jià)5%到10%，將沖擊本季毛利表現(xiàn)。 據(jù)了解，由于DRAM價(jià)格第三季慘跌，當(dāng)時(shí)存儲(chǔ)器廠已提出要存儲(chǔ)器封測(cè)
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五大芯片廠仍居市場(chǎng)要角
斷鏈效應(yīng)凸顯日商高度重要性繼臺(tái)灣、南韓業(yè)者在半導(dǎo)體市場(chǎng)發(fā)光，后進(jìn)者的中國(guó)大陸開(kāi)始崛起，影響日商在全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)中的地位，但311震出一個(gè)不爭(zhēng)的事實(shí)，掌握關(guān)鍵技術(shù)的日商，仍是產(chǎn)業(yè)領(lǐng)頭雁，地位無(wú)法取代。1980年
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臺(tái)積電擴(kuò)充產(chǎn)能擬建12寸晶圓廠
晶圓代工廠臺(tái)灣集成電路制造股份有限公司董事會(huì)決議核準(zhǔn)約新臺(tái)幣395億元預(yù)算，主要用以擴(kuò)充先進(jìn)制程產(chǎn)能，及12寸超大晶圓廠廠房擴(kuò)建與興建。臺(tái)積電董事會(huì)共核準(zhǔn)兩筆預(yù)算，其中，一筆323.72億元資本預(yù)算，將用以擴(kuò)充先
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臺(tái)積電擴(kuò)充產(chǎn)能擬建12寸晶圓廠
晶圓代工廠臺(tái)灣集成電路制造股份有限公司董事會(huì)決議核準(zhǔn)約新臺(tái)幣395億元預(yù)算，主要用以擴(kuò)充先進(jìn)制程產(chǎn)能，及12寸超大晶圓廠廠房擴(kuò)建與興建。臺(tái)積電董事會(huì)共核準(zhǔn)兩筆預(yù)算，其中，一筆323.72億元資本預(yù)算，將用以擴(kuò)充先
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臺(tái)積電擴(kuò)充產(chǎn)能擬建12寸晶圓廠
晶圓代工廠臺(tái)灣集成電路制造股份有限公司董事會(huì)決議核準(zhǔn)約新臺(tái)幣395億元預(yù)算，主要用以擴(kuò)充先進(jìn)制程產(chǎn)能，及12寸超大晶圓廠廠房擴(kuò)建與興建。臺(tái)積電董事會(huì)共核準(zhǔn)兩筆預(yù)算，其中，一筆323.72億元資本預(yù)算，將用以擴(kuò)充先
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臺(tái)積電擴(kuò)充產(chǎn)能擬建12寸晶圓廠
晶圓代工廠臺(tái)灣集成電路制造股份有限公司董事會(huì)決議核準(zhǔn)約新臺(tái)幣395億元預(yù)算，主要用以擴(kuò)充先進(jìn)制程產(chǎn)能，及12寸超大晶圓廠廠房擴(kuò)建與興建。臺(tái)積電董事會(huì)共核準(zhǔn)兩筆預(yù)算，其中，一筆323.72億元資本預(yù)算，將用以擴(kuò)充先
