Holtek全新推出兩款基于Arm? Cortex?-M0+架構內(nèi)建P/N預驅(qū)的無刷直流電機(BLDC)控制SoC單片機:HT32F65433A與HT32F66446A。這兩款產(chǎn)品整合MCU、LDO、三相36V P/N預驅(qū)、VDC Bus電壓偵測、高壓FG電路及零待機功耗設計,能有效減少外部零件數(shù)量與整體成本,零待機功耗模式下僅消耗2μA,特別適合5節(jié)鋰電池供電或DC 24V以下產(chǎn)品應用。
Holtek推出全新直流無刷電機(BLDC)控制專用單片機HT32F66746G與HT32F66546G,采用Arm? Cortex?-M0+架構,專為鋰電池或直流電源低壓/中壓系統(tǒng)設計,分別內(nèi)建110V與48V的N/N預驅(qū)及LDO,提供高度整合的解決方案,適用于電動二輪車、機器人關節(jié)、園林工具等應用。
Holtek新推出BS67F360CA觸控A/D LCD Flash MCU。提供24個具高抗噪聲能力的觸控鍵與LCD顯示驅(qū)動功能,搭配充足的程序空間及豐富的系統(tǒng)資源,特別適合功能復雜、多觸控鍵、溫度偵測及帶LCD顯示的產(chǎn)品應用,如溫控器、微波爐、電飯鍋、除濕機、空氣清凈機等。
Holtek推出新一代直流無刷電機(BLDC)專用Arm? Cortex?-M0+ SoC MCU HT32F65333A。該產(chǎn)品整合MCU、LDO、三相26V P/N預驅(qū)、VDC總線電壓偵測及零待機功耗電路,能有效減少零件數(shù)量與整體成本。在零待機功耗模式下耗電僅1μA,特別2~3節(jié)鋰電池供電或DC 12V以下產(chǎn)品,如肩頸按摩器、落地扇、泵類與扇類產(chǎn)品等應用。
本文將介紹基于米爾電子MYD-LR3576開發(fā)板(米爾基于瑞芯微 RK3576開發(fā)板)的板端移植EtherCAT Igh方案的開發(fā)測試。
該器件可降低極端高低溫環(huán)境下在線生產(chǎn)應用的成本與復雜度
隨著人工智能與高性能計算(AI/HPC)重塑各行各業(yè),對強大、可擴展且安全的連接需求正變得前所未有的迫切。當今的計算集群由緊密集成的CPU、GPU和智能網(wǎng)卡構成,需要具備高吞吐量、低延遲的網(wǎng)絡支持,其擴展能力需覆蓋從芯片間互聯(lián)到多機架部署的全部場景。
Revolutionizing High-Power AI Server Power Supply Units (PSUs): Advantages of Hybrid TCM/CCM Control in Interleaved Totem Pole PFC 革新高功率AI伺服器電源供應單元(PSUs):交錯式圖騰柱PFC中混合TCM/CCM控制的優(yōu)勢
9月24日,英特爾專題論壇“賦能通智算原力 塑造數(shù)字芯未來”在2025年中國國際信息通信展上成功舉辦。會上,英特爾不僅圍繞網(wǎng)絡邊緣產(chǎn)品進行深入解析,也邀請生態(tài)伙伴針對無線網(wǎng)絡、媒體應用等實踐方案展開精彩分享。
此次融資將助力微珩科技在端側AI推理芯片和高帶寬內(nèi)存領域的研發(fā),進一步鞏固其在AI硬件產(chǎn)業(yè)的技術布局,并圍繞兩大市場空白布局:(1) 端側大模型原生支持與高效內(nèi)存調(diào)度,(2)端側HBM模組標準與產(chǎn)業(yè)鏈協(xié)同。
摘要:近年來,芯片(集成電路)作為國之重器在舉國上下得到了廣泛的重視,推動了輕資產(chǎn)重知產(chǎn)的芯片設計行業(yè)快速發(fā)展,據(jù)統(tǒng)計我國有5000多家芯片設計公司,但是從上市公司的上半年業(yè)績公告來看,國內(nèi)半年凈利潤超過一億元的芯片設計公司可能也就20家左右
2025 年 9 月 25 日,中國上海訊 - 國內(nèi)領先的芯片IP設計與服務提供商安謀科技(中國)有限公司(以下簡稱“安謀科技”)今日宣布,正式推出自主研發(fā)的第三代高能效嵌入式芯片IP——“星辰”STAR-MC3。該產(chǎn)品基于Arm?v8.1-M架構,向前兼容傳統(tǒng)MCU架構,集成Arm Helium?技術,顯著提升CPU在AI計算方面的性能,同時兼具優(yōu)異的面效比與能效比,實現(xiàn)高性能與低功耗設計,面向AIoT智能物聯(lián)網(wǎng)領域,為主控芯片及協(xié)處理器提供核芯架構,助力客戶高效部署端側AI應用。
Sep. 25, 2025 ---- 根據(jù)TrendForce集邦咨詢觀察,由于消費市場需求提前在上半年被透支,下半年旺季未能如預期發(fā)揮效應,市場原本普遍預估4Q25價格將進入盤整。然而,HDD供給短缺與過長交期,使CSP(云端服務供應商)將儲存需求快速轉向QLC Enterprise SSD,短期內(nèi)急單大量涌入,造成市場明顯波動。同時,SanDisk(閃迪)率先宣布調(diào)漲10%,Micron(美光)也因價格與產(chǎn)能配置考量暫停報價,使得供應端氛圍由保守轉為積極。在此外溢效應帶動下,預估NAND Flash第四季各類產(chǎn)品合約價將全面上漲,平均漲幅達5-10%。
中國上海,2025年9月25日——東芝電子元件及存儲裝置株式會社(“東芝”)今日宣布,推出采用東芝最新一代工藝[1]U-MOS11-H制造的100V N溝道功率MOSFET“TPH2R70AR5”。該MOSFET主要面向開關電源等應用,適用于數(shù)據(jù)中心和通信基站使用的工業(yè)設備。產(chǎn)品于今日開始正式出貨。