www.久久久久|狼友网站av天堂|精品国产无码a片|一级av色欲av|91在线播放视频|亚洲无码主播在线|国产精品草久在线|明星AV网站在线|污污内射久久一区|婷婷综合视频网站

當前位置:首頁 > 模擬 > 模擬
[導讀]電路的功能文氏電橋電路一直被作為正弦波發(fā)生電路使用,需要在低頻范圍產生低失真波形時可以采用這樣電路。改變電阻RO或電容器CO可獲得數百千赫茲以下的振蕩頻率。電路工作原理振蕩原理是當環(huán)路內移相量是0度或360度

電路的功能

文氏電橋電路一直被作為正弦波發(fā)生電路使用,需要在低頻范圍產生低失真波形時可以采用這樣電路。改變電阻RO或電容器CO可獲得數百千赫茲以下的振蕩頻率。

電路工作原理

振蕩原理是當環(huán)路內移相量是0度或360度的整數倍,環(huán)路放大倍數大于1時,電路便會產生振蕩。若振蕩增大,電路就會飽和,所以需要振幅穩(wěn)定電路。

文氏電橋電路諧振時的衰減量為1/3,為了起振,反饋放大器A1的電壓放大倍數必須大于3。

參數無系數的文氏電橋電路的振蕩頻率FO由FO=1/2πCO.RO確定。電容器CO的容量應保證基電抗XO在1K~數面千歐姆,決定CO的容量后,再根據RO=1/2πFO.CO求出RO的阻值。

振幅穩(wěn)定電路是利用結型FET漏極-源極電阻受電壓控制,阻值可變。如FET的漏電壓增大時,波形失真也會增加,所以用反相放大器A2把振蕩放大大約3倍,然后再由A1把電平降低到1/3。并在漏級-柵級之間加局部反饋(R3、R4)。

振幅控制環(huán)路是用OP放大器A3把齊納二極管產生的基準電壓與由D1把A2輸出經整流的電流平均值加以比較、積分,對FET的柵極電壓進行控制。為了抵消整流二極管的溫度系數,在基準電壓電路加了補償二極管D2。

電容器C2用來確定積分時間常數,容量小響應快,但整流電路會產生脈動,增加濾形失真。電阻R5的作用是使積分電路產生超前補償,可以加快響應速度,但是如果其阻值較大,也會有脈動殘留。

元件的選擇

在文氏電橋振蕩電路中,很難實現超低頻振蕩,因為頻率越低,穩(wěn)定時間就會越長。另一方面,振蕩頻率的上限受OP放大器A1的相位特性限制,如振蕩頻率要求達數百千赫,應選用視頻OP放大器,RO在驅動能力允許的情況下阻值應盡量小。CO的容量如果太小會受電路寄生電容或OP放大器輸入電容的影響,電路容易不穩(wěn)定。

調整

為了降低失真率,須抑制整流電路的紋波,辦法是用R2把FET的可變范圍縮小。如果文氏電橋各臂存在誤差,衰減量就不為3,因此必須把增益的可調范圍設計得稍大一些。

振幅控制電路的響應時間取決于C2、R5以及FET的變化范圍。如果加大C2的容量,穩(wěn)定時間就會延長。如果R5的超前補償量加大,即可迅速穩(wěn)定,但是會增加失真率。

關于穩(wěn)定性的檢查,可以觀測電源接通后的振蕩波形,也可以把OP放大器A1的同相輸入接地,通過觀察振蕩停止后的上升特性了解穩(wěn)定性。

本站聲明: 本文章由作者或相關機構授權發(fā)布,目的在于傳遞更多信息,并不代表本站贊同其觀點,本站亦不保證或承諾內容真實性等。需要轉載請聯系該專欄作者,如若文章內容侵犯您的權益,請及時聯系本站刪除。
換一批
延伸閱讀

由于具有更好的品質因數,氮化鎵等寬禁帶半導體提供比硅更高的功率密度,占用的芯片面積更小,因此需要更小尺寸的封裝。假設器件占用的面積是決定熱性能的主要因素,那么可以合理地假設較小的功率器件會導致較高的熱阻。3,4本文將展示...

關鍵字: GaN FET 熱管理

柵極控制塊或電平轉換塊控制 MOSFET 的 V?G?以將其打開或關閉。門控的輸出直接由它從輸入邏輯塊接收的輸入 決定。 在導通期間,柵極控制的主要任務是對 EN 進行電平轉換,以產生高(N 溝道)或低(P 溝道)...

關鍵字: FET 負載開關

高端負載開關及其操作仍然是許多工程師和設計師的熱門選擇,適用于電池供電的便攜式設備,例如功能豐富的手機、移動GPS設備和消費娛樂小工具。本文采用一種易于理解且非數學的方法來解釋基于 MOSFET 的高側負載開關的各個方面...

關鍵字: FET 負載開關

我們研究了如何在最終應用未知時為 FET 建議適當的交叉參考。在本博客和本系列即將發(fā)布的文章中,我們將開始研究針對特定最終應用需要考慮哪些具體考慮因素,從最終應用中用于驅動電機的 FET 開始。 電機控制是 30V...

關鍵字: 電機控制 FET

關于 FET 數據表的問題,尤其是熱信息表中的那些參數,大家不一定知道有什么作用。這就是為什么今天,我想解決數據表中結到環(huán)境熱阻抗和結到外殼熱阻抗的參數,這似乎是造成很多混亂的原因。 首先,讓我們準確定義這些參數的...

關鍵字: FET 熱阻抗

今天,小編將在這篇文章中為大家?guī)鞟DI智能功率級產品LTC7050的有關報道,通過閱讀這篇文章,大家可以對它具備清晰的認識,主要內容如下。

關鍵字: 智能功率級 LTC7050 FET

上海2022年4月14日 /美通社/ -- 世芯電子完整體現了其在先進FinFET(先進鰭式場效電晶體)的技術組合并且成功完成在臺積電7/6/5納米的流片。除了先進FinFET的技術組合,世芯的ASIC整體設計解決方案更...

關鍵字: FET 電子

(全球TMT2022年4月14日訊)世芯電子完整體現了其在先進FinFET(先進鰭式場效電晶體)的技術組合并且成功完成在臺積電7/6/5納米的流片。除了先進FinFET的技術組合,世芯的ASIC整體設計解決方案更是涵蓋...

關鍵字: FET 電子

(全球TMT2022年3月9日訊)面向當今片上系統(tǒng)(SoC)行業(yè)的Total IPTM解決方案提供商Arasan Chip Systems宣布,立即為GlobalFoundries 12nm FinFET制造節(jié)點提供其...

關鍵字: FET 節(jié)點 MIPI

作為一名電力電子工程師,有句話說得好,沒有從電力設備爆炸中吸取的教訓,就沒有成功。在我多年使用硅基 MOSFET 調試開關模式電源的經驗中,這似乎是正確的。通過反復試驗和對設備故障的研究,我們可以學習如何設計可靠工作的轉...

關鍵字: 氮化鎵(GaN) FET

模擬

31144 篇文章

關注

發(fā)布文章

編輯精選

技術子站

關閉