在超級(jí)結(jié)MOSFET出現(xiàn)之前，高壓器件的主要設(shè)計(jì)平臺(tái)是基于平面技術(shù)。現(xiàn)如今，基于超級(jí)結(jié)技術(shù)的功率MOSFET已成為高壓開關(guān)轉(zhuǎn)換器領(lǐng)域的業(yè)界規(guī)范。它們提供更低的RDS(on)，同時(shí)具有更少的柵極和和輸出電荷，這有助于在高頻率下保持更高的效率。2017年7月4日的羅姆發(fā)布會(huì)上，羅姆半導(dǎo)體(上海)有限公司設(shè)計(jì)中心高級(jí)經(jīng)理水原德健先生跟我們分享了從2014年開始到2020年MOS管市場(chǎng)的變化情況。

圖：羅姆半導(dǎo)體(上海)有限公司設(shè)計(jì)中心高級(jí)經(jīng)理水原德健先生

水原德健先生提到，總的來說，MOS整體的需求量沒有太大增長(zhǎng)。但是中間有一個(gè)很大的變化，平面MOS市場(chǎng)越來越小，超級(jí)結(jié)MOSFET市場(chǎng)越來越大。2014年的時(shí)候還是以平面MOS為主，但是在2016年的時(shí)候基本一半一半了，到2020年可以看到超級(jí)結(jié)MOS已成為主流。為什么會(huì)這樣?這主要是大家在選擇產(chǎn)品的時(shí)候一般考慮兩個(gè)因素：性能和價(jià)格。性能方面可以說各有千秋，但是超級(jí)結(jié)MOS更節(jié)能。價(jià)格的話，在第零代的時(shí)候，超級(jí)結(jié)MOS價(jià)格大約是平面MOS的1.7倍到2倍，到了第一代，大約是1.5倍。第二代，基本上已與平面MOS的價(jià)格開始持平。超級(jí)結(jié)MOS的導(dǎo)通損耗小，比平面MOS更節(jié)能一些，而且價(jià)格與平面MOS相比相持平，這就是整個(gè)市場(chǎng)上會(huì)得到很大應(yīng)用的原因。

緊跟市場(chǎng)發(fā)展的羅姆集團(tuán)擁有很多高耐壓超級(jí)結(jié)MOSFET產(chǎn)品。水原德健先生跟21ic記者介紹了幾款典型產(chǎn)品。首先是羅姆低噪音的超級(jí)結(jié)MOS，即EN系列。EN系列特殊的構(gòu)造可以達(dá)到跟平面MOS一樣的低噪音性，并同時(shí)減低了80%的Ron(導(dǎo)通電阻)，實(shí)現(xiàn)更節(jié)能。第二個(gè)高速開關(guān)的MOSFET，高速開關(guān)的產(chǎn)品主要是為了開關(guān)的時(shí)候損耗降得更低一些，可以使整機(jī)的效率變得更高。羅姆的第二代高速開關(guān)超級(jí)結(jié)MOS-KN系列主要改變了開關(guān)特性， Rg(門極上的電阻)和Qgd(柵極輸入電荷量)，輸入電荷更少可以使開關(guān)速度更快。KN系列產(chǎn)品即改變了門極上的電荷和電阻，使開關(guān)速度變得更快。

第三個(gè)就是本次發(fā)布會(huì)上，羅姆跟21ic記者介紹的重點(diǎn)新品——業(yè)界最快trr性能的600V超級(jí)結(jié)MOSFET-PrestoMOS R60xxMNx系列。在這里我們先來理清這個(gè)包含關(guān)系：PrestoMOS屬于超級(jí)結(jié)MOSFET，超級(jí)結(jié)MOSFET屬于功率MOSFET，功率MOSFET屬于功率晶體管。PrestoMOS就是高速的trr(反向恢復(fù)時(shí)間)超級(jí)結(jié)的MOSFET。今天我們的重點(diǎn)就是第二代PrestoMOS。

圖：PrestoMOS、超級(jí)結(jié)MOSFET、功率MOSFET的關(guān)系

先簡(jiǎn)單介紹下羅姆的第一代PrestoMOS。從構(gòu)造上看，MOS里有兩個(gè)構(gòu)造，一個(gè)是真正的MOS構(gòu)造，一個(gè)是體二極管。我們說產(chǎn)品的好與壞，第一個(gè)就看本體MOS特性的好與壞，這主要取決于導(dǎo)通電阻和Qg，這兩個(gè)參數(shù)都是越小越好。第二個(gè)特性是體二極管的trr特性。羅姆第一代的PrestoMOS主要是改變了體二極管的trr特性。MOSFET是一個(gè)半導(dǎo)體，從ON到OFF的時(shí)候會(huì)出現(xiàn)一個(gè)反向特性，有一個(gè)反向的恢復(fù)時(shí)間和反向的恢復(fù)電流。反向的恢復(fù)時(shí)間乘以反向的恢復(fù)電流，這就是開關(guān)造成的開關(guān)損耗，開關(guān)的損耗越小，整體就越節(jié)能。羅姆在第一代產(chǎn)品最主要改變了trr的特性，逆變器效率更高。

羅姆的第一代產(chǎn)品降低了trr，第二代產(chǎn)品在繼續(xù)提高trr性能的基礎(chǔ)上，同時(shí)降低了導(dǎo)通電阻并提高開關(guān)速度。羅姆的第二代PrestoMOS采用了新的縱向溝槽構(gòu)造：一是把PN結(jié)構(gòu)之間的間距變得更小;二是把N極的電流濃度變得更大。通過改變這新的構(gòu)造，使產(chǎn)品的導(dǎo)通電阻更低，開關(guān)速度更快。從對(duì)比中可以看到，開關(guān)速度Qg和原有的第一代產(chǎn)品相比，第二代產(chǎn)品降低了70%，導(dǎo)通電阻降低了40%。在這兩個(gè)特性之上，體二極管的trr特性降低了20%?？梢哉f，第二代PrestoMOS是個(gè)開關(guān)損耗、導(dǎo)通損耗和trr損耗都是很小的產(chǎn)品。

圖：第一代PrestoMOS和第二代性能對(duì)比情況

和競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手比較，第二代PrestoMOS一是具有超強(qiáng)短路耐受能力，二是競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手在ON的情況下出現(xiàn)了自導(dǎo)的狀況，而羅姆自導(dǎo)的狀況很小。而自導(dǎo)通越小功率損耗越小。

圖：競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手與羅姆第二代PrestoMOS自導(dǎo)通情況對(duì)比

最后，水原德健先生談到了關(guān)于羅姆產(chǎn)品生產(chǎn)的問題。他介紹到，羅姆的前工程都是在日本國(guó)內(nèi)，后工程主要是在國(guó)外，目前在日本、泰國(guó)和菲律賓都有工廠。羅姆同樣的產(chǎn)品為什么在兩個(gè)或兩個(gè)以上的地方同時(shí)進(jìn)行生產(chǎn)?“同樣的產(chǎn)品要分幾個(gè)地方去做，看起來很浪費(fèi)資源。但是如果某個(gè)地區(qū)發(fā)生意外就不能正常供貨了，比如2011年泰國(guó)發(fā)生了洪水，如果當(dāng)時(shí)只有泰國(guó)一地工廠生產(chǎn)產(chǎn)品，會(huì)給給客戶的生產(chǎn)帶來很大的麻煩。第一，產(chǎn)品生產(chǎn)不出來;第二，生產(chǎn)出來的產(chǎn)品運(yùn)不出去，因?yàn)槟銢]有替代產(chǎn)品，最終給客戶帶來很大的麻煩。在這之后，羅姆為了把風(fēng)險(xiǎn)降到最低，不論任何產(chǎn)品都在兩個(gè)或兩個(gè)以上的地方來進(jìn)行同時(shí)生產(chǎn)。也就是說，無(wú)論任何一個(gè)地方出現(xiàn)了什么樣不可抗拒的事情發(fā)生，羅姆都會(huì)在同一時(shí)間內(nèi)有相同的產(chǎn)品從另外一個(gè)工廠生產(chǎn)出來，這樣不會(huì)給客戶帶來生產(chǎn)上的麻煩。”水原德健先生說到。

超級(jí)結(jié)結(jié)構(gòu)是高壓MOSFET技術(shù)的重大發(fā)展并具有顯著優(yōu)點(diǎn)，其RDS(on)、柵極容值和輸出電荷以及管芯尺寸同時(shí)得到降低。從羅姆此次新品發(fā)布會(huì)我們就能看到超級(jí)結(jié)MOS的市場(chǎng)前景。未來，超級(jí)結(jié)MOS會(huì)不會(huì)把平面MOS虐到哭，還需要時(shí)間見分曉。