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中芯國際推出多元化eNVM技術(shù)平臺
為客戶提供更低成本，更佳性能和更靈活的設計中芯國際集成電路制造有限公司，中國內(nèi)地規(guī)模最大、技術(shù)最先進的集成電路晶圓代工企業(yè)，今日宣布推出多元化嵌入式非揮發(fā)性記憶體(eNVM)平臺。中芯國際綜合eNVM平臺包括0.
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半導體景氣循環(huán)恐已觸頂反轉(zhuǎn)向下
國際半導體設備材料產(chǎn)業(yè)協(xié)會（SEMI）昨（20）日公布2013年8月份北美半導體設備訂單出貨比（Book-to-Bill Ratio，B/B值）為0.98，訂單及出貨金額同步走跌，并跌破代表半導體市場景氣擴張的1。設備業(yè)者指出，全球總體經(jīng)
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中芯國際推出多元化eNVM技術(shù)平臺
為客戶提供更低成本，更佳性能和更靈活的設計 上海2013年9月23日電 /美通社/ -- 中芯國際集成電路制造有限公司（"中芯國際"，紐約證交所股票代碼：SMI，香港聯(lián)交所代碼：981），中國內(nèi)地規(guī)模最大、技術(shù)最先進的集成
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LEDinside預測LED市場未來六大變革
全球市場研究機構(gòu) TrendForce 旗下綠能事業(yè)處 LEDinside 報告指出， 2013年 LED 封裝市場產(chǎn)值估計達125億美元，2014年將達到133.9億美元，年成長率為7%；2014年 LED市場亮點仍以平板電腦與智慧手機背光應用為主，照明
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TrendForce：2014年LED產(chǎn)業(yè)六大變革
根據(jù)全球市場研究機構(gòu)TrendForce旗下綠能事業(yè)處LEDinside 「金級會員報告」指出，2013年LED封裝市場產(chǎn)值達125億美元，2014年將達到133.9億美金，年成長率為7%。2014年LED市場亮點仍以平板計算機與智能手機背光應用為
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AT89C51命名規(guī)則
以AT89S5224PC為例：AT = Atmel 公司89 = flash 存儲器S = 可下載 ;C=COMS LV=低電壓52 = 型號 ;51、5324 = 運行頻率 ;12、16、20P = DIP 雙列直插; D陶瓷、 J PLCC、 S Q貼片C = 商用;I 工業(yè)、A 汽車、M 軍用、V 不
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應材：移動裝置主導未來市場
全球最大半導體設備廠應用材料全球副總裁暨臺灣區(qū)總經(jīng)理余定陸5日表示，2013年行動裝置正以強大成長力道主導未來科技市場，也帶動半導體廠的制程升級及產(chǎn)能投資，其中，晶圓代工廠及NAND Flash廠的制程升級，將為設備
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應材：移動裝置主導未來市場
全球最大半導體設備廠應用材料全球副總裁暨臺灣區(qū)總經(jīng)理余定陸5日表示，2013年行動裝置正以強大成長力道主導未來科技市場，也帶動半導體廠的制程升級及產(chǎn)能投資，其中，晶圓代工廠及NAND Flash廠的制程升級，將為設備
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無錫海力士廠房爆炸 存儲器要漲價
韓國DRAM大廠海力士（Hynix）位于江蘇無錫DRAM廠昨天發(fā)生爆炸，由于火勢猛烈、濃煙漫布，估計受創(chuàng)嚴重，牽動DRAM供應。全球DRAM大廠三星、美光及南科等相繼暫停報價，并停止接單。業(yè)者指出，海力士無錫廠每月晶圓投片
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海力士火災對內(nèi)存芯片價格影響不大
2013年9月4日下午3點半左右，位于江蘇無錫新區(qū)的韓資企業(yè)海力士-意法半導體(中國)有限公司一車間突然發(fā)生火災，冒起的滾滾濃煙蔓延周邊數(shù)公里。無錫海力士公司4日下午發(fā)生火災，截至18時明火已全部撲滅，1人受輕微外
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8月下旬主流NAND Flash合約價下滑5-10%，后續(xù)終端需求恐不如預期
根據(jù)全球市場研究機構(gòu)TrendForce旗下記憶體儲存事業(yè)處DRAMeXchange調(diào)查顯示，八月下旬NAND Flash合約價較上旬下滑5-10%，主要由于OEM需求不如預期，導致買方庫存水位升高，備貨力道明顯萎縮。從產(chǎn)出端來看，東芝自第
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東芝3D NAND晶圓廠破土動工帶動NAND Flash業(yè)復蘇
據(jù)外媒electronicsweekly報道，東芝垂直NAND晶圓廠第二期廠房已破土動工，應對未來NAND Flash擴產(chǎn)需求；該新建廠房被稱為“疊分NAND晶圓廠”或“3D NAND晶圓廠”。東芝公司表示：“公司將擴大五號半導體制造工廠（Fa
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東芝Fab5第二期動工 為量產(chǎn)3D NAND鋪路
據(jù)外媒electronicsweekly報道，東芝垂直NAND晶圓廠第二期廠房已破土動工，應對未來NAND Flash擴產(chǎn)需求;該新建廠房被稱為“疊分NAND晶圓廠”或“3D NAND晶圓廠”。東芝公司表示：“公司將擴大五號半導體制造工廠(Fab
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東芝Fab5第二期動工 為量產(chǎn)3D NAND鋪路
據(jù)外媒electronicsweekly報道，東芝垂直NAND晶圓廠第二期廠房已破土動工，應對未來NAND Flash擴產(chǎn)需求;該新建廠房被稱為“疊分NAND晶圓廠”或“3D NAND晶圓廠”。東芝公司表示：“公司將擴
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聯(lián)發(fā)科(2454)眼中的秘密武器，成就華邦電(2344)的大未來!
華邦編碼型快閃記憶體(NOR Flash) 布局手機市場報捷，獨家獲得聯(lián)發(fā)科主力晶片「MT6252」系列搭配采用，并打入三星、LG等大廠供應鏈?！窶T6252」是聯(lián)發(fā)科2011年秘密武器，放量出貨當中，華邦NOR 晶片出貨同步成長，挹
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SSD 2013 Q1出貨量1150萬臺 未來成長空間仍相當大
固態(tài)硬碟(SSD)是這幾年快速崛起的儲存產(chǎn)品，也帶給記憶體相關(guān)業(yè)者相當多商機，包括NAND Flash晶片、SSD供應商或是SSD控制晶片業(yè)者。目前NAND Flash晶片供應商包括三星電子(Samsung Electronics)、東芝(Toshiba)、新帝
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為何Flash存儲產(chǎn)品能夠生存壯大
我永遠忘不了自己第一眼看到華麗的菲斯克卡瑪（Fisker Karma）1的情景。在那之前，公眾一直沉迷于豐田普銳斯或日產(chǎn)Leaf等混合動力插電式汽車，這些車的外觀性感異常，就像Martha Stewart在新一期維多利亞的秘密內(nèi)衣產(chǎn)
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JEDEC標準(JESD216)S FDP對串行Flash在系統(tǒng)中的應用
摘要：JEDEC標準(JESD216)Serial Flash Discoverable Parameter (SFDP)[1]是在串行Flash中建立一個可供查詢的描述串行Flash功能的參數(shù)表。文章主要介紹了這個串行Flash功能參數(shù)表的結(jié)構(gòu)、功能和作用，并給出其在系統(tǒng)
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IBM籌劃flash業(yè)務開發(fā)藍圖
IBM預計將在明年利用新創(chuàng)公司Diablo Technologies的技術(shù)，為伺服器雙列直插式存儲器模組(DIMM)插槽加入NAND flash。該公司并計劃在DIMM埠中采用自行設計的控制器芯片。此外，IBM并加倍擴增去年從Texas Memory System
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高速PCB設計中的常見問題及解決方法
隨著器件工作頻率越來越高，高速PCB設計所面臨的信號完整性等問題成為傳統(tǒng)設計的一個瓶頸，工程師在設計出完整的解決方案上面臨越來越大的挑戰(zhàn)。盡管有關(guān)的高速仿真工具和互連工具可以幫助設計設計師解決部分難題，但
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