Wolfspeed 正以積極舉措夯實(shí)財(cái)務(wù)基礎(chǔ)，為規(guī)模化盈利增長(zhǎng)鋪路

主要債權(quán)人大力支持Wolfspeed所提議的預(yù)打包重組計(jì)劃。2025 財(cái)年第 3 季度公司現(xiàn)金儲(chǔ)備約 13 億美元，可為客戶和供應(yīng)商支付提供充足短期流動(dòng)性支持。

X-FAB為180納米XH018工藝新增隔離等級(jí)，提升SPAD集成能力

全新ISOMOS1模塊實(shí)現(xiàn)更高填充因子和更小面積需求

輕松完成控制回路仿真

本文介紹了一種進(jìn)行控制回路仿真的簡(jiǎn)便方法，使用LTspice?可以輕松生成波特圖。

英飛凌與Typhoon HIL合作，通過(guò)實(shí)時(shí)硬件在環(huán)平臺(tái)加速xEV功率電子系統(tǒng)的開(kāi)發(fā)

【2025年6月23日, 德國(guó)慕尼黑訊】全球功率系統(tǒng)和物聯(lián)網(wǎng)領(lǐng)域的半導(dǎo)體領(lǐng)導(dǎo)者英飛凌科技股份公司(FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY)近日宣布與領(lǐng)先的硬件在環(huán)(HIL)仿真解決方案供應(yīng)商Typhoon HIL合作，共同為汽車(chē)工程開(kāi)發(fā)團(tuán)隊(duì)提供用于開(kāi)發(fā)xEV動(dòng)力總成系統(tǒng)關(guān)鍵組件的全集成實(shí)時(shí)開(kāi)發(fā)和測(cè)試環(huán)境。采用英飛凌AURIX? TC3x/TC4x汽車(chē)微控制器(MCU)的客戶現(xiàn)在可以使用Typhoon HIL仿真器提供的完整HIL仿真和測(cè)試解決方案，對(duì)超高保真度的電機(jī)驅(qū)動(dòng)器、車(chē)載充電器、電池管理系統(tǒng)(BMS)和功率電子系統(tǒng)仿真進(jìn)行測(cè)試。這款仿真器通過(guò)英飛凌TriBoard接口卡提供即插即用型接口。

是德科技推出智能工作臺(tái)系列，提供精度和可靠性

是德科技（NYSE: KEYS ）日前宣布，推出其新一代智能工作臺(tái)儀器系列，該系列旨在確保高精度、可靠性和易用性。新產(chǎn)品組合包括是德科技的4路電源、波形發(fā)生器、數(shù)字萬(wàn)用表和示波器，這些先進(jìn)的儀器經(jīng)過(guò)全面安全測(cè)試，符合并超越了ISO/IEC17025、IEC61010和CSA等行業(yè)和安全標(biāo)準(zhǔn)。

鴻蒙開(kāi)發(fā)者的“真心話”：技術(shù)變簡(jiǎn)單，生態(tài)變熱鬧，機(jī)會(huì)變多了

極海G32R501工業(yè)六軸機(jī)械臂參考方案釋放工業(yè)4.0產(chǎn)業(yè)價(jià)值

新一代小游戲圖形渲染技術(shù)WebGE首發(fā)！助力小游戲開(kāi)發(fā)更高效

HDC2025開(kāi)發(fā)者主題演講精彩回顧：HarmonyOS體驗(yàn)再升級(jí) 開(kāi)發(fā)效率躍升

HDC 2025：AppGallery開(kāi)發(fā)者服務(wù)全面升級(jí)，鴻蒙應(yīng)用生態(tài)加速向前

當(dāng)夢(mèng)想站上C位：一群“鴻蒙合伙人”點(diǎn)燃HDC，定義屬于年輕開(kāi)發(fā)者的時(shí)代！

華為開(kāi)發(fā)者大會(huì)2025：鴻蒙開(kāi)發(fā)體驗(yàn)再升級(jí) 開(kāi)啟高效智能開(kāi)發(fā)新時(shí)代

工業(yè)電池充電器的PFC級(jí)拓?fù)鋵?duì)比：升壓vs圖騰柱

工業(yè)設(shè)備正在向電動(dòng)化轉(zhuǎn)型，亟需穩(wěn)健、可靠、高效的電池充電方案。從電動(dòng)工具到重型機(jī)械，其充電器必須能夠適應(yīng)惡劣的環(huán)境和不同的電源(120-480 Vac)，并在設(shè)計(jì)上優(yōu)先考慮小型化、輕量化和自然對(duì)流散熱。本文旨在為工程師提供設(shè)計(jì)此類(lèi)關(guān)鍵系統(tǒng)的指導(dǎo)，重點(diǎn)討論拓?fù)溥x擇和器件選型，尤其是具有顛覆意義的碳化硅(SiC) MOSFET。

意法半導(dǎo)體2025年股東大會(huì)批準(zhǔn)所有決議

2025年6月20日，中國(guó)--服務(wù)多重電子應(yīng)用領(lǐng)域、全球排名前列的半導(dǎo)體公司意法半導(dǎo)體(STMicroelectronics，簡(jiǎn)稱(chēng)ST;紐約證券交易所代碼:STM)公布了此前在荷蘭阿姆斯特丹舉行的2025 年股東大會(huì)(“2025 AGM”)的投票表決結(jié)果。

SiC MOSFET 并聯(lián)的關(guān)鍵技術(shù)

基于多個(gè)高功率應(yīng)用案例，我們可以觀察到功率模塊與分立MOSFET并存的明顯趨勢(shì)，兩者在10kW至50kW功率范圍內(nèi)存在顯著重疊。雖然模塊更適合這個(gè)區(qū)間，但分立MOSFET卻能帶來(lái)獨(dú)特優(yōu)勢(shì)：設(shè)計(jì)自由度更高和更豐富的產(chǎn)品組合。當(dāng)單個(gè) MOSFET 無(wú)法滿足功率需求時(shí)，再并聯(lián)一顆MOSFET即可解決問(wèn)題。