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[導(dǎo)讀]工研院IEKITIS計(jì)劃日前公布2009年第四季及2009年全年度臺(tái)灣半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)概況;2009年第四季臺(tái)灣整體IC產(chǎn)業(yè)產(chǎn)值(含設(shè)計(jì)、制造、封裝、測(cè)試)達(dá)新臺(tái)幣3,779億元,較上季(09Q3)成長(zhǎng)2.5%,較去年同期(08Q4)成長(zhǎng)42.0%.2009全年

工研院IEKITIS計(jì)劃日前公布2009年第四季及2009年全年度臺(tái)灣半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)概況;2009年第四季臺(tái)灣整體IC產(chǎn)業(yè)產(chǎn)值(含設(shè)計(jì)、制造、封裝、測(cè)試)達(dá)新臺(tái)幣3,779億元,較上季(09Q3)成長(zhǎng)2.5%,較去年同期(08Q4)成長(zhǎng)42.0%.

2009全年臺(tái)灣IC產(chǎn)業(yè)產(chǎn)值達(dá)12,497億元,較2008年衰退7.2%,優(yōu)于全球半導(dǎo)體之成長(zhǎng)率。2009年全球半導(dǎo)體市場(chǎng)全年總銷售值達(dá)2,263億美元,較2008年衰退9.0%;總銷售量達(dá)5,293億顆,較2008年衰退5.5%;2009年ASP為0.428美元,較2008年衰退3.4%.

根據(jù)世界半導(dǎo)體統(tǒng)計(jì)組織(WSTS)的數(shù)據(jù),09Q4全球半導(dǎo)體市場(chǎng)銷售值達(dá)673億美元,較上季(09Q3)成長(zhǎng)7.0%,較去年同期(08Q4)成長(zhǎng)28.7%;銷售量達(dá)1,549億顆,較上季(09Q3)成長(zhǎng)3.3%,較去年同期(08Q4)成長(zhǎng)31.8%;ASP為0.434美元,較上季(09Q3)成長(zhǎng)3.6%,較去年同期(08Q4)衰退2.3%.

以各國(guó)市場(chǎng)來(lái)看,09Q4美國(guó)半導(dǎo)體市場(chǎng)銷售值達(dá)115億美元,較上季(09Q3)成長(zhǎng)10.5%,較去年同期(08Q4)成長(zhǎng)43.7%;日本半導(dǎo)體市場(chǎng)銷售值達(dá)108億美元,較上季(09Q3)衰退0.5%,較去年同期(08Q4)衰退3.6%;歐洲半導(dǎo)體市場(chǎng)銷售值達(dá)88億美元,較上季(09Q3)成長(zhǎng)12.4%,較去年同期(08Q4)成長(zhǎng)15.4%;亞洲區(qū)半導(dǎo)體市場(chǎng)銷售值達(dá)361億美元,較上季(09Q3)成長(zhǎng)7.3%,較去年同期(08Q4)成長(zhǎng)42.9%.

2009年美國(guó)半導(dǎo)體市場(chǎng)總銷售值達(dá)385億美元,較2008年衰退1.9%;日本半導(dǎo)體市場(chǎng)銷售值達(dá)383億美元,較2008年衰退21.0%;歐洲半導(dǎo)體市場(chǎng)銷售值達(dá)299億美元,較2008年衰退21.9%;亞洲區(qū)半導(dǎo)體市場(chǎng)銷售值達(dá)1,196億美元,較2008年衰退0.4%.

根據(jù)國(guó)際半導(dǎo)體設(shè)備材料產(chǎn)業(yè)協(xié)會(huì)(SEMI)公布最新12月的訂單出貨報(bào)告,訂單出貨比(B/BRatio)為1.03,已連續(xù)四個(gè)月站穩(wěn)1以上,顯示產(chǎn)業(yè)景氣復(fù)蘇并趨于穩(wěn)定。臺(tái)灣晶圓代工廠與封測(cè)廠也競(jìng)速擴(kuò)產(chǎn),初估2010年資本支出目標(biāo)將可望較2009年增加40%以上;而在SEMI所公布的半導(dǎo)體設(shè)備年終預(yù)測(cè)中,也預(yù)估2010年的設(shè)備市場(chǎng)將大幅成長(zhǎng)53%,為產(chǎn)業(yè)再添好消息。

臺(tái)灣半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)各部門(mén)表現(xiàn)

以臺(tái)灣IC產(chǎn)業(yè)各項(xiàng)目表現(xiàn)來(lái)看,其中設(shè)計(jì)業(yè)產(chǎn)值為新臺(tái)幣1,035億元,較上季(09Q3)衰退9.5%,較去年同期(08Q4)成長(zhǎng)29.7%;制造業(yè)為新臺(tái)幣1,888億元,較上季(09Q3)成長(zhǎng)10.3%,較去年同期(08Q4)成長(zhǎng)55.5%;封裝業(yè)為新臺(tái)幣593億元,較上季(09Q3)成長(zhǎng)2.6%,較去年同期(08Q4)成長(zhǎng)31.2%;測(cè)試業(yè)為新臺(tái)幣263億元,較上季(09Q3)成長(zhǎng)3.1%,較去年同期(08Q4)成長(zhǎng)32.8%.

在IC設(shè)計(jì)業(yè)的觀察部分,IEKITIS分析師指出,2009Q4由于電子產(chǎn)品逐漸進(jìn)入需求高峰之后的淡季,PC、Notebook、小筆電等成長(zhǎng)率逐漸趨緩,手機(jī)芯片、模擬IC、驅(qū)動(dòng)IC等需求也明顯衰退。2009年雖然景氣復(fù)蘇漸露曙光,但終端市場(chǎng)需求的成長(zhǎng)力道仍然薄弱,特別是LCDTV、手機(jī)。

綜合上述,2009Q4臺(tái)灣IC設(shè)計(jì)業(yè)產(chǎn)值達(dá)1,035億新臺(tái)幣,較2009Q3衰退9.5%,較2008Q4成長(zhǎng)29.7%,2009年較2008年成長(zhǎng)2.9%是所有次產(chǎn)業(yè)里唯一呈現(xiàn)正成長(zhǎng)的產(chǎn)業(yè)。

而在IC制造業(yè)的部分,2009Q4,臺(tái)灣IC制造業(yè)產(chǎn)值達(dá)到1,888億新臺(tái)幣,較2009Q3成長(zhǎng)10.3%,其中以DRAM制造為主的IDM產(chǎn)業(yè)成長(zhǎng)幅度最大,較上季成長(zhǎng)36.3%.

IEKITIS分析師表示,全球DRAM供貨吃緊DRAM價(jià)格翻揚(yáng),帶動(dòng)臺(tái)灣DRAM制造公司大幅拉升產(chǎn)量,在價(jià)量齊揚(yáng)的情勢(shì)下,帶動(dòng)臺(tái)灣IDM產(chǎn)業(yè)產(chǎn)值的躍升。而晶圓代工業(yè)則較上季僅微幅成長(zhǎng)0.8%,主要是受到今年從第二季至第三季出貨量大幅拉升后,客戶庫(kù)存水位回升,加上傳統(tǒng)季節(jié)性的調(diào)整。

而代表IC制造業(yè)未來(lái)產(chǎn)值成長(zhǎng)的重要領(lǐng)先指標(biāo),北美半導(dǎo)體設(shè)備的B/BRatio已自九月1.17的高點(diǎn)降至十二月的1.03,然而隨著國(guó)際大廠陸續(xù)宣布加大2010年資本支出,B/BRatio有續(xù)創(chuàng)新高的機(jī)會(huì),IC制造業(yè)將可延續(xù)2009年復(fù)蘇的態(tài)勢(shì)。

因此,2009Q4臺(tái)灣IC制造業(yè)持續(xù)受到景氣回溫的影響,持續(xù)向上攀升至1,888億新臺(tái)幣,季成長(zhǎng)率達(dá)到10.3%,年成長(zhǎng)達(dá)55.5%,仍呈現(xiàn)增長(zhǎng)的情形。其中晶圓代工的產(chǎn)值達(dá)到1,261億新臺(tái)幣,季成長(zhǎng)0.8%,而較去年同期(08Q4)大幅成長(zhǎng)了45.3%.以DRAM為主IC制造業(yè)自有產(chǎn)品產(chǎn)值為627億新臺(tái)幣,季成長(zhǎng)36.3%,年成長(zhǎng)則由負(fù)轉(zhuǎn)正大幅跳躍81.2%.

最后,在IC封測(cè)業(yè)的部分,2009Q4由于逐漸進(jìn)入電子產(chǎn)品淡季,上游晶圓代工表現(xiàn)較09Q3僅微幅成長(zhǎng),因此下游封裝業(yè)也只成長(zhǎng)2.6%.臺(tái)灣測(cè)試業(yè)有高達(dá)近六成比重為內(nèi)存測(cè)試,在DRAM產(chǎn)業(yè)持續(xù)回穩(wěn)下,Q4測(cè)試業(yè)也小幅成長(zhǎng)3.1%.

因此,2009Q4臺(tái)灣封裝業(yè)產(chǎn)值為593億新臺(tái)幣,較2009Q3成長(zhǎng)2.6%,較去年同期成長(zhǎng)31.2%.2009Q4臺(tái)灣測(cè)試業(yè)產(chǎn)值為263億新臺(tái)幣,較2009Q3成長(zhǎng)3.1%,較去年同期成長(zhǎng)32.8%.

2009Q1臺(tái)灣IC封測(cè)業(yè)已處于觸底反彈,Q2平均月增率約10%,七月份開(kāi)始持平,Q3平均月增率僅約4.5%,Q4則較Q3稍低。2009Q2產(chǎn)業(yè)做完修正,Q3、Q4已逐漸回復(fù)過(guò)往正常的季節(jié)性景氣循環(huán)。

總計(jì)2009年臺(tái)灣IC設(shè)計(jì)業(yè)產(chǎn)值為3,859億新臺(tái)幣,較2008年成長(zhǎng)2.9%;制造業(yè)為5,766億新臺(tái)幣,較2008年衰退11.9%;封裝業(yè)為1,996億新臺(tái)幣,較2008年衰退10.0%;測(cè)試業(yè)為876億新臺(tái)幣,較2008年衰退9.2%.而在附加價(jià)值部份,2009年臺(tái)灣IC產(chǎn)業(yè)附加價(jià)值為4,399億元,較2009年衰退13.3%.

2009年第四季我國(guó)IC產(chǎn)業(yè)產(chǎn)值統(tǒng)計(jì)及預(yù)估(單位:億新臺(tái)幣)(來(lái)源:工研院IEKITIS計(jì)劃,2010/02))

半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)09年第四季重大事件分析

1.聯(lián)發(fā)科投入研發(fā)Android平臺(tái)之芯片

聯(lián)發(fā)科繼微軟智能型手機(jī)公板后,已積極投入研發(fā)Android平臺(tái)的芯片,預(yù)計(jì)2010年將推出3G版本的Android平臺(tái)智能型手機(jī)解決方案。

聯(lián)發(fā)科的秘密武器除了微軟平臺(tái)的3G智能型手機(jī)公板外,另一個(gè)就是Android平臺(tái)解決方案。從消費(fèi)者的反應(yīng)來(lái)看,由于中國(guó)大陸市場(chǎng)對(duì)于微軟平臺(tái)的接受度較低,Android平臺(tái)將會(huì)是2010年智能型手機(jī)成長(zhǎng)最大的區(qū)塊。若聯(lián)發(fā)科循過(guò)去2G、2.5G模式,在中國(guó)市場(chǎng)推出Android平臺(tái)公板,將可能再次掌握中國(guó)3G智能型手機(jī)芯片市場(chǎng)。

2.中芯敗訴,臺(tái)積電取得賠償金及股權(quán)[!--empirenews.page--]

全球晶圓代工龍頭臺(tái)積電以及大陸中芯國(guó)際宣告和解,中芯國(guó)際除因先前官司案追加賠償2億美元外,另將額外給予臺(tái)積電8%持股,未來(lái)臺(tái)積電也將參與中芯的認(rèn)股計(jì)劃,取得共計(jì)至少10%股權(quán)。

中芯敗訴后,由王寧國(guó)接任CEO,中芯將大幅調(diào)整營(yíng)運(yùn)方向,且一旦贈(zèng)股成立,臺(tái)積電將成為僅次于大唐電信及上海實(shí)業(yè)的第三大股東,對(duì)中芯國(guó)際未來(lái)的發(fā)展計(jì)劃將能掌握清楚信息也能左右方向。臺(tái)灣晶圓代工產(chǎn)業(yè)將加大對(duì)大陸晶圓代工產(chǎn)業(yè)的影響力。

3.NEC電子、Renesas正式簽署合并契約

NEC電子與Renesas已正式簽訂合并契約,預(yù)定于2010年4月1日進(jìn)行合并。新公司董事長(zhǎng)將由NEC電子現(xiàn)任社長(zhǎng)山口純史出任,社長(zhǎng)則由Renesas現(xiàn)任社長(zhǎng)赤尾泰出任。雙方在合并后將設(shè)立專責(zé)團(tuán)隊(duì),針對(duì)今后的強(qiáng)化領(lǐng)域進(jìn)行篩選與分類,此外,新公司也將統(tǒng)合兩家公司的設(shè)計(jì)、開(kāi)發(fā)平臺(tái),縮減產(chǎn)品項(xiàng)目、整并生產(chǎn)據(jù)點(diǎn)、統(tǒng)一采購(gòu)業(yè)務(wù)等。

Renesas原為Hitachi與Mitsubishi合并而成,成立初期躍居全球第三大半導(dǎo)體公司,2009年已降至第九名;NEC曾是全球排名第一的公司,2009年也降至第十四。日本IDM公司不斷面臨Fabless公司的激烈競(jìng)爭(zhēng),節(jié)節(jié)敗退,因此進(jìn)行合并,發(fā)揮綜效是其不得不進(jìn)行的動(dòng)作。展望未來(lái),日本IDM公司將持續(xù)進(jìn)行整合,將對(duì)臺(tái)灣晶圓代工業(yè)帶來(lái)委外代工的機(jī)會(huì)。

4.頎邦合并飛信,榮登全球LCD驅(qū)動(dòng)IC封測(cè)龍頭

LCD驅(qū)動(dòng)IC封測(cè)廠頎邦科技和飛信半導(dǎo)體2009年12月7日分別召開(kāi)董事會(huì)決定合并,頎邦為存續(xù)公司,將以1.8股飛信普通股換取1股頎邦普通股,合并基準(zhǔn)日為2010年4月1日,合并后的新頎邦資本額為新臺(tái)幣54.4億元。新頎邦躍居全球最大LCD驅(qū)動(dòng)IC封測(cè)專業(yè)廠。飛信與頎邦結(jié)合雙方技術(shù)、人才、產(chǎn)品、客戶組合與產(chǎn)能規(guī)模,并考慮到精簡(jiǎn)產(chǎn)能作業(yè)。

未來(lái)臺(tái)灣LCD驅(qū)動(dòng)IC封測(cè)廠將主要包括新頎邦、南茂和硅品三家。同業(yè)整合有助于減少產(chǎn)業(yè)競(jìng)爭(zhēng),此舉將對(duì)整體LCD驅(qū)動(dòng)IC封測(cè)產(chǎn)業(yè)帶來(lái)正面效益,包括代工價(jià)格和客戶下單量將更趨于穩(wěn)定。近期頎邦承接不少來(lái)自日本客戶訂單,隨著日本IDM廠逐漸淡出后段市場(chǎng),可望釋出更多訂單,有助于新頎邦提升市占率。

未來(lái)展望

1.下季展望:下游需求持續(xù)強(qiáng)勁下,預(yù)期2010年第1季淡季不淡

因下游PC與手機(jī)需求佳,帶動(dòng)相關(guān)之繪圖芯片、網(wǎng)通芯片與芯片組需求下,預(yù)期2010年第一季高階制程的產(chǎn)能利用率,將延續(xù)2009年第四季的水平。市場(chǎng)供不應(yīng)求之情況,除了可從臺(tái)灣半導(dǎo)體廠商宣布資本支出大幅增加獲得證實(shí)外,也可從各公司陸續(xù)傳出春節(jié)加班之訊息證明。然而,較低階制程的產(chǎn)能利用率則仍受傳統(tǒng)淡季的影響而下滑。

全球晶圓代工與封測(cè)廠2010年第一季產(chǎn)能利用率預(yù)估(來(lái)源:工研院IEKITIS計(jì)劃,2010/02)

2.全年展望:預(yù)期2010年半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)將隨著全球經(jīng)濟(jì)出現(xiàn)正成長(zhǎng)而成長(zhǎng)10%~15%

各國(guó)政府之經(jīng)濟(jì)刺激方案,使得全球經(jīng)濟(jì)已于2009年落底,并且預(yù)期將于2010年開(kāi)始出現(xiàn)正成長(zhǎng)。從表三可知,2009年與2010年全球主要的成長(zhǎng)力道仍會(huì)來(lái)自于新興市場(chǎng)國(guó)家,其中,中國(guó)大陸將持續(xù)其高度成長(zhǎng)動(dòng)能。

2010年全球經(jīng)濟(jì)出現(xiàn)正成長(zhǎng),將帶動(dòng)下游電子系統(tǒng)產(chǎn)品之銷售,預(yù)期2010年P(guān)C與手機(jī)市場(chǎng)銷售,因新興市場(chǎng)需求持續(xù)強(qiáng)勁,再加上歐美市場(chǎng)之消費(fèi)力道復(fù)蘇,而可望出現(xiàn)10~15%之年成長(zhǎng)率。終端需求之成長(zhǎng)將使得上游半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)受惠,預(yù)估2010年全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)也將有成長(zhǎng)10~15%的水平。

全球主要經(jīng)濟(jì)體2009年與2010年經(jīng)濟(jì)成長(zhǎng)率預(yù)測(cè)值(來(lái)源:工研院IEKITIS計(jì)劃,2010/02)

IEK預(yù)估,2010年臺(tái)灣IC產(chǎn)業(yè)產(chǎn)值達(dá)15,441億元,較2009年成長(zhǎng)23.6%,優(yōu)于全球半導(dǎo)體之成長(zhǎng)率。其中設(shè)計(jì)業(yè)產(chǎn)值為4,365億新臺(tái)幣,較2009年成長(zhǎng)13.1%;制造業(yè)為7,448億新臺(tái)幣,較2009年成長(zhǎng)29.1%.

至于封裝業(yè)為2,515億新臺(tái)幣,較2009年成長(zhǎng)26.0%;測(cè)試業(yè)為1,113億新臺(tái)幣,較2009年成長(zhǎng)27.1%.而在附加價(jià)值部份,2010年臺(tái)灣IC產(chǎn)業(yè)附加價(jià)值為6,099億元,較2009年成長(zhǎng)38.6%.

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與其他類型的半導(dǎo)體相比,存儲(chǔ)芯片的競(jìng)爭(zhēng)廠商數(shù)量更多,而且芯片本身的差異化程度較低,這使得存儲(chǔ)芯片更加商品化,對(duì)需求變化也就更加敏感。存儲(chǔ)芯片通常是第一個(gè)感受到需求變化并出現(xiàn)價(jià)格下跌的組件。

關(guān)鍵字: 存儲(chǔ)芯片 半導(dǎo)體 DRAM

據(jù)業(yè)內(nèi)信息報(bào)道,在近日美國(guó)硅谷召開(kāi)的三星晶圓代工論壇&SAF會(huì)議上,三星公布了未來(lái)5年的晶圓代工規(guī)劃,有多項(xiàng)提高各類高端芯片的產(chǎn)能的計(jì)劃,并希望從臺(tái)積電手里奪回市場(chǎng)。

關(guān)鍵字: 三星 晶圓代工 摩爾定律

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