2022年11月,聯(lián)發(fā)科(MediaTek)發(fā)布全新 4K 旗艦智能電視芯片 Pentonic 1000,賦能新一代4K 120Hz 智能電視體驗(yàn)升級。Pentonic 1000 支持Wi-Fi 6/6E 網(wǎng)絡(luò)連接,支持4K 120Hz 運(yùn)動(dòng)補(bǔ)償(MEMC),搭載強(qiáng)勁的AI 處理器,支持杜比視界 IQ 精準(zhǔn)細(xì)節(jié)(Dolby Vision IQ with Precision Detail)功能,得益于MediaTek Intelligent View技術(shù),用戶可在顯示屏上同時(shí)播放8種不同的視頻內(nèi)容。此外,Pentonic 1000支持先進(jìn)的視頻解碼及全球電視廣播標(biāo)準(zhǔn)。
幸運(yùn)的是,現(xiàn)代電子技術(shù)與大量控制理論相結(jié)合,使得控制速度變得相對容易。與轉(zhuǎn)矩和位置一樣,速度是通常建立的三個(gè)基本電機(jī)參數(shù)控制回路之一。需要精確速度控制的示例電機(jī)應(yīng)用包括冷卻風(fēng)扇、硬盤驅(qū)動(dòng)器、激光打印機(jī)和裝配線傳送帶。在這些類型的應(yīng)用中,在不同負(fù)載下保持恒定速度至關(guān)重要。
人類最原始的沖動(dòng)是前進(jìn),讓事情變得更好、更快、更大。我們在半導(dǎo)體行業(yè)看到了同樣的人類趨勢,嗯,除了更大,在電子世界中實(shí)際上更小。一旦晶體管被發(fā)明出來,早期的先驅(qū)者就會(huì)問:“我們可以在同一個(gè)芯片上放置多個(gè)晶體管嗎?” 導(dǎo)致杰克·基爾比發(fā)明了集成電路。如今,電源管理單元 (PMU) 將數(shù)量驚人的電路集成到單個(gè) IC 中,更好、更小、更快地實(shí)現(xiàn)了這一目標(biāo)。
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最流行的 e-mode HEMT 結(jié)構(gòu)是在柵極上使用 p-GaN 層。實(shí)現(xiàn)的典型 Vt 在 1-2 V 范圍內(nèi)。HEMT 在開關(guān)應(yīng)用中的固有優(yōu)勢得以保留,并且開關(guān)損耗可以更低。e-mode 器件的主要缺點(diǎn)之一是其低 Vt,這可能導(dǎo)致柵極對噪聲和 dV/dt 瞬態(tài)的抗擾度較差。出于可靠性原因,最大柵極電壓通常限制為 6-7 V,并且可能需要負(fù)電壓來關(guān)閉器件。
氮化鎵 (GaN) 功率器件在幾個(gè)關(guān)鍵性能指標(biāo)上都優(yōu)于硅 (Si)。具有低本征載流子濃度的寬帶隙允許更高的臨界電場,從而允許在更高的擊穿電壓下具有降低的特定導(dǎo)通電阻 (Rds on ) 的更薄的漂移層。導(dǎo)通損耗可以通過較低的 Rdson 降低,而動(dòng)態(tài)損耗可以通過GaN可能的更小的裸片尺寸來降低. 當(dāng)它與鋁基異質(zhì)結(jié)構(gòu)結(jié)合時(shí)形成二維電子氣 (2DEG) 的能力導(dǎo)致了備受青睞的高電子遷移率晶體管 (HEMT) 功率器件。
從智能設(shè)備充電器等低功率、低成本應(yīng)用一直到高功率汽車應(yīng)用,氮化鎵 FET 正成為許多產(chǎn)品的廣泛首選。大多數(shù)情況下,設(shè)計(jì)人員對 GaN 提供的更高的效率和功率密度印象深刻,這導(dǎo)致器件具有比硅同類產(chǎn)品更大的功率能力。然而,高端音頻放大器現(xiàn)在也越來越多地轉(zhuǎn)向 GaN 技術(shù),因?yàn)?GaN FET 的平滑開關(guān)特性導(dǎo)致注入放大器的可聽噪聲更少。
我有一個(gè)朋友喜歡世界各地的最新技術(shù)。帶著對 3D 打印機(jī)的狂熱,他最近邀請我去他的公寓欣賞他的新杰作,一臺(tái)自制的 3D 打印機(jī)。嗯,他確實(shí)很好地為我打印了一只三條腿半個(gè)頭的小狗,但真正引起我注意的是他的打印機(jī)在制作小狗時(shí)發(fā)出的小聲響。因此,在贊揚(yáng)了他的出色工作之后,我們花了一些時(shí)間討論導(dǎo)致這種噪音的原因。
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