PPTV攜手華數(shù)傳媒合作推出了機頂盒產(chǎn)品PPBox,299元售價在業(yè)界引起了不小的轟動。今日零點800臺工程版PPBox的網(wǎng)絡預售正式首發(fā)了,工程版的售價為199元,但僅過了3分鐘的時間,800臺PPBox就被速搶一空。
三星電子近日宣布,正在開發(fā)全球首款采用45nm工藝的嵌入式閃存eFlash,并且已經(jīng)成功在智能卡測試芯片上部署了新工藝,為量產(chǎn)和商用打下了堅實基礎。三星宣稱,基于其45nm eFlash的智能卡電路具備極高的可靠性、耐久性
盛群推全新系列的TinyPower液晶(LCD)快閃記憶體(Flash)微控制器(MCU),全系列包含HT69F30A、HT69F40A及HT69F50A三個微控制器,符合工業(yè)上-40°C~85°C工作溫度與高抗雜訊之性能要求,且提供48~80接腳的不同封
近期內(nèi)存業(yè)界傳出三星電子(Samsung Electronics)將策略性淡出小型內(nèi)存卡microSD生產(chǎn)行列,未來僅針對少數(shù)幾家客戶以供應Wafer方式,讓客戶自行生產(chǎn)并封裝 microSD成卡,至于三星既有資源將全數(shù)投注于eMMC、eMCP、固態(tài)
MSP430 FLASH型單片機的FLASH存儲器模塊根據(jù)不同的容量分為若干段,其中信息存儲器SegmengA及SegmentB各有128字節(jié),其他段有512字節(jié)。SegmentB的地址是:0x01000h到0x107F,SegmentA的地址是:0x01080h到0x010FFh。其
Holtek推出全新系列的TinyPowerTM LCD Flash MCU,全系列包含HT69F30A、HT69F40A及HT69F50A三個MCU,符合工業(yè)上-40℃ ~ 85℃工作溫度與高抗噪聲之性能要求,且提供48 ~ 80-pin的不同封裝型式,搭配TinyPowerTM Flash
今年智慧型手機、平板等行動裝置快速成長、DRAM及NAND Flash價格也不斷走高,整體景氣看旺,對于數(shù)位儲存市場來說,將會有很大的發(fā)展空間。然而也正因為智慧手機和平板裝置成為未來主流、亦隨著云端熱潮崛起,產(chǎn)業(yè)典
英飛凌科技與格羅方德公司 (Globalfoundries Inc.) 今日宣佈共同開發(fā)并合作生產(chǎn) 40 奈米 (nm) 嵌入式快閃記憶體 (eFlash) 製程技術。這項合作案將著重于以英飛凌 eFlash 晶片設計為基礎的技術開發(fā),以及採用 40nm 製
英飛凌科技與格羅方德公司 (Globalfoundries Inc.) 今日宣佈共同開發(fā)并合作生產(chǎn) 40 奈米 (nm) 嵌入式快閃記憶體 (eFlash) 製程技術。這項合作案將著重于以英飛凌 eFlash 晶片設計為基礎的技術開發(fā),以及採用 40nm 製
Holtek推出全新的A/D與I/O兩系列的Full Speed USB Flash MCU - HT66FB540、HT66FB550、HT66FB560與HT68FB540、HT68FB550、HT68FB560。HT66FB5x0與HT68FB5x0為Holtek新世代8-bit Flash USB MCU系列產(chǎn)品。Holtek提供高
Holtek推出全新系列的TinyPowerTM LCD Flash MCU,全系列包含HT69F30A、HT69F40A及HT69F50A三個MCU,符合工業(yè)上-40℃ ~ 85℃工作溫度與高抗噪聲之性能要求,且提供48 ~ 80-pin的不同封裝型式,搭配TinyPowerTM Flash
繼現(xiàn)有的Enhanced Flash MCU A/D型的HT66Fxx系列,Holtek再推出HT66F60A/70A、HT66FB60A/70A及HT66FU60A/70A系列MCU。除承襲原有之USB及UART系列外,并將程序空間推展到32K Words。適用于各種小家電、量測儀表、工業(yè)
從手機到平板電腦,以及藍牙耳機等外設,各種數(shù)碼產(chǎn)品想要能“說”會“唱”,都必須依靠音頻芯片。高性能的音頻芯片往往功耗較高,會大幅度降低移動設備電池使用時限。今年初,成都銳成芯微科技有限責任公司(以下簡稱
面板產(chǎn)業(yè)受到大尺寸電視與iTV帶動,近幾個月出現(xiàn)需求回升態(tài)勢,明年整體面板產(chǎn)業(yè)可望好轉,而半導體材料通路商華立(3010)旗下代理的日系LCD時序控制晶片也在第四季再度打入新客戶,加上新增的驅動IC與Flash產(chǎn)品線效應
專業(yè)封裝測試廠力成科技(6239)昨天公布3月合并營收31.17億元,月增6.6%,年增8.08%。法人預估,第2季在DRAM及Flash需求量價同增下,力成營收可望擺脫陰霾,逐步向上。 另一家封測大廠矽品也公布3月合并營收達49
據(jù)DIGITIMES Research報道,2012年第4季日本半導體龍頭廠東芝(Toshiba)因NAND Flash價格較第3季上揚,其半導體事業(yè)營收較第3季增長10.5%,為2,316億日圓(約24億美元),已連續(xù)兩季增長,且營業(yè)利益亦由第3季120億日
基于TMS320C6000 DSP及DSP/BIOS系統(tǒng)的Flash引導自啟動設計
基于TMS320C6000 DSP及DSP/BIOS系統(tǒng)的Flash引導自啟動設計
全球市場研究機構TrendForce調(diào)查顯示,受到NAND Flash原廠對通路市場客戶持續(xù)緊縮供貨下,三月上旬NAND Flash合約價呈現(xiàn)上漲的走勢,特別是在低容量MLC與TLC部分,漲幅高達10%以上水平。展望2013年,受惠智能型手機、
隨著人們對消費電子如數(shù)碼相機、便攜式音樂播放器、智能手機、平板電腦、固態(tài)硬盤等需求的日益增長,大容量、高速度、小體積、便攜性以及較低價格等因素使NANDFlash一舉成為目前乃至未來一段時間中高容量閃存甚至存儲