UPD78F9211/9212/9210 自寫方式編程
對明年NAND Flash的發(fā)展趨勢,金士頓Kingston亞太區(qū)Flash Memory業(yè)務總監(jiān)蘇治源看法樂觀。他認為伴隨著SSD、智能型手機的需求將持續(xù)成長,明年NAND Flash可望比今年成長3~4成。蘇治源表示,固態(tài)硬盤(SSD)達到價格的甜
摘要在嵌入式設計中,許多應用設計都需要使用EEPROM 存儲非易失性數(shù)據,由于成本原因,某些單片機在芯片內部并沒有集成EEPROM。MSP430G 系列處理器是TI 推出的低成本16 位處理器,在MSP430G 系列單片機中并不具備EE
11月29日消息,據國外媒體報道,荷蘭一家法庭周三作出了有利于蘋果的判決,責令禁止出售特定的三星Galaxy平板電腦和智能手機,因為這些產品侵犯了蘋果的專利。據悉,這項禁令適用于版本較老的三星Android設備,這些產
專注于工業(yè)級與汽車級混合信號集成電路研發(fā)、銷售的上海芯旺微電子(ChipON),將在IIC China 2013上展示ChipON工業(yè)級與汽車級Flash MCU產品、全集成移動電源主控單片機KF8F213、強抗干擾觸摸按鍵芯片、高性能計價秤
全球市場研究機構TrendForce旗下研究部門DRAMeXchange的調查顯示, 雖然NAND Flash供貨商采取供貨緊縮的策略不變,但針對感恩節(jié)與圣誕節(jié)的消費性電子系統(tǒng)產品的備貨需求高峰已過,以至于NAND Flash MLC合約價下滑約1
半導體零組件通路商至上(8112)今年起新增Samsung的AMOLED代理線,其中,小尺寸面板主要將出貨給中國的二線手機、平板廠商,Q2仍在與客戶送樣當中,預期Q3起就可開始有小幅度營收挹注;同時,Samsung近期積極耕耘大尺
Windows7 SP1(64位)補丁包(Win7補丁匯總)更新到本月最新。包含Windows7SP1中文版所有重要補丁,可離線安裝,適用于Windows 7 SP1 64位 簡體中文系統(tǒng)。包含Internet Explorer 8補丁和IE兼容性補丁。WinXP補丁包|Windo
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昨天下午小米盒子(高清互聯(lián)網電視盒)已正式發(fā)布了,該機售價為399元,小米手機用戶購買則只需299元即可。對于這款“電視盒”,很多朋友并不是十分了解其功能和作用?,F(xiàn)在就讓我們通過下面這段試玩體驗
Arduino的原理及應用
嵌入式系統(tǒng)Flash存儲管理策略研究
信息時代數(shù)據爆炸式的增長帶來了對存取需求的急劇增長,同時也推動了NAND FLash閃存芯片的快速發(fā)展,如今便攜式電子產品的大規(guī)模需求為其提供了巨大的市場空間,無論是閃存盤、閃存卡、固態(tài)硬盤,還是平板電腦、數(shù)碼
隨著第三季后期系統(tǒng)產品OEM客戶的備貨需求開始回溫,NAND Flash市況轉為供貨偏緊,9月份NAND Flash合約價格也轉為止跌回升的狀況。根據全球市場研究機構TrendForce旗下研究部門DRAMeXchange調查顯示,2012年第三季 N
根據全球市場研究機構TrendForce旗下研究部門DRAMeXchange的調查,由于NAND Flash供貨持續(xù)吃緊,加上買方需求力道仍在,10月下旬合約價格仍上漲了7-12%。多數(shù)供貨商在產能有效控制的狀況下,持續(xù)采取供貨控管的策略以
聯(lián)華電子(UMC,以下簡稱聯(lián)電)宣布,已順利驗證晶圓代工業(yè)界首個結合12V解決方案的高壓嵌入式快閃記憶體(eFlash)制程。此制程可將中大尺寸之觸控IC所需的驅動高壓,以及存放演算法所需的eFlash,結合于同一顆高整合度
1 引言在便攜式電子產品如U盤、MP3播放器、數(shù)碼相機中,常常需要大容量、高密度的存儲器,而在各種存儲器中,NAND FLASH以價格低、密度高、效率高等優(yōu)勢成為最理想的器件。但NAND FLASH的控制邏輯比較復雜,對時序要
就中國MCU市場而言,工業(yè)領域依舊是最大應用領域,汽車、消費類應用緊隨其后。據IHS iSuppli公司的數(shù)據顯示,2012年中國MCU市場營業(yè)收入將達到35.3億美元,基本與去年持平。8位MCU依舊還是市場主力,而32位MCU也增長
聯(lián)電(2303-TW)(UMC-US)今(19)日宣布,已順利驗證晶圓專工業(yè)界第一個結合12V解決方案的高壓嵌入式快閃記憶體(eFlash)制程。聯(lián)電指出,此制程可將中大尺寸之觸控IC所需的驅動高壓,以及存放演算法所需的eFlash,結合于
聯(lián)電(2303-TW)(UMC-US)今(19)日宣布,已順利驗證晶圓專工業(yè)界第一個結合12V解決方案的高壓嵌入式快閃記憶體(eFlash)制程。聯(lián)電指出,此制程可將中大尺寸之觸控IC所需的驅動高壓,以及存放演算法所需的eFlash,結合于