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聯(lián)電重申28奈米貢獻比 內外資高低目標價差達8元
聯(lián)電(2303-TW)今(24)日重申早先法說會釋出的28奈米在今年底營收貢獻目標為個位數(shù)百分比。對聯(lián)電，外資未有調高目標價的報告，而內資法人出具的最新報告則從中立轉買進、喊出調高目標價至18元，也是內資近1年半來的最
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Maxim Integrated推出超高效率、高可靠性DC-DC穩(wěn)壓器
21ic訊 Maxim Integrated Products, Inc. 推出同步整流DC-DC降壓轉換器MAX17503，能夠在較寬的工業(yè)電壓范圍內提供更高效率。MAX17503內置兩個MOSFET開關，無需使用外部肖特基二極管，與其它工業(yè)應用高壓DC-DC轉換器相
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臺積沖制程 帶旺半導體
8月北美半導體B／B值跌至1之下，庫存疑慮仍未解，但晶圓代工龍頭廠臺積電（2330）沖刺特殊先進制程加快腳步，利多題材帶領半導體類股指數(shù)昨（23）日強漲近2%，成功淡化半導體景氣恐向下之利空。法人表示，半導體面臨
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聯(lián)電傳獲聯(lián)發(fā)科高通訂單
市場昨（23）日傳出，晶圓代工廠聯(lián)電因28納米制程良率提升，接獲聯(lián)發(fā)科與高通訂單。聯(lián)電對此表示，關于客戶信息，無法評論。晶圓代工龍頭臺積電在28納米制程市占率持續(xù)領先，不過聯(lián)電與格羅方德等業(yè)者也積極搶進。目
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蘋果的野心 64位A7芯片是有遠見的一步?
iPhone5s的最為明顯的一升級地方在于其搭載了蘋果A7處理器，作為發(fā)布會的重點內容，蘋果為我們詳細介紹了這顆特別的芯片，其最耀眼的地方便在于它是64位的結構。iPhone5s作為首款搭載64位架構芯片的手機，自然噱頭十
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歐盟開展計劃確保納米級集成電路可靠性
[據(jù)歐盟研發(fā)信息服務共同體網站2013年9月19日報道]按比例縮放的納米電子集成電路特征尺寸的減小使芯片性能越來越不可靠。歐盟已經設立計劃，發(fā)展克服這一問題的技術。納米級按比例縮放的互補金屬氧化物半導體（CMOS）
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阻擊ARM 英特爾重塑數(shù)據(jù)中心策略
ARM企圖蠶食英特爾具有霸主地位的伺服器市場的目的早已昭然，錯過了移動晶元先機的英特爾正在進行反擊。9月23日，英特爾在北京舉行凌動處理器C2000產品家族產品解析會。據(jù)英特爾中國產品平臺事業(yè)部總經理BrentYoung介
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2014預估產值╱半導體年增7% 優(yōu)于全球
資策會產業(yè)情報研究所（MIC）表示，隨著總體經濟復蘇，PC產業(yè)可望回穩(wěn)及智慧手持裝置持續(xù)成長的帶動下，2014年全球半導體市場將達到3104億美元，預估成長3.8%。臺灣半導體產業(yè)成長動能將趨緩，但可望優(yōu)于全球半導體平
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低成本、16位、250 kSPS、8通道、隔離數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)
電路功能與優(yōu)勢圖1所示電路是高性價比、高度集成的16位、250 kSPS、8通道數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)，可對±10 V工業(yè)級信號進行數(shù)字化轉換。該電路還可在測量電路與主機控制器之間提供2500 V rms隔離，整個電路采用隔離式P
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國產IGBT前景光明，突破之路曲折
隨著IGBT技術的發(fā)展，IGBT已經從工業(yè)擴展到消費電子應用，成為未來10年發(fā)展最迅速的功率半導體器件；而在中國市場，軌道交通、家電節(jié)能、風力發(fā)電、太陽能光伏和電力電子等應用更是引爆了IGBT應用市場。據(jù)IHSiSuppli
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臺積電芯片最終市場價值 超越英特爾
據(jù)統(tǒng)計，今年全球半導體銷售規(guī)模將達2,710億美元，晶圓代工廠營收占比約16.4％，但若以晶圓代工「最終市場價值（FinalMarketValue）」估算，比重提升至36.3％；其中，臺積電第2季生產的芯片最終市場價值，首度超過英
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淺析模擬與數(shù)字集成的發(fā)展與挑戰(zhàn)
摩爾定律的縮減現(xiàn)象體現(xiàn)了數(shù)字領域不斷增長的集成化趨勢。晶體管幾何尺寸(節(jié)點大小)日益縮小意味著更多功能可被集成到同一芯片上。芯片尺寸越小，功耗越低，使得在能量和熱量方面的進一步集成更具可行性。其結果是更
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國產IGBT前景光明，突破之路曲折
隨著IGBT技術的發(fā)展，IGBT已經從工業(yè)擴展到消費電子應用，成為未來10年發(fā)展最迅速的功率半導體器件;而在中國市場，軌道交通、家電節(jié)能、風力發(fā)電、太陽能光伏和電力電子等應用更是引爆了IGBT應用市場。據(jù)IHS iSuppli
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東芝擴充碳化硅肖特基勢壘二極管系列
21ic訊 東芝公司(Toshiba Corporation)日前宣布將擴充其650V碳化硅(SiC)肖特基勢壘二極管(SBD)系列，為其現(xiàn)有的6A、8A和12A產品陣容中增添一款10A產品。該產品將于即日起批量交付。SBD適用于多種應用，
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朝著“三維”邁進的半導體技術
最近，“三維”一詞在半導體領域出現(xiàn)得十分頻繁。比如，英特爾采用22nm工藝制造的采用立體通道結構的“三維晶體管”、8月份三星電子宣布量產的“三維NAND閃存”，以及利用TSV(硅通孔)
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