在VCA(電壓控制放大器)。由反饋環(huán)路組成電路時,通過控制反正電壓來改變放大器增益。所以傳統(tǒng)的作法是利用二極管的單向特性或采用CDS光耦合器。而在本電路中,是利用柵極源極之間的電壓使溝道電阻發(fā)生變化的原理,實現(xiàn)電壓控制。
基本放大電路是用OP放大器進(jìn)行不同相放大,通過改變反饋電路的分壓比,對放大倍數(shù)進(jìn)行控制。若用CD3,R3、R5的電阻值都可以改變。但使用FET時,由于一端接地,所以只有R5的電阻值可變。如FET的溝道電阻為R4,該電路的放大倍數(shù)A則為:
TD的使用范圍可為100歐~數(shù)十千歐。假調(diào)R5=10K,R3=1K,TD的范圍為500歐至5千歐,那么A可在2.66~7.66倍之間變化。
由于FET的輸出特性正負(fù)不對稱,所以當(dāng)給漏極加交流電壓時,就會產(chǎn)生波形失真。本電路通過R3和R4構(gòu)成的局部反饋達(dá)到降低失真度的目的。
柵極控制塊或電平轉(zhuǎn)換塊控制 MOSFET 的 V?G?以將其打開或關(guān)閉。門控的輸出直接由它從輸入邏輯塊接收的輸入 決定。 在導(dǎo)通期間,柵極控制的主要任務(wù)是對 EN 進(jìn)行電平轉(zhuǎn)換,以產(chǎn)生高(N 溝道)或低(P 溝道)...
關(guān)鍵字: FET 負(fù)載開關(guān)高端負(fù)載開關(guān)及其操作仍然是許多工程師和設(shè)計師的熱門選擇,適用于電池供電的便攜式設(shè)備,例如功能豐富的手機(jī)、移動GPS設(shè)備和消費娛樂小工具。本文采用一種易于理解且非數(shù)學(xué)的方法來解釋基于 MOSFET 的高側(cè)負(fù)載開關(guān)的各個方面...
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