[導讀]國際半導體設備材料產(chǎn)業(yè)協(xié)會(SEMI)預測， 2010年全球晶圓廠前段制程設備支出規(guī)模，將較2009年成長133%，并在 2011年再度取得18%的成長率。而全球已建置晶圓廠產(chǎn)能，包括離散組件廠在內(nèi)，估計在2010年成長7%，并在
國際半導體設備材料產(chǎn)業(yè)協(xié)會(SEMI)預測， 2010年全球晶圓廠前段制程設備支出規(guī)模，將較2009年成長133%，并在 2011年再度取得18%的成長率。而全球已建置晶圓廠產(chǎn)能，包括離散組件廠在內(nèi)，估計在2010年成長7%，并在2011年將再成長8%。
這份World Fab Forecast報告并預期， 2010年全球晶圓廠建設支出規(guī)模，將成長125%，2011年還將再成長22%。SEMI的數(shù)據(jù)指出，在2010與 2011年，將有超過150座晶圓廠興建計劃，總支出估計830億美元；該估計數(shù)字是根據(jù)各晶圓廠興建計劃與設備支出計劃所做成，追蹤對象涵蓋大/小產(chǎn)能晶圓廠，以及生產(chǎn)微機電系統(tǒng)(MEMS)、 LED 、離散組件的晶圓廠。
該報告指出，在2010年總計有54個晶圓廠興建計劃正在進行，建設支出總計在45億美元左右；在這些計劃中，有五成是LED晶圓廠，而且大部分位于中國。將在2011年執(zhí)行的晶圓廠興建計劃雖然較少，但規(guī)模卻比較大，建設支出總計約55億美元。
SEMI估計，2010年全球半導體設備支出將成長133%，達到340億美元規(guī)模；而在2008年，全球半導體設備支出則是成長27%。該協(xié)會并預測2011年全球半導體設備支出將再成長18%，達到390億美元的規(guī)模，超越2007年的水平。
至于在2010年開始營運的晶圓廠數(shù)量大約為22座，其中也有超過五成都是 LED廠；另外明年則預計有28座晶圓廠即將開張，包括4座內(nèi)存廠。到2010年底，全球已建置晶圓產(chǎn)能(不包括離散組件)，估計達到每月1,440萬片8吋約當晶圓，2010年該數(shù)字則可望成長8%，來到每月1,580萬8吋約當晶圓。
SEMI指出，內(nèi)存廠是占據(jù)全球已建置晶圓產(chǎn)能的最大宗，所占比例在2010與2011年約為41%；晶圓代工廠則居次，所占據(jù)比例將由2009年的24%，在2011年成長到26%左右。
(參考原文： SEMI: 150 fab projects to drive spending in 2010, 2011，by Dylan McGrath)
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