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最流行的 e-mode HEMT 結(jié)構(gòu)是在柵極上使用 p-GaN 層。實現(xiàn)的典型 Vt 在 1-2 V 范圍內(nèi)。HEMT 在開關(guān)應(yīng)用中的固有優(yōu)勢得以保留,并且開關(guān)損耗可以更低。e-mode 器件的主要缺點之一是其低 Vt,這可能導(dǎo)致柵極對噪聲和 dV/dt 瞬態(tài)的抗擾度較差。出于可靠性原因,最大柵極電壓通常限制為 6-7 V,并且可能需要負(fù)電壓來關(guān)閉器件。
氮化鎵 (GaN) 功率器件在幾個關(guān)鍵性能指標(biāo)上都優(yōu)于硅 (Si)。具有低本征載流子濃度的寬帶隙允許更高的臨界電場,從而允許在更高的擊穿電壓下具有降低的特定導(dǎo)通電阻 (Rds on ) 的更薄的漂移層。導(dǎo)通損耗可以通過較低的 Rdson 降低,而動態(tài)損耗可以通過GaN可能的更小的裸片尺寸來降低. 當(dāng)它與鋁基異質(zhì)結(jié)構(gòu)結(jié)合時形成二維電子氣 (2DEG) 的能力導(dǎo)致了備受青睞的高電子遷移率晶體管 (HEMT) 功率器件。
從智能設(shè)備充電器等低功率、低成本應(yīng)用一直到高功率汽車應(yīng)用,氮化鎵 FET 正成為許多產(chǎn)品的廣泛首選。大多數(shù)情況下,設(shè)計人員對 GaN 提供的更高的效率和功率密度印象深刻,這導(dǎo)致器件具有比硅同類產(chǎn)品更大的功率能力。然而,高端音頻放大器現(xiàn)在也越來越多地轉(zhuǎn)向 GaN 技術(shù),因為 GaN FET 的平滑開關(guān)特性導(dǎo)致注入放大器的可聽噪聲更少。
我有一個朋友喜歡世界各地的最新技術(shù)。帶著對 3D 打印機的狂熱,他最近邀請我去他的公寓欣賞他的新杰作,一臺自制的 3D 打印機。嗯,他確實很好地為我打印了一只三條腿半個頭的小狗,但真正引起我注意的是他的打印機在制作小狗時發(fā)出的小聲響。因此,在贊揚了他的出色工作之后,我們花了一些時間討論導(dǎo)致這種噪音的原因。
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模塊有連續(xù)測量和單次測量兩種測量模式, 通過向測量模式寄存器 WKMOD.[0]寫入 1 使模塊工作于連續(xù)測量工作模式, 寫入 0 使模塊工作于單次測量工作模式。 WKMOD.[15]用來設(shè)置是否在模塊“ 忙” 時禁用數(shù)字接口,當(dāng)數(shù)字接口被禁用期間,模塊不會收到任何經(jīng)由數(shù)字接口傳輸?shù)臄?shù)據(jù)或指令, 當(dāng)數(shù)字接口不被禁用時,模塊內(nèi)部維持傳感器測量優(yōu)先的邏輯,收到的指令會在模塊完成當(dāng)次測量后得到響應(yīng)。
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