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基于STC單片機(jī)的硬件電路設(shè)計(jì)
本文提出了一種基于STC單片機(jī)學(xué)習(xí)平臺(tái)的硬件電路設(shè)計(jì)，采用了一款新型的單片機(jī)型號(hào)一STC12C5410AD，在學(xué)習(xí)平臺(tái)中加入了一些串行接口的芯片，接口標(biāo)準(zhǔn)包括RS-232、SPI、IIC、1-wire等。學(xué)習(xí)平臺(tái)的設(shè)計(jì)目標(biāo)：ISP可編程、液晶屏顯示、日歷時(shí)鐘(IIC接口芯片)、溫度測(cè)量(1-wire接口芯片)、FLAH存儲(chǔ)器(SPI接口芯
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基于芯片堆疊式的3D技術(shù)
從SiP系統(tǒng)級(jí)封裝的傳統(tǒng)意義上來講，凡是有芯片堆疊的都可以稱之為3D，因?yàn)樵赯軸上有了功能和信號(hào)的延伸，無論此堆疊是位于IC內(nèi)部還是IC外部。
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大容量存儲(chǔ)的NOR FLASH的原理及應(yīng)用
VDRF256M16是珠海歐比特公司自主研發(fā)的一種高速、大容量的NOR FLASH，可利用其對(duì)大容量數(shù)據(jù)進(jìn)行高速緩存。文中介紹了該芯片的結(jié)構(gòu)和原理，并同時(shí)給出了一個(gè)系統(tǒng)中大容量、高速數(shù)據(jù)傳輸要求的設(shè)計(jì)方案。
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SSD將取代HDD成主流
隨著NAND Flash產(chǎn)能開出，市場(chǎng)價(jià)格持續(xù)松動(dòng)，刺激市場(chǎng)搭載SSD的需求大增，業(yè)者認(rèn)為，2018年下半NAND Flash價(jià)格將一路走跌，將促使SSD與HDD價(jià)差進(jìn)一步收斂，目前SSD價(jià)差逐步縮小至3~3.5倍，兩者價(jià)差替換的黃金交叉點(diǎn)即將到來，推動(dòng)SSD取代效益顯現(xiàn)，而PCIe SSD價(jià)格跌幅也將擴(kuò)大，未來躍升為市場(chǎng)主流將指日可待。
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利用NAND Flash實(shí)現(xiàn)對(duì)嵌入式系統(tǒng)的遠(yuǎn)程更新
引言嵌入式系統(tǒng)在各個(gè)領(lǐng)域有著廣泛的應(yīng)用，嵌入式系統(tǒng)的維護(hù)與升級(jí)也變得日益重要。由于新技術(shù)的不斷涌現(xiàn)和對(duì)系統(tǒng)功能、性能等要求的不斷提高，開發(fā)者必須能夠針對(duì)系統(tǒng)進(jìn)行升級(jí)和維護(hù)，以延長(zhǎng)系統(tǒng)的使用
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基于微處理器S3C6410的NAND FLASH模擬U盤的原理與實(shí)現(xiàn)
本文介紹了嵌入式Linux操作系統(tǒng)下基于三星微處理器S3C6410的NAND FLASH模擬U盤的原理與實(shí)現(xiàn)方法。操作系統(tǒng)采用Linux 2．6．28版本，平臺(tái)為飛凌OK6410-A開發(fā)板。采用的方案是通過添加一個(gè)512 MB的NAND
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H-Jtag V1.0 燒寫NOR Flash
1. 打開H-Jtag-ServerInit->load，選擇初始化腳本“FriendlyARM2440.his”->"打開"2. 菜單中選擇“Settting”->"USB/LPT Selectiojn"，選擇 LPT3. 菜單中選擇“Settting”->"LPT JTAG Setting"，做如下
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單片機(jī)的Flash E2prom Ram區(qū)別
存儲(chǔ)器分為兩大類：ram和rom。ram就不講了，今天主要討論rom。rom最初不能編程，出廠什么內(nèi)容就永遠(yuǎn)什么內(nèi)容，不靈活。后來出現(xiàn)了prom，可以自己寫入一次，要是寫錯(cuò)了，只能換一片，自認(rèn)倒霉。人類文明
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STM32 flash操作
對(duì)芯片內(nèi)部flash進(jìn)行操作的函數(shù)，包括讀取，狀態(tài)，擦除，寫入等等，可以允許程序去操作flash上的數(shù)據(jù)。基礎(chǔ)應(yīng)用1，F(xiàn)LASH時(shí)序延遲幾個(gè)周期，等待總線同步操作。推薦按照單片機(jī)系統(tǒng)運(yùn)行頻率，0—24MHz時(shí)，
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HOLTEK新推出小封裝HT68F0012 Flash MCU
Holtek小封裝Flash MCU系列繼HT68F001后，新增HT68F0012成員，最大差異在系統(tǒng)頻率由32kHz提高到512kHz，可提供需較快工作頻率的產(chǎn)品應(yīng)用，例如：簡(jiǎn)單的數(shù)據(jù)通訊，非常適用于需要準(zhǔn)確計(jì)時(shí)或簡(jiǎn)單控制的產(chǎn)品應(yīng)用。
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兆易創(chuàng)新NOR Flash獲Galaxy S9采用
中國(guó)半導(dǎo)體最近幾年的快速發(fā)展使許多國(guó)外企業(yè)都開始布局中國(guó)市場(chǎng)，在今年的SEMICON China上表現(xiàn)的尤其明顯。不管是半導(dǎo)體制造設(shè)備提供商，還是材料供應(yīng)商都對(duì)中國(guó)半導(dǎo)體市場(chǎng)未來的發(fā)展充滿信心，也都紛紛布局中國(guó)市場(chǎng)。致力于開發(fā)和制造創(chuàng)新材料和工藝的材料提供商Brewer Science也參加了此次盛會(huì)，并與其行業(yè)長(zhǎng)期合作伙伴日產(chǎn)化學(xué)攜手展示了其在晶圓級(jí)封裝和前端光刻材料領(lǐng)域的產(chǎn)品與服務(wù)。
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一文讀懂存儲(chǔ)器發(fā)展史
近日，國(guó)家質(zhì)量監(jiān)督檢驗(yàn)檢疫總局、國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)化管理委員會(huì)批準(zhǔn)《半導(dǎo)體集成電路電壓調(diào)整器測(cè)試方法》等 20 項(xiàng)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)，并予以公布。據(jù)悉，這 20 項(xiàng)標(biāo)準(zhǔn)將于 2018 年 8 月 1 日實(shí)施。
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HOLTEK新推出HT69F2562 Ultra-Low Power MCU with LCD & EEPROM
Holtek新推出超低功耗具有液晶驅(qū)動(dòng)電路Flash MCU，針對(duì)RTC On超低待機(jī)功耗應(yīng)用提供最佳解決方案，如電池供電之消費(fèi)類產(chǎn)品，可視卡與NFC Data Logger等。
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揭開Zynq Z-7000 SoC從flash啟動(dòng)的秘密
各位在開發(fā)FPGA產(chǎn)品的時(shí)候，不僅需要熟知板子上的硬件，還要在硬件上運(yùn)行代碼，想要觀測(cè)硬件上代碼的運(yùn)行是可以通過邏輯分析儀這種硬件調(diào)試儀器來進(jìn)行的。內(nèi)置有Xilinx Spartan-6 FPGA的Digital Discovery提供了高速的邏輯分析功能，能夠讓開發(fā)者觀察和分析板子上的信號(hào)流，同時(shí)，今天給各位介紹另外一款Xilinx公司芯片的產(chǎn)品Zynq Z-7000 SoC，我們一起來揭開它從SPI接口掛載的flash啟動(dòng)的神秘面紗。
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基于Nand Flash 存儲(chǔ)技術(shù)的嵌入式linux 系統(tǒng)設(shè)計(jì)
現(xiàn)今嵌入式存儲(chǔ)產(chǎn)品已滲透進(jìn)人們生活工作中的方方面面，從ATM 機(jī)到手持通訊設(shè)備。社會(huì)對(duì)嵌入式產(chǎn)品的性能也有越來越高的要求：大容量，高速度，斷電保護(hù)，體積限制等等。當(dāng)
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NAND Flash價(jià)格先降后升，DRAM則持續(xù)走高
2017 年，整體記憶體產(chǎn)業(yè)不論DRAM 或NAND Flash，都度過了一個(gè)黃金好年，那么2018 年可否持續(xù)榮景呢?
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NAND Flash價(jià)格崩盤前夕，國(guó)內(nèi)存儲(chǔ)面臨大考驗(yàn)！
據(jù)悉，在經(jīng)過為期一年半的價(jià)格暴漲之后，部分存儲(chǔ)芯片的價(jià)格突然急速下滑，之后三星電子發(fā)布了一份并不樂觀的2017年業(yè)績(jī)預(yù)期，這兩件事情讓那些押注芯片行業(yè)的投資人陷入了深深的不安，一些投資人曾經(jīng)認(rèn)為芯片行業(yè)的紅火至少還將持續(xù)一年半的時(shí)間。
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完成第三代3D-NAND Flash開發(fā)后，美光與英特爾合作結(jié)束
美光與英特爾在1月8日宣布其NAND Flash合作伙伴關(guān)系將于完成第三代3D-NAND Flash(96層)開發(fā)之后終止，各自研發(fā)未來的NAND Flash技術(shù)，以符合雙方品牌產(chǎn)品所需，并維持Lehi廠3D-XPoint的合作關(guān)系。
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NAND Flash成半導(dǎo)體行業(yè)2018年主戰(zhàn)場(chǎng)
國(guó)際半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)協(xié)會(huì)(SEMI)3日提出，繼移動(dòng)裝置后，物聯(lián)網(wǎng)、車用、第五代移動(dòng)通訊(5G )擴(kuò)增實(shí)境(AR)/虛擬實(shí)境(VR)及人工智慧(AI)將為半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)中長(zhǎng)期發(fā)展五大驅(qū)動(dòng)力。為迎相關(guān)應(yīng)用，存儲(chǔ)器廠積極擴(kuò)增產(chǎn)能，并以儲(chǔ)存型(NAND Flash)為主要爭(zhēng)戰(zhàn)焦點(diǎn)。
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3D NAND擴(kuò)產(chǎn)在即，NAND Flash恐供過于求
受到部份零組件缺貨影響，ODM/OEM廠2017年第四季PC出貨不如預(yù)期，導(dǎo)致固態(tài)硬碟(SSD)需求急降，價(jià)格也一路走跌，2018年上半年NAND Flash市場(chǎng)供過于求已難避免。市調(diào)機(jī)構(gòu)集邦預(yù)期，三星、東芝等存儲(chǔ)器大廠已擬定3D NAND擴(kuò)產(chǎn)計(jì)畫，新產(chǎn)能將在2019年后開出，屆時(shí)NAND Flash市場(chǎng)將供過于求。
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