太陽能硅晶圓廠商達能(3686)今年展開擴廠計劃,桃園晶圓二廠今(25)早舉行動土典禮,將在年底前可望加入生產(chǎn)貢獻行列,依該公司計劃,今年公司年產(chǎn)能可達到200MW的水平。 達能晶圓二廠主要仍是以太陽能硅晶圓長晶
花旗環(huán)球證券半導體首席分析師陸行之今日出具日月光(2311)研究報告指出,提供半導體設備及材料大廠K&S (Kulicke and Soffa)預期五年內(nèi)銅打線制程將占打線制程的8成,并預估今年第四季前,20-25%的日月光及硅品(23
臺積電(2330)研發(fā)資深副總經(jīng)理蔣尚義23日在日本舉行的臺積電先進技術(shù)主管高峰會上指出,40奈米良率問題獲得解決,將加速擴產(chǎn)進度,第1季40奈米產(chǎn)能已提升至8萬片,預計第4季產(chǎn)能可提升一倍至16萬片,占營收比重則挑
由攝像機捕獲的模擬視頻信號,為了便于傳輸通常把視頻信號數(shù)字化(圖1)。數(shù)字視頻有很多優(yōu)勢,它能夠根據(jù)對圖像質(zhì)量的要求進行壓縮,量化后的視頻信號不會因為存儲和傳輸而降低質(zhì)量。但為了便于人眼觀看,它還必須
近日,泰科電子宣布推出全新板對板螺絲緊固跨接器,應用于LED燈條、照明控制及發(fā)光立體字等領(lǐng)域。全新跨接器符合RoHS規(guī)范,設計針對T8及T12熒光替代燈管,特別適用于固態(tài)照明(SSL)市場。 全新跨接器可為LED 印刷電
在GSM無線中由于各種原因的不可能達到完全的無縫隙覆蓋,在一些偏遠的,處于盲區(qū)的廠礦采用室外直放站進行覆蓋是一種快捷、的好辦法。室外直放站系統(tǒng)的設計主要包括穩(wěn)定性設計和覆蓋設計兩個方面。 1.直放站的
2月25日消息,據(jù)臺灣媒體報道,手機芯片大廠聯(lián)發(fā)科為控制庫保持在正常水位,擬減少在晶圓代工廠臺積電、聯(lián)電的投片量,幅度約10%到20%,此舉或引發(fā)業(yè)界對晶圓代工業(yè)出現(xiàn)“重復下單(doublebooking)”的擔憂,為第二
三星電子宣布,該公司已經(jīng)在業(yè)內(nèi)第一家使用40nm級別工藝批量生產(chǎn)低功耗的4GbDDR3內(nèi)存芯片。這種內(nèi)存芯片支持1.5V和1.35V兩種工作電壓,可組裝成16/32GBRDIMM服務器內(nèi)存條或者8GBSO-DIMM筆記本內(nèi)存條,性能1.6Gbps,功
背景:2008年10月半導體大廠AMD與中東阿布達比先進技術(shù)投資公司(ATIC)合作,除接受來自ATIC的7億美元資金,讓經(jīng)營狀況獲得改善外,AMD更將半導體制造部門切割予以獨立,并與ATIC合資成立以晶圓代工為核心業(yè)務的新公司
首季以來,由于大陸提前拉貨,芯片市場供應吃緊頻傳,上游晶圓代工與下游封測一路喊缺,不過重覆下單的疑慮在年后顯然仍未消散,半導體業(yè)界人士指出,由于各家IC設計業(yè)者急著搶產(chǎn)能,隨著第3到第4季需求逐漸走弱,已
雖然已是各種智能卡芯片代工市場老大,但是上海華虹NEC電子有限公司(“華虹NEC”)絕不滿足于人們將之看作一家智能卡芯片的廠商。華虹NEC自2002年停止DRAM生產(chǎn)、轉(zhuǎn)向?qū)I(yè)代工算起,就確立了通過特色代工工藝吸引戰(zhàn)略
Diode公司推出擊穿電壓為400V的四開關(guān)二極管陣列MMBD5004BRM,旨在承受DAA調(diào)制解調(diào)器正極和負極電話線接口和一般離線整流應用中最壞的線瞬變情況。MMBD5004BRM二極管陣列結(jié)合了更快的開關(guān)速度(trr=50ns)和低結(jié)電容
意法半導體推出一款業(yè)界獨創(chuàng)、采用一個感應結(jié)構(gòu)檢測三條正交軸向運動2的3軸數(shù)字陀螺儀L3G4200D。這種創(chuàng)新的設計概念大幅提升運動控制式消費電子應用的控制精度和可靠性,為設備的用戶界面實現(xiàn)前所未有的現(xiàn)場感。 現(xiàn)有
世上恐怕很難再找到一種像SATA標準一樣具有強烈兩面性的接口標準了,這種標準的接口在機箱內(nèi)部應用場合占據(jù)絕對的主導地位,不過在機箱外部的外設連接場合則很少被人們使用。為此,幾年前SATA聯(lián)盟制訂了一個名為eSAT
李洵穎/臺北 臺積電在日本橫濱舉辦高階制程研討會,該公司新世代22奈米制程技術(shù)藍圖首次對外曝光。臺積電研究發(fā)展資深副總經(jīng)理蔣尚義在會中指出,臺積電已切入22奈米制程的研發(fā)作業(yè),計劃2012~2013年將可望進入試產(chǎn)