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  • 恩智浦半導體推出高性能Layerscape網(wǎng)絡(luò)與數(shù)據(jù)中心減負片上系統(tǒng)解決方案

    全球先進的安全連接解決方案領(lǐng)導者恩智浦半導體公司(NXP Semiconductors N.V.)今日宣布推出Layerscape系列目前最高性能的產(chǎn)品——LX2160A SoC。LX2160A專用于極具挑戰(zhàn)性的高性能網(wǎng)絡(luò)應(yīng)用、網(wǎng)絡(luò)邊緣計算和數(shù)據(jù)中心減負。為了能夠在網(wǎng)絡(luò)邊緣可信且安全地執(zhí)行虛擬化云工作負載，新的分布式計算模型正在形成。 LX2160A具有16個高性能ARM Cortex®-A72核心，工作頻率超過2 GHz，功耗低于30 W，支持100 Gbps以太網(wǎng)接口和第四代PCIe兩種高速互連標準。除此之外，LX2160A處理器還支持線速的層二交換能力，并且具有數(shù)據(jù)壓縮加速引擎和50 Gbps IPSec數(shù)據(jù)加密加速引擎。恩智浦的Layerscape處理器系列包括功耗在1 W以內(nèi)的單核處理器到16核心LX2160A的各類解決方案,是目前最全的64位ARM處理器系列。 恩智浦半導體全球資深副總裁兼產(chǎn)品部總經(jīng)理Tareq Bustami表示：“邊緣處理將推動網(wǎng)絡(luò)、計算和物聯(lián)網(wǎng)基礎(chǔ)設(shè)施下一階段的成長。工作負載從云轉(zhuǎn)移到邊緣之后，延遲會隨之減少，安全性增加，應(yīng)變能力也會增強。LX2160A集成的性能和帶寬為各種網(wǎng)絡(luò)、數(shù)據(jù)分析和數(shù)據(jù)處理工作負載提供了一個理想的平臺。” Linley集團首席分析師Bob Wheeler表示：“眾多網(wǎng)絡(luò)服務(wù)提供商、云公司和工業(yè)物聯(lián)網(wǎng)公司目前都在開發(fā)邊緣計算，這個技術(shù)的一大優(yōu)點是其能夠降低云計算服務(wù)的延遲，提高隱私保護的力度，減少占用WAN帶寬。恩智浦的Layerscape LX2160A處理器集成了16個核心和100 Gbps以太網(wǎng)接口，有助于ARM生態(tài)系統(tǒng)滿足高性能邊緣計算應(yīng)用的需求。” 恩智浦以O(shè)pen Daylight、OpenStack與OP-NFV®等支持云和網(wǎng)絡(luò)功能虛擬化的開源項目為基礎(chǔ)，支持并推動豐富的ARM虛擬化生態(tài)系統(tǒng)。恩智浦ARM處理器包含支持KVM和Linux®容器等虛擬化技術(shù)的硬件以及用于網(wǎng)絡(luò)虛擬化加速的硬件加速引擎。恩智浦還支持DPDK、OVS和Virtio等符合行業(yè)標準的虛擬化API以及Debian和Ubuntu這兩個標準的企業(yè)級Linux發(fā)行版。

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  • 緊握未來!貿(mào)澤電子2017智造創(chuàng)新論壇南京站即將舉行

    半導體與電子元器件業(yè)頂尖工程設(shè)計資源與授權(quán)分銷商貿(mào)澤電子(Mouser Electronics) 宣布將聯(lián)合全球頂尖半導體廠商Cypress、Murata、NXP、Silicon Labs、TE Connectivity等全球半導體與電子元器件的領(lǐng)導廠商，于南京(2017年10月26日)舉辦智能家居 • 可穿戴設(shè)備為主題的“2017貿(mào)澤電子智造創(chuàng)新論壇，從行業(yè)領(lǐng)導廠商的角度，讓觀眾了解智能家居、可穿戴設(shè)備市場的總體形勢與前景、 所面臨的挑戰(zhàn)以及最新的技術(shù)方案。 智能家居、可穿戴設(shè)備兩大領(lǐng)域的崛起給全球半導體廠商以及硬件廠商帶來了前所未有的機遇與挑戰(zhàn)，不少傳統(tǒng)企業(yè)以及新晉創(chuàng)業(yè)公司乘著東風順勢進駐，紛紛推出了相關(guān)產(chǎn)品，受到廣泛的好評，未來的增長態(tài)勢一片看好。市場巨大的潛力無疑將催發(fā)產(chǎn)業(yè)鏈的全新變革，從而為主控芯片、無線芯片、傳感器和電源IC等半導體廠商以及柔性顯示、語音交互、連接器等領(lǐng)域的廠商帶來巨大的機會。貿(mào)澤電子希望通過南京站研討會與 Cypress、Murata、NXP、Silicon Labs、TE Connectivity等全球半導體與電子元器件的領(lǐng)導廠商共同搭建連接現(xiàn)實世界和智能家居、可穿戴設(shè)備市場的智能化橋梁，從而幫助廣大從業(yè)者重新認識周圍的世界。   活動議程 貿(mào)澤電子亞太區(qū)市場及商務(wù)拓展副總裁田吉平女士表示：“物聯(lián)網(wǎng)正在高調(diào)走進我們的世界并逐漸改變我們的生活，智能家居和可穿戴就是其中的代表。在技術(shù)變革的過程中，貿(mào)澤電子承諾以最快的速度將最新的產(chǎn)品和前沿技術(shù)導入市場，我們希望激勵用戶運用新一代信息技術(shù)以及集成化硬件，創(chuàng)造不一樣的智能產(chǎn)品，造福大眾。我相信憑借廣大設(shè)計工程師們豐富的想象力和對先進技術(shù)的運用能力，無論是穿戴式設(shè)備還是智能家居市場，未來必將有屬于中國的一席之地。” 貿(mào)澤電子擁有豐富的產(chǎn)品線與卓越的客服，通過提供采用先進技術(shù)的最新產(chǎn)品來滿足設(shè)計工程師與采購人員的創(chuàng)新需求。我們庫存有全球最廣泛的最新半導體及電子元件，為客戶的最新設(shè)計項目提供支持。Mouser不僅有多種高級搜索工具可幫助用戶快速了解產(chǎn)品庫存情況，而且網(wǎng)站還在持續(xù)更新以不斷優(yōu)化用戶體驗。此外，Mouser網(wǎng)站還提供數(shù)據(jù)手冊、供應(yīng)商特定參考設(shè)計、應(yīng)用筆記、技術(shù)設(shè)計信息和工程用工具等豐富的資料供用戶參考。

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  • 高云半導體宣布加入RISC-V基金會

    作為國內(nèi)領(lǐng)先的可編程邏輯器件供應(yīng)商，廣東高云半導體科技股份有限公司(以下簡稱“高云半導體”)今天宣布加入RISC-V基金會，成為該組織成員中第一家中國FPGA供應(yīng)商。此舉是繼2016年加入MIPI聯(lián)盟后高云半導體又一次加入國際性行業(yè)聯(lián)盟組織，進一步向業(yè)界表達其致力于發(fā)展成為全球FPGA供應(yīng)商的愿景。 RISC-V是一種新型的指令集架構(gòu)(ISA)，其初衷是支持計算機體系結(jié)構(gòu)研究與教育，目前在RISC-V基金會的領(lǐng)導下已經(jīng)成為行業(yè)通用的標準開放架構(gòu)。RISC-V ISA應(yīng)用廣泛，覆蓋了從基礎(chǔ)性設(shè)計到可擴展性設(shè)計，從高性能計算服務(wù)設(shè)計到低功耗嵌入式系統(tǒng)和LOT設(shè)備設(shè)計。此外，RISC-V ISA是開源的，任何用戶都可以免費基于RISC-V ISA進行設(shè)計、生產(chǎn)芯片。   “高云半導體以第一家國產(chǎn)FPGA制造商的身份成為RISC-V基金會的成員，今后將積極發(fā)展RISC-V的生態(tài)系統(tǒng)并在國內(nèi)乃至全亞洲大力推廣RISC-V ISA，”高云半導體總裁兼首席技術(shù)官宋寧博士說：“我們正在晨熙家族FPGA器件中運用RISC-V ISA，通過開源的、簡化的RISC-V ISA結(jié)合高性能，高性價比的高云半導體FPGA芯片來幫助客戶實現(xiàn)加速創(chuàng)新。這在積極鼓勵創(chuàng)新與創(chuàng)業(yè)的國內(nèi)乃至亞洲市場尤為重要。”

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  • 艾邁斯半導體音頻芯片為潮流品牌FIIL的兩款新型無線耳機提供世界級的降噪性能

    全球領(lǐng)先的高性能傳感器解決方案供應(yīng)商艾邁斯半導體公司(ams AG)今天宣布耳機制造商FIIL在其新品中采用了艾邁斯半導體的兩款芯片。 AS3435這款艾邁斯半導體的混合主動降噪(ANC)音頻IC被應(yīng)用于高性能的Canviis Pro無線壓耳式耳機。此外，首款繞頸式藍牙入耳式主動降噪耳機Driifter Pro則選用了艾邁斯半導體的AS3412。受耳機的尺寸限制，采用小巧的晶圓級芯片封裝的AS3412成為該類應(yīng)用的理想選擇。 潮流品牌FIIL越來越受歡迎的原因是它將卓越的音頻性能、創(chuàng)新功能和別致設(shè)計融為一體。在可聽頻譜范圍內(nèi)優(yōu)越的降噪性能造就了FIIL領(lǐng)先市場的、獨特的產(chǎn)品吸引力。這主要歸功于艾邁斯半導體芯片出色的主動降噪性能，以及專業(yè)系統(tǒng)知識、設(shè)計工程和聲學分析服務(wù)的支持。艾邁斯半導體的主動降噪IC產(chǎn)品具備領(lǐng)先市場的優(yōu)勢，集優(yōu)越音頻性能和低能耗于一體。艾邁斯半導體音頻傳感器產(chǎn)品具備的先進降噪功能，包括： · 智能噪音調(diào)節(jié)——三種操作模式可供用戶選擇。芯片通常在降噪模式下運行，但也提供監(jiān)聽模式，用于去除低頻噪聲以便用戶聽到中高頻聲音;而開放模式可使用戶聽到所有環(huán)境噪音。 · 風噪模式——抵消由風引起的噪聲。 采用AS3435主動降噪芯片的Canviis Pro壓耳式耳機可實現(xiàn)世界一流的主動降噪性能，降噪超過 30dB，總諧波失真小于0.5%(100dBSPL)。 Driifter Pro入耳式耳機要求芯片具有良好的降噪能力，可放置在小型的終端產(chǎn)品外殼中，極低的功耗以使產(chǎn)品只需一顆小電池即可實現(xiàn)長時間工作。FIIL選用的AS3412芯片尺寸僅為2.2 mm x 2.2 mm x 0.4mm ，采用晶圓級芯片封裝。工作電源電壓為1.6 V - 1.8V時，AS3412僅消耗8mW。 談到FIIL和艾邁斯半導體之間的合作，艾邁斯半導體全球銷售和市場執(zhí)行副總裁Pierre Laboisse表示：“我們很高興能成為亞洲領(lǐng)先耳機企業(yè)的戰(zhàn)略合作伙伴。FIIL是一家極具創(chuàng)新精神、專注品質(zhì)且引領(lǐng)潮流的主動降噪耳機供應(yīng)商。我們很珍惜這樣的合作伙伴。我們將繼續(xù)攜手緊密合作，致力于打造世界最先進的智能主動降噪耳機。” FIIL首席執(zhí)行官鄔寧表示：“在過去幾年，F(xiàn)IIL已成為高端降噪耳機全球市場的領(lǐng)導者。開發(fā)首款無線入耳式主動降噪耳機標志著FIIL的發(fā)展又向前邁了一步。在開發(fā)最新Canviis Pro和Driifter系列產(chǎn)品過程中我們與艾邁斯半導體進行了密切合作，對此我們感到很高興。艾邁斯半導體是全球領(lǐng)先的高級音頻解決方案制造商。”

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  • 情系孤寡老人 中秋送溫暖 深圳世強走進平湖敬老院

    為弘揚中華民族“尊老、敬老、愛老”的優(yōu)良傳統(tǒng)，在中秋佳節(jié)即將到來之際，深圳市世強先進科技有限公司(以下簡稱“世強”)走進平湖敬老院，為敬老院的孤寡老人和殘疾人送上中秋慰問。為進一步豐富敬老院老年人的業(yè)余文化生活，世強的同仁還編排了單口相聲、紅歌演唱等一系列節(jié)目為，讓老人過個開心節(jié)。   在平湖敬老院里，世強十余名志愿者與老人拉家常，詢問他們的身體狀和生活狀況。慰問期間，志愿者還送上了月餅、水果、牛奶等生活物品，預祝老人節(jié)日快樂，身體健康。 70多歲的孤寡老人張大爺說：“非常感謝你們來看望我們，你們不僅帶來了吃的、喝的，還陪我們聊聊天說說話，我真的特別高興。”平湖敬老院的工作人員也表示，十分感謝世強能夠來到這里傳遞溫暖，奉獻愛心，關(guān)懷孤寡老人。 據(jù)了解，世強成立于1993年，經(jīng)過24年的發(fā)展，是中國電子行業(yè)最優(yōu)秀的品牌分銷企業(yè)之一，不僅是全球近百家著名半導體企業(yè)在大中國區(qū)的戰(zhàn)略合作分銷商，還是眾多大型電子制造和研發(fā)企業(yè)的重要供應(yīng)商。產(chǎn)品業(yè)務(wù)廣泛覆蓋工業(yè)電子、通信電子、智能物聯(lián)、消費電子、汽車電子、測試測量等重要領(lǐng)域。世強一直不忘履行企業(yè)的社會責任，致力于公益慈善事業(yè)和學生發(fā)展事業(yè)，不定期地組織公益活動，積極參與愛心公益回報社會。

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  • 武漢光博會11月1-3日即將盛大舉行!

    2017年11月1-3日，第十四屆“中國光谷”國際光電子博覽會暨論壇，將在光谷新地標——中國光谷科技會展中心盛大開幕!   “中國光谷”國際光電子博覽會暨論壇(以下簡稱光博會)已成功舉辦13屆，累計吸引全球30多個國家和地區(qū)的5000余家知名企業(yè)參展，專業(yè)觀眾超過40萬人，累計主辦論壇會議100余場，已發(fā)展成為國內(nèi)前三、中西部地區(qū)最大的光電信息專業(yè)展會。 2017武漢光博會重回光谷，全新啟程!從展期安排、展館設(shè)置、展區(qū)內(nèi)容、參展企業(yè)、同期論壇及活動都有全新升級，必將給到新老展商及到場觀眾不一樣的光博會體驗! 全新展館規(guī)劃 給您全新逛展體驗 2017武漢光博會繼續(xù)以光電科技為基礎(chǔ)，遵循新一代信息革命的技術(shù)發(fā)展路線，規(guī)劃“光智造”、“光智聯(lián)”、“光智能”三大主題館，具體展區(qū)劃分如下： 光智造館：規(guī)劃激光生產(chǎn)與加工、精密光學制造、軍民融合裝備、工業(yè)光電自動化、光電新型顯示及國際展區(qū)。 光智聯(lián)館：規(guī)劃光通信設(shè)備及器件、光互聯(lián)及網(wǎng)絡(luò)、移動通信、光傳感與檢測、北斗及地球空間信息展區(qū)。 光智能館：規(guī)劃芯片與集成、人工智能及機器人、云平臺及智慧城市、智慧應(yīng)用及智能終端、科技創(chuàng)新成果展區(qū)。   5大看點 演繹光聯(lián)萬物智引未來 本屆光博會以“光能+智能”為核心，重點展示光電科技“信息化、智能化”的新產(chǎn)品、新技術(shù)和新的解決方案;聚集國內(nèi)外知名專家學者、商業(yè)領(lǐng)袖進行產(chǎn)業(yè)對接和行業(yè)交流，打造具有鮮明“智能”特色的國際光電盛會，助推光電子信息產(chǎn)業(yè)“智能”升級。 1. 七大國際頂級光電機構(gòu)協(xié)同招展，四大全球智能制造標桿企業(yè)同場競技。 2. 激光龍頭云集，升級重塑激光光學及自動化等優(yōu)勢板塊。 3. 首次打造“從芯片到算法”的智能硬件與技術(shù)應(yīng)用板塊。 4. 聚焦超寬帶、移動5G等新一代信息通信成果，全面描繪“從連接到智能”的智慧光通信藍圖。 5. 升級打造光顯示專展，全面新型的展品開啟同類展會先河。   7大頂級論壇 聚焦光電產(chǎn)業(yè)新紀元 本屆大會緊扣世界光電產(chǎn)業(yè)和信息科技交叉融合，疊加發(fā)展的產(chǎn)業(yè)趨勢，策劃7場高水準論壇。將同期舉辦7場論壇，包括1場高峰論壇和6場主題論壇。 主論壇：2017“中國光谷”國際光電子信息產(chǎn)業(yè)高峰論壇 專業(yè)論壇： 第十一屆中國光谷(武漢)國際激光峰會 2017第 五 屆 增 材 制 造 技 術(shù)(3D打印)國際論壇 2017"5G"時代的光通信產(chǎn)業(yè)發(fā)展論壇 第三屆先進電子制造高峰論壇 第三屆武漢國際光谷論壇暨光通信高峰論壇 第十五屆“中國光谷”知識產(chǎn)權(quán)國際論壇   3大同期活動 大咖云集共話光電未來 1.2017世界光纖光纜大會(CRU) 2.第十屆國際光子與光電子學會議(POEM 2017) 3.光谷航天激光技術(shù)產(chǎn)業(yè)國際論壇 5場專場活動 精彩紛呈獎品多多 光博會期間將舉辦5場精彩的專場活動，不僅能讓每一位觀眾觀展、逛展、參會、聽論壇的同時，還能近距離了解激光安全生產(chǎn)的重大意義、體驗光電產(chǎn)品新技術(shù)的科技魅力、認識了解中國激光行業(yè)的技術(shù)人才，還能參與光電達人現(xiàn)場活動，大疆無人機、行車記錄儀、掃地機器人等超過大獎拿不停! 1 .重大項目簽約 2.光博會激光展示及使用安全倡導儀式 3.中國激光領(lǐng)軍百人評選及授獎活動 4.新產(chǎn)品新技術(shù)發(fā)布會 5.最新光電科技體驗日等相關(guān)活動   2017光博會 回歸光谷全新啟程 2017武漢光博會重回光谷，將在今年6月開館的中國光谷科技會展中心開展。 中國光谷科技會展中心，武漢三大地標展館之一，位于光谷大道與高新六路交匯處。雄踞光谷中心城城市中心區(qū)，東接光谷生物城，西鄰東湖高新行政中心，南連富士康科技園及金融港。周邊著名企業(yè)有華為、中興、TCL、富士康、長飛光纖、烽火科技等，在“光博會”更能讓你近距離走近光谷，走近中國光電子產(chǎn)業(yè)誕生基地，實地感受光谷光電子產(chǎn)業(yè)的未來。   交通全覆蓋 直達場館觀展便捷 地點：中國光谷科技會展中心 具體地址：湖北省武漢市洪山區(qū)高新大道與光谷六路交匯處 2017年11月1日-3日，2017第十四屆“中國光谷”國際光電子博覽會暨論壇，與你相約中國光谷科技會展中心!光電盛宴，璀璨啟程!

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  • 世強&Silicon Labs “2017 Wireless Workshop”圓滿舉行 領(lǐng)跑無線技術(shù)

    近日，由世強& Silicon Labs聯(lián)合主辦的“2017 Wireless Workshop”在深圳圓滿落幕，這是繼杭州、上海、北京專場后，世強與Silicon Labs又一次聯(lián)合，與數(shù)百位工程師共同探討目前新的物聯(lián)網(wǎng)技術(shù)。   本次Wireless Workshop，圍繞高靈敏度收發(fā)器、自組網(wǎng)ZIGBEE 、最新藍牙5 MESH網(wǎng)狀網(wǎng)絡(luò)解決方案、超遠距離/認證齊全的WIFI/藍牙/ZIGBEE模塊等議題展開。 世強的技術(shù)專家們表示，物聯(lián)網(wǎng)創(chuàng)新應(yīng)用推陳出新，對自組網(wǎng)、鄰近感知、P2P傳輸、支持IPv6等方面提出需求，推動了無線技術(shù)發(fā)展。新的無線技術(shù)使物聯(lián)網(wǎng)應(yīng)用的形式更加多樣化，從工業(yè)應(yīng)用、智能家居，到零售應(yīng)用等，這些都將對企業(yè)和普通大眾的日常生活起到積極的推動作用。 以藍牙為例，藍牙5比藍牙4.2快2倍的傳輸速度、4倍的傳輸距離以及8倍的廣播數(shù)據(jù)傳輸量，將在更廣的范圍內(nèi)實現(xiàn)簡單、輕松的互聯(lián)設(shè)備互動，進而增強智能家居、樓宇自動化、可穿戴設(shè)備或是工業(yè)物聯(lián)網(wǎng)等領(lǐng)域的IoT應(yīng)用程序，進一步提升物聯(lián)網(wǎng)體驗。 而近期藍牙聯(lián)盟發(fā)布的全新網(wǎng)狀網(wǎng)絡(luò)——藍牙MESH，不僅具備可靠性、可拓展性及互通性，還提供工業(yè)級的安全，可防范所有已知的攻擊，非常適合創(chuàng)建大型節(jié)點網(wǎng)絡(luò)、建筑和智能家居自動化、財產(chǎn)追蹤和傳感器網(wǎng)絡(luò)。例如，通過建筑和智能家居，設(shè)備可以直接相互通信，所以開關(guān)電燈將不再涉及通過路由器或網(wǎng)關(guān)的通信。 同時，在場世強& Silicon Labs的技術(shù)專家還提到，在遠距離WIFI助力物聯(lián)互通方面，可為企業(yè)提供具備低功耗IoT特性，預認證模塊可快速上市的完整軟件解決方案，支持OTA升級，有Simplicity Studio綜合開發(fā)工具;在多協(xié)議全面無線智能物聯(lián)解決方案方面，可為企業(yè)提供目前市場上部署最廣、最成熟可靠和可拓展性最大的Silicon Labs網(wǎng)狀網(wǎng)絡(luò)，并提供配套的開發(fā)工具，可用于快速開發(fā)可認證的ZIGBEE產(chǎn)品應(yīng)用，幫助企業(yè)創(chuàng)新。 在研討會中，世強& Silicon Labs還特別增加了小組開發(fā)板操作環(huán)節(jié)，像專有協(xié)議RAIL和Connect的Workshop體驗、ZIGBEE開發(fā)套件-EFR32MG DEMO操作演示和通過操作EFR32BG開發(fā)套件，體驗藍牙5的特性等，讓在場的工程師通過實操，進一步增加與技術(shù)專家的互動交流。 會后，有工程師表示，參加世強& Silicon Labs “2017 Wireless Workshop”不僅了解了更多先進的技術(shù)，對整個大環(huán)境有新的了解和思考，還通過與技術(shù)專家的交流解答了之前對于藍牙定位實現(xiàn)技術(shù)細節(jié)的疑問。想了解更多現(xiàn)場的技術(shù)干貨資料，可登陸世強元件電商，搜索活動回顧專題，未來也可在線報名更多線上活動，直擊業(yè)界新元件新技術(shù)。 世強相關(guān)負責人則表示：“世強成立24年來，一直致力于為企業(yè)提供創(chuàng)新服務(wù)，助力企業(yè)提升創(chuàng)新競爭力，聯(lián)合線下豐富的研討會和世強元件電商平臺，持續(xù)不斷地為工程師輸送最新的器件信息和前沿的技術(shù)方案，包含工業(yè)、通信、智能物聯(lián)、消費、汽車、測試測量等重要領(lǐng)域。我們希望，通過線上線下相結(jié)合的方式，幫企業(yè)了解最新的行業(yè)動態(tài)、快速完成研發(fā)設(shè)計，實現(xiàn)企業(yè)創(chuàng)新。也希望世強能通過這一系列的努力，最終能為中國企業(yè)的全面創(chuàng)新和物聯(lián)網(wǎng)的進程獻上自己的一份力量。”

    半導體 物聯(lián)網(wǎng) Silicon labs 世強

  • 艾邁斯半導體推出具有PSI5接口的新型 汽車級磁位置傳感器

    全球領(lǐng)先的高性能傳感器解決方案供應(yīng)商艾邁斯半導體公司今天宣布推出具備雙線PSI5接口的AS5172A/B磁位置傳感器，可實現(xiàn)精確旋轉(zhuǎn)位置測量數(shù)據(jù)的快速及安全傳輸。 新的AS5172A和AS5172B系統(tǒng)級芯片(SoC)是360度非接觸式的旋轉(zhuǎn)磁位置傳感器，能夠提供14位高分辨率的絕對角度測量。根據(jù)汽車安全標準ISO26262，這兩款傳感器被開發(fā)為SEooC設(shè)備，并以廣泛的片上自診斷系統(tǒng)為特色。這使AS5172A/B成為對安全性有較高要求的汽車應(yīng)用的理想選擇，幫助汽車系統(tǒng)滿足最高級別的ASIL安全要求。 此外，AS5172A / B組件中的PSI5接口符合PSI5最新標準1.3和2.1的規(guī)定。 經(jīng)AEC-Q100認證，AS5172A/B能夠支持許多汽車遠程位置傳感應(yīng)用，包括剎車和油門踏板位置感應(yīng)、節(jié)流閥和節(jié)氣門、轉(zhuǎn)向角傳感器、底盤懸掛高度傳感器、廢氣再循環(huán)(EGR)閥和油位測量系統(tǒng)。 借助霍爾傳感技術(shù)，AS5172A/B能夠在圓周內(nèi)正交分布的傳感器陣列來測量磁通量密度，并補償消除外部雜散磁場的影響，提供一個穩(wěn)健的14位(0.022° 精度)傳感器陣列和模擬前端為中心的穩(wěn)健結(jié)構(gòu)補償外部的雜散磁場。AS5172A/B也能夠通過編程以支持低至0-10°的全運動轉(zhuǎn)角范圍，為應(yīng)用提供最佳分辨率。 高靈敏度的霍爾傳感器前端還能使用小型且低成本的磁鐵，并支持10-90mT的寬磁場輸入范圍。只需一個圍繞封裝中心旋轉(zhuǎn)的簡單兩極磁鐵就能幾乎同步地提供磁鐵絕對角度位置的信息。磁鐵可被置于設(shè)備上方或下方。 AS5172A/B可在4V 至16.5V的寬電壓范圍內(nèi)運作，并支持高達+20V的過壓保護。此外，電源引腳在高達-18V的反極情況下仍能受到保護。AS5172A/B也可以借助器件上的VDD引腳通過單線UART連接PSI5接口實現(xiàn)簡易編程，減少應(yīng)用編程連接器的引腳數(shù)量。 艾邁斯半導體位置傳感器市場總監(jiān)Thomas Mueller表示：“汽車客戶不斷對接口和安全標準提出更高要求，AS5172A/B磁角度位置傳感器的推出體現(xiàn)了艾邁斯半導體為滿足客戶需求所付出的不懈努力。具備PSI5接口和穩(wěn)健嵌入式自診斷功能的AS5172A/B將成為幫助OEM廠商在遠程角位置傳感應(yīng)用中達到最高ASIL安全等級的最佳解決方案。” AS5172采用兩種封裝，TSSOP14封裝(AS5172B)和SIP封裝(AS5172A)。SIP封裝(系統(tǒng)封裝)集成了AS5172傳感器晶圓與去耦電容器以提升ESD和EMC性能，免除對PCB的需要，幫助減少整體系統(tǒng)成本。AS5172A能夠在-40°C 至125°C溫度范圍內(nèi)運行，AS5172B則能在-40°C 到 150°C范圍內(nèi)運行。

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  • 在高頻直流—直流轉(zhuǎn)換器內(nèi)使用650V碳化硅MOSFET的好處

    摘要 本文評測了主開關(guān)采用意法半導體新產(chǎn)品650V SiC MOSFET的直流-直流升壓轉(zhuǎn)換器的電熱特性，并將SiC碳化硅器件與新一代硅器件做了全面的比較。測試結(jié)果證明，新SiC碳化硅開關(guān)管提升了開關(guān)性能標桿，讓系統(tǒng)具更高的能效，對市場上現(xiàn)有系統(tǒng)設(shè)計影響較大。 前言 市場對開關(guān)速度、功率、機械應(yīng)力和熱應(yīng)力耐受度的要求日益提高，而硅器件理論上正在接近性能上限。 寬帶隙半導體器件因電、熱、機械等各項性能表現(xiàn)俱佳而被業(yè)界看好，被認為是硅半導體器件的替代技術(shù)。在這些新材料中，兼容硅技術(shù)制程的碳化硅(SiC)是最有前景的技術(shù)。碳化硅材料的電氣特性使其適用于研制高擊穿電壓器件，但是，遠高于普通硅器件的制造成本限制了其在中低壓器件中的推廣應(yīng)用。在600V電壓范圍內(nèi)，硅器件的性能非常好，性價比高于碳化硅器件。不過，應(yīng)用要求芯片有更高的性能，而硅器件已經(jīng)達到了極限。最近幾年，人們更加關(guān)注環(huán)境、能效和污染問題，導致電氣能效標準趨嚴，這不只限于大功率應(yīng)用，還包括低負載應(yīng)用?，F(xiàn)在，開關(guān)頻率可以更高，同時開關(guān)損耗可以降至更低，本文介紹的650V碳化硅晶體管特別適合這種應(yīng)用場景。 第一章 表1是4H SiC碳化硅器件與硅器件的特性比較表。如表1所示，碳化硅的寬帶隙使電力電子器件具有很多優(yōu)異特性。 表1. 碳化硅與硅材料特性比較 更高的關(guān)鍵應(yīng)用準許使用摻雜程度更高的超薄裸片，使其損耗比其它芯片低很多。碳化硅熱導率比硅器件高出很多，因此，功率損耗散熱導致的溫降在整個器件上都比較低。因為碳化硅的熔點溫度更高，可以工作在400 °C范圍內(nèi)，這些特性讓人們更加看好碳化硅器件在開關(guān)速度、損耗、Rdson導通電阻、擊穿電壓方面的性能表現(xiàn)。事實上，擊穿電壓高于1200V的碳化硅器件深受市場歡迎。是否選擇超高擊穿電壓的碳化硅器件，不僅要考慮電氣特性，還要考慮碳化硅的制造成本高于硅器件。對于600V電壓以下碳化硅產(chǎn)品，以前市面上只有2吋或3吋碳化硅晶圓片，而且生產(chǎn)設(shè)備非常昂貴，因此，碳化硅器件的性價比不如硅器件。今天，4吋和6吋碳化硅晶圓片非常常見，市場對碳化硅器件需求增長可以讓廠商降低制造成本。600V SiC MOSFET開始出現(xiàn)在市場上，具有令人感興趣的特性，適用于各種應(yīng)用領(lǐng)域。 新器件: 650V SiC MOSFET 如前文介紹，硅功率MOSFET器件的性能正在接近極限。意法半導體開發(fā)出一個60兆歐姆 /650 SiC MOSFET產(chǎn)品原型，克服了600V功率MOSFET的性能極限。為證明這款650V SiC MOSFET的優(yōu)勢，我們將其與當前最先進的超結(jié)功率MOSFET對比。表 2 列出了這兩種對比器件的電氣參數(shù)。為了使測試條件具有可比性，我們選擇兩款150°C時RDSon參數(shù)相似的硅器件和碳化硅器件。 表2. 不難發(fā)現(xiàn)，Rdson參數(shù)對應(yīng)的熱導系數(shù)不同。如圖1所示，碳化硅器件的Rdson基本上與溫度無關(guān)，最高結(jié)溫高于同級的硅器件，這準許工作溫度更高，而不會導致?lián)p耗增加。開關(guān)損耗也是如此，見圖2。 兩個器件的另一個重差別是驅(qū)動這兩個器件完全導通需要不同的柵電壓，硅MOSFET是10V，碳化硅MOSFET是20V。 案例研究: 升壓轉(zhuǎn)換器 我們在一個標準升壓轉(zhuǎn)換器(圖3)內(nèi)對比分析650V SiC MOSFET與先進的硅器件，為了解650V SiC MOSFET的特性，我們用100 Khz和200KHz開關(guān)頻率進行對比。 測試條件如下: VIN=160V，VOUT=400V，POUTmax=1600W，占空比=60%，升壓二極管 = 碳化硅STPSC2006。柵驅(qū)動條件: · 硅MOSFET: VGS=0/10V, RGON=5.6Ω, RGOFF=2.2Ω · 碳化硅MOSFET: VGS=0/20V, RGON=5.6Ω, RGOFF=2.2Ω 為降低外部因素對測試結(jié)果的影響，我們選用了封裝(TO247)相同的硅MOSFET和碳化硅MOSFET，安裝相同的空氣冷卻式散熱器，記錄并比較在各種負載條件下的能效。如圖4(a)和(b)所示，在fsw=200KHz時,碳化硅MOSFET的開關(guān)特性優(yōu)于硅器件(100 Khz開關(guān)頻率也是如此)，從圖5 (a)和(b)的能效和熱曲線不難看出，碳化硅MOSFET的開關(guān)特性明顯優(yōu)于硅器件。 在100 Khz和200 KHz開關(guān)頻率時，兩個測試顯示，碳化硅MOSFET能效更高，封裝溫度更低。從圖中不難看出，當高頻率開關(guān)時，碳化硅的優(yōu)勢比較突出。 結(jié)論 新650V碳化硅MOSFET是面向高能效系統(tǒng)的最新產(chǎn)品。在硬開關(guān)應(yīng)用中，這款產(chǎn)品能夠提高能效，采用新的熱管理方法，提高了功率/立方厘米比。對于其固有參數(shù)，這款產(chǎn)品將能夠用于軟開關(guān)應(yīng)用，這是將來的研發(fā)目標。

    半導體 意法半導體 MOSFET 650v sic 直流升壓轉(zhuǎn)換器

  • 中國研發(fā)投入額全球第二僅次于美國 重回10%以上增速

    近日消息，三部委共同發(fā)布的《2016年全國科技經(jīng)費投入統(tǒng)計公報》顯示，2016年我國研發(fā)經(jīng)費投入總量為15676.7億元，比上年增長10.6%，增速比上年提高了1.7個百分點。 這是自2012年以來研發(fā)經(jīng)費增速持續(xù)4年下滑后的首次回升，也是研發(fā)經(jīng)費在經(jīng)歷了2014年、2015年連續(xù)兩年個位數(shù)增長后重新回到10%以上的增長速度。 研發(fā)投入強度接近發(fā)達國家水平 引導全社會加大對研發(fā)的投入，是落實創(chuàng)新驅(qū)動發(fā)展戰(zhàn)略的重要基礎(chǔ)，也是2020年我國進入創(chuàng)新型國家行列的關(guān)鍵因素。 近年來，我國研發(fā)經(jīng)費投入持續(xù)增長，總量保持在世界第二位，與位列首位的美國的差距正逐步縮小。 2016年，從投入強度(研發(fā)經(jīng)費與國內(nèi)生產(chǎn)總值之比)來看，為2.11%，比上年提高0.05個百分點;按研究與試驗發(fā)展(R&D)人員(全時工作量)計算的人均經(jīng)費為40.4萬元，比上年增加2.7萬元。 國家統(tǒng)計局社科文司高級統(tǒng)計師關(guān)曉靜表示，2.11%的研發(fā)投入強度雖然與OECD國家2.40%的平均水平還有距離，但已經(jīng)超過歐盟15國2.08%的平均水平。近年來我國研發(fā)經(jīng)費投入強度一直呈穩(wěn)定上升趨勢，與發(fā)達國家的差距逐年縮小。 關(guān)曉靜稱，我國研發(fā)投入再創(chuàng)歷史新高得益于政府引導和政策環(huán)境的不斷優(yōu)化。2016年，國家財政科技支出達7760.7億元，比上年增長10.8%，增速為近4年來的最高水平。 同時，一系列鼓勵全社會研發(fā)投入的政策取得良好效果，以企業(yè)研發(fā)費用稅前加計扣除政策為例，2016年享受該項政策的規(guī)模以上工業(yè)企業(yè)比上年增長20%，這些企業(yè)減免的所得稅比上年增長8.9%。2016年，全國開展研發(fā)活動的規(guī)模以上工業(yè)企業(yè)比上年增長18.1%，投入的研發(fā)經(jīng)費比上年增長9.3%，增速分別比上年提高2.6個和1.1個百分點。 基礎(chǔ)研究經(jīng)費占比達到10年來最好水平 公報數(shù)據(jù)還顯示，基礎(chǔ)研究經(jīng)費占比繼續(xù)回升。 基礎(chǔ)研究是一個國家科研最重要的基礎(chǔ)之一，發(fā)達國家均把增強基礎(chǔ)研究作為提升本國科技實力的重要力量。 2016年我國基礎(chǔ)研究經(jīng)費為822.9億元，比上年增長14.9%，明顯高于應(yīng)用研究經(jīng)費(5.4%)和試驗發(fā)展經(jīng)費(11.1%)的增速?；A(chǔ)研究占比延續(xù)了上年回升態(tài)勢，達到5.2%，為近10年來的最高水平。 從科研主體來說，企業(yè)對中國科研的拉動作用進一步增強，企業(yè)研發(fā)經(jīng)費占全社會研發(fā)經(jīng)費的比重保持在八成以上。 隨著“雙創(chuàng)”的深入開展，進一步激發(fā)了企業(yè)開展研發(fā)活動的積極性。2016年中國各類企業(yè)研發(fā)經(jīng)費支出12144億元，比上年增長11.6%，較上年提高3.4個百分點;企業(yè)對全社會研發(fā)經(jīng)費增長的貢獻為83.8%，比上年提升12.7個百分點，企業(yè)對全社會研發(fā)經(jīng)費增長的拉動作用進一步增強。 在規(guī)模以上工業(yè)企業(yè)中，研究與試驗發(fā)展(R&D)經(jīng)費投入超過500億元的行業(yè)大類有7個，這7個行業(yè)的經(jīng)費占全部規(guī)模以上工業(yè)企業(yè)研究與試驗發(fā)展(R&D)經(jīng)費的比重為60.2%;研究與試驗發(fā)展(R&D)經(jīng)費投入在100億元以上且投入強度超過規(guī)模以上工業(yè)企業(yè)平均水平的行業(yè)大類有9個。 廣東居首、六省市研發(fā)經(jīng)費超千億 分地區(qū)看，研究與試驗發(fā)展(R&D)經(jīng)費投入超過千億元的省(市)有6個。 他們分別是廣東(占13%)、江蘇(占12.9%)、山東(占10%)、北京(占9.5%)、浙江(占7.2%)和上海(占6.7%)。 另外，研究與試驗發(fā)展經(jīng)費投入強度超過全國平均水平的省(市)有8個，分別為北京、上海、天津、江蘇、廣東、浙江、山東和陜西。 關(guān)曉靜說，研發(fā)投入強度看，我國與以色列(4.25%)、韓國(4.23%)、日本(3.49%)等創(chuàng)新型國家相比還有很大差距。從經(jīng)費投入結(jié)構(gòu)看，我國基礎(chǔ)研究經(jīng)費雖然實現(xiàn)兩年連增，但仍處于較低水平，與發(fā)達國家15-25%的占比水平相比也有很大差距。 關(guān)曉靜表示，未來幾年，政府部門要進一步加大財政科技投入，充分發(fā)揮政府資金對全社會研發(fā)經(jīng)費投入的引導和拉動作用;也要進一步完善創(chuàng)新政策體系建設(shè)并推動研發(fā)加計扣除等政策的有效落實，進一步激發(fā)市場主體開展研發(fā)活動的積極性;還要積極引導地方政府和企業(yè)加大對基礎(chǔ)研究的投入，加強對前瞻性科學研究和原始創(chuàng)新能力的建設(shè);同時要通過科研項目管理體制改革，提升研發(fā)經(jīng)費投入的針對性和有效性，提高研發(fā)資金的使用效率。

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  • 高通向歐盟做出讓步 380億美元收購NXP有望獲批

    近日消息，歐盟委員會表示針對380億美元收購恩智浦半導體公司(NXP Semiconductors)交易，高通公司已經(jīng)做出讓步。 高通去年10月宣布，將以380億美元收購恩智浦半導體公司。這將是全球半導體市場最大一筆并購交易。今年6月9日，歐盟對這筆交易展開全面調(diào)查，主要擔心該交易將導致芯片價格上漲，削弱半導體行業(yè)的創(chuàng)新能力。 當天，據(jù)歐盟委員會在官方網(wǎng)站上稱，高通已于10月5日提交了建議書，對收購條款作出了讓步，但并未透露詳細的信息。 在審查這筆交易期間，由于高通未能及時提供所需信息，歐盟曾分別于6月和8月兩次中斷審查。因此，原定于10月17日公布審查結(jié)果的計劃也被推后。 分析人士稱，該交易完成后，高通將成為快速發(fā)展的汽車芯片市場的領(lǐng)先供應(yīng)商。今年4月，美國反壟斷機構(gòu)已無條件批準了這筆交易。之前就有分析人士稱，要想獲得歐盟的批準，高通可能要做出一些讓步。 未來數(shù)日，預計歐盟將針對高通的建議尋求競爭對手和公眾的評估。 2015年12月，歐盟還向高通發(fā)出了“異議聲明”，指控高通利用其在手機芯片市場的主導地位打壓競爭對手。  

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  • 富士通淡出半導體事業(yè)!8寸晶圓廠賣安森美

     近日消息，富士通宣布，旗下子公司富士通半導體(Fujitsu Semiconductor)所屬的8寸晶圓工廠“會津富士通半導體制造公司”將賣給美國安森美半導體(On Semiconductor)。 富士通半導體已和安森美達成共識，安森美計劃在2018年4月1日追加取得上述8寸晶圓廠30%股權(quán)、將持股比重從現(xiàn)行的10%提高至40%，且之后也計劃進一步提高持股比重，目標在2018年后半提高至60%、2020年前半提高至100%。 據(jù)報導，富士通正加快淡出半導體等非核心事業(yè)、將公司資源集中至IT服務(wù)事業(yè)。據(jù)報導，安森美預估將出資約20億日圓追加取得上述8寸晶圓廠30%股權(quán)，且該8寸晶圓廠收編在安森美旗下之后也計劃擴增產(chǎn)能。

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  • 51億元!高通在臺灣被判不公平競爭被重罰

    10月11日，據(jù)中國臺灣媒體報道，因被認定不公平競爭，高通遭臺灣地區(qū)公平交易委員會罰款234億元新臺幣(約合人民幣50.96億元)，創(chuàng)下臺灣地區(qū)公平交易委員會有史以來最高裁罰紀錄。 據(jù)了解，中國臺灣公平交易委員會認為，高通在CDMA、WCDMA及LTE等移動通訊標準基頻芯片市場具有獨占地位，但卻不向其他芯片廠商進行專利授權(quán)、采取不簽專利授權(quán)就不提供芯片等手段進行壟斷行為。 中國臺灣公平交易委員會認定，高通的經(jīng)營模式損害了基頻芯片的市場競爭，直接或者間接阻礙了其他公司的競爭行為，屬于不公平競爭。 按照中國臺灣地區(qū)相關(guān)規(guī)定，對高通處以234億元新臺幣罰款。 2015年2月中國內(nèi)地對高通處以60.88億元罰款，國家發(fā)改委認定高通濫用市場支配地位實施排除、限制競爭，高通此前持續(xù)申訴，但在最后一刻放棄了聽證申辯，與政府部門達成和解。 2016年12月韓國公平貿(mào)易委員會（KFTC），對高通展開反壟斷調(diào)查，認為高通在韓國市場利和銷售智能手機芯片時妨礙市場競爭，高通在韓國濫用其市場主導地位，在銷售芯片時強迫手機制造商為一些不必要的專利支付費用，決定決定對高通處以1.03萬億韓元(約9.12億美元)的罰款，創(chuàng)下韓國反壟斷史的最高罰金記錄。

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  • 阿里云大數(shù)據(jù)學院落戶青島 欲5年培養(yǎng)五千名云計算等人才

     記者從青島西海岸新區(qū)獲悉，“山東科技大學・阿里云大數(shù)據(jù)學院”簽約儀式11日在阿里巴巴云棲大會上舉行。該學院由青島西海岸新區(qū)、山東科技大學、阿里巴巴集團阿里云計算有限公司、青島青軟實訓教育科技股份有限公司四方合作共建，是中國北方第一所由政府推動扶持的阿里云大數(shù)據(jù)學院，將在5年內(nèi)培養(yǎng)5000名云計算、大數(shù)據(jù)云安全和人工智能方面的高端專業(yè)人才。 據(jù)悉，山東科技大學・阿里云大數(shù)據(jù)學院將引入阿里云ACF基礎(chǔ)認證和ACP專業(yè)認證，形成包含留學生、研究生、本科生多層次的大數(shù)據(jù)專業(yè)人才培養(yǎng)體系，達到國內(nèi)一流辦學水平，并計劃三年內(nèi)打造立足青島、面向全國、放眼全球的新型示范性大數(shù)據(jù)學院。 阿里巴巴集團是國際頂尖的互聯(lián)網(wǎng)企業(yè)，更是國內(nèi)大數(shù)據(jù)發(fā)展的領(lǐng)導者，在大數(shù)據(jù)人才培養(yǎng)方面具有豐富的資源和經(jīng)驗，其主導的云棲大會聚焦創(chuàng)新、創(chuàng)業(yè)、大數(shù)據(jù)、大平臺，全方位展示云計算最新應(yīng)用和實踐成果，成為引領(lǐng)云計算行業(yè)創(chuàng)新發(fā)展風向標。山東科技大學擁有國家級創(chuàng)新創(chuàng)業(yè)孵化基地，在數(shù)據(jù)挖掘、數(shù)據(jù)分析和處理等專業(yè)具有較強的學科優(yōu)勢。青軟實訓是中國國內(nèi)領(lǐng)先的IT職業(yè)教育和企業(yè)人力資源服務(wù)機構(gòu)。 青島西海岸新區(qū)擁有良好的大數(shù)據(jù)發(fā)展環(huán)境，截至2016年底，新區(qū)已集聚大數(shù)據(jù)相關(guān)企業(yè)2000多家，寬帶端口總數(shù)超過130萬個，通信光纜線路總長度超過3萬公里，地區(qū)骨干網(wǎng)帶寬最大值170G，互聯(lián)網(wǎng)用戶數(shù)44.5萬戶，基本實現(xiàn)4G網(wǎng)絡(luò)無縫覆蓋。海洋大數(shù)據(jù)、工業(yè)大數(shù)據(jù)、軍民融合大數(shù)據(jù)開發(fā)與應(yīng)用發(fā)展迅速，部分行業(yè)及民生領(lǐng)域的大數(shù)據(jù)應(yīng)用走在全國前列。

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  • 貿(mào)澤電子與Basler 簽訂全球分銷協(xié)議 開售Basler嵌入式視覺相機模塊

    最新半導體和電子元件的全球授權(quán)分銷商貿(mào)澤電子(Mouser Electronics)宣布與全球領(lǐng)先的高品質(zhì)數(shù)碼相機和鏡頭制造商Basler簽訂全球分銷協(xié)議。Basler的嵌入式視覺產(chǎn)品結(jié)合了最新的芯片和軟件開發(fā)技術(shù)以及工業(yè)機器視覺技術(shù)，可組成高成本效益的板級相機系統(tǒng)，適用于工廠自動化、物流、機器人和工業(yè)物聯(lián)網(wǎng) (IIoT)。 貿(mào)澤電子現(xiàn)在供應(yīng)的Basler產(chǎn)品線采用該公司的 dart系列相機模塊和用于輕松評估與開發(fā)的嵌入式視覺套件。Basler dart相機系列主要用于滿足各種各樣視覺應(yīng)用的需求。體積小巧的單板相機系列具有Basler的PGI功能集。PGI 提供強大的內(nèi)部成像優(yōu)化技術(shù)，可以在不增加CPU負荷的情況下全速優(yōu)化圖像。PGI 的獨特之處就在于它將5x5去拜耳化、彩色抗鋸齒、去噪和改善的銳化功能集于一身。dart相機模塊采用Basler基于LVDS的BCON接口或 USB3 Vision標準接口，可以輕松集成、方便插拔，并可以穩(wěn)定地傳輸數(shù)據(jù)。 貿(mào)澤同時還供應(yīng)Basler易于使用的嵌入式視覺套件，使開發(fā)人員能夠直接集成或評估相機。dart USB評估套件包含一個dart USB相機模塊，而dart BCON for LVDS開發(fā)套件包含一個dart BCON相機模塊和一個處理板。dart BCON模塊具有基于LVDS 的BCON接口，而處理板基于Xilinx Zynq片上系統(tǒng)(SoC)。這兩個套件均配有鏡頭、電纜和 pylon相機軟件套裝。此外，具有dart相機模塊的開發(fā)套件還可以通過合作伙伴AAEON和Critical Link 的產(chǎn)品，與Intel® Programmable Solutions Group(以前稱為 Altera®)FPGA搭配使用。

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