X-FAB Silicon Foundries，業(yè)界領(lǐng)先的模擬/混合信號(hào)晶圓廠及“超越摩爾定律”技術(shù)的專家，今天宣布其將擴(kuò)大自身的晶圓廠服務(wù)，囊括8英寸(200毫米)MEMS晶片工藝。移至更大的晶片直徑及單片電路的MEMS/CMOS集成可以大大降低生產(chǎn)成本。X-FAB相信其擴(kuò)展到8英寸MEMS生產(chǎn)使其能夠在領(lǐng)先的MEMS晶圓廠中占據(jù)有利地位，并能使為汽車與消費(fèi)電子市場(chǎng)開發(fā)應(yīng)用設(shè)備的客戶受益。公司早已開展與主要客戶合作,結(jié)合0.35微米CMOS技術(shù),開發(fā)200毫米晶片的MEMS設(shè)備。

X-FAB加快其MEMS計(jì)劃，通過200毫米晶片MEMS生產(chǎn)能力，解決MEMS的爆炸性增長——這是在消費(fèi)電子市場(chǎng)中新興量產(chǎn)電子產(chǎn)品的推動(dòng)下產(chǎn)生的需求。例如，MEMS加速計(jì)、陀螺儀、壓力傳感器與麥克風(fēng),如今在消費(fèi)電子產(chǎn)品中已經(jīng)相當(dāng)普及，不管是手機(jī)、便攜式設(shè)備還是大型家電。

X-FAB將會(huì)在其德國埃爾夫特專屬的MEMS無塵室內(nèi)以三個(gè)階段安裝8英寸MEMS處理設(shè)備 ，以提高其生產(chǎn)效率，并引進(jìn)新工藝能力。

· 第一階段是添加體硅(bulk-silicon)蝕刻的設(shè)備，能夠高度控制隔膜的構(gòu)成，例如壓力傳感器、IR傳感器與其他大型硅結(jié)構(gòu)的需要。這個(gè)階段將會(huì)在2010年內(nèi)實(shí)現(xiàn)。

· 第二個(gè)階段將會(huì)為X-FAB的硅蝕刻能力添加MEMS生產(chǎn)時(shí)所需的其他主要工藝，例如光刻、薄膜淀積與蝕刻。

· 第三個(gè)階段也將采用新的工藝拓展X-FAB的技術(shù)能力，加入貴金屬或其他CMOS晶圓廠找不到的材料，為范圍不斷擴(kuò)大的MEMS設(shè)備提供生產(chǎn)能力。

節(jié)約成本的CMOS/MEMS 集成

MEMS經(jīng)常與ASIC設(shè)備相結(jié)合，執(zhí)行信號(hào)調(diào)節(jié)、前置放大等任務(wù)。 將CMOS與MEMS設(shè)備結(jié)合到單個(gè)芯片，可以在成本與封裝尺寸方面帶來獨(dú)特的優(yōu)勢(shì)，而且它可以簡(jiǎn)化后續(xù)的生產(chǎn)操作。

X-FAB市場(chǎng)部副總裁Thomas Hartung對(duì)公司在200毫米技術(shù)方面的投資發(fā)表如下評(píng)論：“我們的客戶告訴我們，他們對(duì)8英寸生產(chǎn)能力非常感興趣，因?yàn)樗転殡x散型感應(yīng)器節(jié)約成本，而且能應(yīng)對(duì)集成CMOS智能不斷提高的需求。X-FAB已經(jīng)展現(xiàn)出其對(duì)提供先進(jìn)與節(jié)約成本型晶圓廠服務(wù)的承諾，有效地將MEMS集成到0.35微米工藝，以及200毫米晶片上運(yùn)行的0.18微米CMOS工藝——滿足了我們?nèi)蚩蛻羧簩?duì)MEMS晶圓廠服務(wù)當(dāng)前與未來的需要。

X-FAB的MEMS開發(fā)團(tuán)隊(duì)主管Uwe Schwarz補(bǔ)充說：“X-FAB的MEMS晶圓廠服務(wù)結(jié)合了我們?cè)谠擃I(lǐng)域的豐富經(jīng)驗(yàn)、可靠的工藝管理模式與汽車領(lǐng)域所需的質(zhì)量保證程序，并已經(jīng)在我們的CMOS與MEMS業(yè)務(wù)中廣泛使用。

X-FAB在過去十幾年一直提供MEMS晶圓廠服務(wù)-這已成爲(wèi)公司業(yè)務(wù)中很重要的一部分。MEMS技術(shù)是X-FAB的“超越摩爾定律”理念不可或缺的一部分。X-FAB與主要客戶合作，結(jié)合0.35微米CMOS技術(shù)，開發(fā)了200毫米晶片的MEMS，幫助他們通過使用更大的底層以節(jié)省成本，并實(shí)現(xiàn)更小的體積，通過MEMS與ASIC設(shè)備的單片電路集成縮小設(shè)備面積。