10月30日,中科院微電子所所長葉甜春在2013年北京微電子國際研討會上提到,中國集成電路產(chǎn)業(yè)取得了長足發(fā)展,2016年中國集成電路追上摩爾定律是有可能的。2013北京微電子國際研討會于2013年10月30-31日在北京京儀大酒
10月30日,美國華美半導(dǎo)體協(xié)會彭亮博士在2013年北京微電子國際研討會上提到,萬有物聯(lián)將成為全球趨勢,而中國將成為這方面的領(lǐng)跑者。2013北京微電子國際研討會于2013年10月30-31日在北京京儀大酒店二層多功能廳舉行,
今日消息,在英特爾目前面臨的威脅中,最大的威脅莫過于摩爾定律的失效。摩爾定律預(yù)測,芯片上集成的晶體管數(shù)量每2年翻一番。芯片上集成的晶體管越多,芯片處理能力就越強大,這是過去數(shù)十年來計算機處理能力越來越強
據(jù)《福布斯》網(wǎng)站報道, 在10月29日舉行的ARM開發(fā)大會上,英特爾公司合伙伙伴Altera宣布,從明年開始,英特爾將為該公司代工生產(chǎn)ARM 64位芯片。如果不能打敗對手,就加入它們。現(xiàn)在,英特爾終于決定為自己的“死
德國電信(DeutscheTelekom)首席產(chǎn)品及創(chuàng)新執(zhí)行官托馬斯基斯林日前撰文稱,毫無疑問,我們已身處物聯(lián)網(wǎng)時代;如今的問題是,如何引導(dǎo)其發(fā)展以更符合我們的利益。文章分析了2014年物聯(lián)網(wǎng)發(fā)展的幾大趨勢,摘要如下。傳感
今天,2013年度電子產(chǎn)品世界編輯推薦獎獲獎名單揭曉,經(jīng)過網(wǎng)絡(luò)投票和專家評審環(huán)節(jié),三大類26個獎項分別有了最終歸屬,來自24家企業(yè)的參選產(chǎn)品和技術(shù)及代表性企業(yè)分享了2013年度電子產(chǎn)品世界編輯推薦獎。作為中國科技
據(jù)悉,由于晨星半導(dǎo)體(MStarSemiconductor)、敦泰科技(FocalTech)和匯頂科技(GoodixTechnology)基本上共享了整個IC市場,2013年上半年,觸控IC的價格保持相當(dāng)穩(wěn)定。但是,到2013年下半年,由于來自新的企業(yè)日益激烈的
汽車應(yīng)用目前仍是MEMS壓力傳感器的最大應(yīng)用市場,其中主流應(yīng)用包括胎壓感測系統(tǒng)(TPMS)、進氣壓力感測裝置(MAP)以及大氣絕對壓力感測裝置(BAP);汽車、醫(yī)療、工業(yè)與高端應(yīng)用MEMS壓力傳感器市場,平均成長率約在4~7%左右
傳感器是熱計量表中的重要零件,包括溫度傳感器和流量傳感器?,F(xiàn)在世面上常見的熱計量表使用的溫度傳感器幾乎都是采用的鉑熱電阻,國內(nèi)外的區(qū)別僅僅在于類型的不同,針對我國的供熱系統(tǒng)現(xiàn)況來說,Pt1000的鉑熱電阻更
新浪科技訊 北京時間10月30日下午消息,美國芯片制造商Altera周二宣布,該公司的Stratix 10 SoC(片上系統(tǒng))將整合“高性能四核64位ARM Cortex-A53處理器”。而具有諷刺意味的是,這款產(chǎn)品將由英特爾(24.5, -0.03, -0.
日月光(2311)財務(wù)長董宏思表示,第4季IC封裝測試材料營收將小幅下滑0~3%,電子制造代工業(yè)務(wù)(EMS)受惠Wi-Fi模組與SiP業(yè)績推升,營收將季增超過25%。目前SiP產(chǎn)能利用率仍維持滿載水準,營收占比可望于本季達到1成水準。
半導(dǎo)體龍頭廠臺積電預(yù)計明年資本支出將達百億美元,維持高檔,隨著臺積電拉高20奈米與16奈米的產(chǎn)能,已要求合作夥伴擴產(chǎn),專家指出,半導(dǎo)體晶圓及封測等大廠資本支出高成長,這帶動近期半導(dǎo)體設(shè)備廠及耗材股表態(tài)大漲
2013北京微電子國際研討會于2013年10月30-31日在北京京儀大酒店二層多功能廳舉行,本次大會的主題是“智能改變生活”。 在今天上午的會議上,中芯國際集成電路制造公司首席運營官趙海軍致辭,他稱,上海有12寸科研
晶圓代工二哥聯(lián)電(2303)昨(30)日召開在線法說會,第3季晶圓出貨創(chuàng)下新高,帶動單季歸屬母公司凈利達34.76億元,較第2季大幅成長91.8%,但第4季受到客戶進行庫存調(diào)整影響,預(yù)估晶圓出貨將季減8~10%。 聯(lián)電執(zhí)
臺積電(2330)在邏輯IC制程上領(lǐng)先全球同業(yè),但DRAM仍然只能依賴韓系業(yè)者提供。為了加強在3D IC的DRAM技術(shù)主導(dǎo)性,業(yè)界傳出,臺積電計畫投資1億美元開發(fā)Wide I/O(加寬匯流排)或HBM(高帶寬存儲器)等次世代DRAM產(chǎn)品