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先進(jìn)制程訂單滿載臺(tái)積電元月營收增1成
晶圓代工龍頭臺(tái)積電今年1月營收紅不讓！相較于聯(lián)電1月營收小幅衰退0.7％，臺(tái)積電1月分因?yàn)?0納米以下先進(jìn)制程訂單滿載，以及8寸廠成熟制程急單回流帶動(dòng)下，1月營收345.69億元，較12月逆勢增加10.6％。 由于1月分
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張忠謀：臺(tái)積年底試產(chǎn)20奈米制程
臺(tái)積電目前在28奈米(nm)先進(jìn)制程技術(shù)上傲視群雄，前進(jìn)20奈米制程微縮的時(shí)程也領(lǐng)先業(yè)界，并已底定于2012年底試產(chǎn)；同時(shí)，其專攻2.5D及三維晶片(3D IC)的CoWoS(Chip on Wafer on Substrate)生態(tài)系統(tǒng)也愈發(fā)茁壯。在多方
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聯(lián)華電子與智原科技強(qiáng)化先進(jìn)制程硅智財(cái)伙伴關(guān)係
聯(lián)華電子與ASIC暨硅智財(cái)領(lǐng)導(dǎo)廠商智原科技今日共同宣佈，雙方協(xié)議將強(qiáng)化硅智財(cái)伙伴關(guān)係，以涵蓋聯(lián)華電子先進(jìn)制程上的基礎(chǔ)與特殊硅智財(cái)。在此協(xié)議之下，智原科技將最佳化一系列完整硅智財(cái)，提供聯(lián)華電子0.11微米至28納
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先進(jìn)制程一馬當(dāng)先 臺(tái)積20奈米年底試產(chǎn)
臺(tái)積電將維持晶圓代工領(lǐng)先地位?，F(xiàn)階段臺(tái)積電28奈米(nm)先進(jìn)制程技術(shù)傲視群雄，加上其專攻2.5D及三維晶片(3D IC)的CoWoS(Chip on Wafer on Substrate)生態(tài)系統(tǒng)布局有成，光芒將壓過積極擴(kuò)大資本支出的三星(Samsung)或
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TSMC2011年第四季每股盈余新臺(tái)幣1.22元
TSMC18日公布2011年第四季財(cái)務(wù)報(bào)告，合并營收為新臺(tái)幣1,047.1億元，稅后純益為新臺(tái)幣315.8億元，每股盈余為新臺(tái)幣1.22元(換算成美國存托憑證每單位為0.20美元)。與2010年同期相較，2011年第四季營收減少4.9%，稅后純
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張忠謀：臺(tái)積電Q1營收持平 Q2會(huì)更好
臺(tái)積電（2330）昨天舉行法人說明會(huì)，董事長暨總執(zhí)行長張忠謀說，預(yù)估今年第1季營收上看1050億元，比去年第4季相當(dāng)，表現(xiàn)較往年好，而且第2季還會(huì)比第1季更好。 而在全球半導(dǎo)體產(chǎn)值成長率方面，張忠謀3個(gè)月前預(yù)測今
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TSMC2011年第四季每股盈余新臺(tái)幣1.22元
TSMC18日公布2011年第四季財(cái)務(wù)報(bào)告，合并營收為新臺(tái)幣1,047.1億元，稅后純益為新臺(tái)幣315.8億元，每股盈余為新臺(tái)幣1.22元（換算成美國存托憑證每單位為0.20美元）。與2010年同期相較，2011年第四季營收減少4.9%，稅后
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晶圓生產(chǎn)臺(tái)灣躍世界第一
受惠于臺(tái)積電（2330）及聯(lián)電（2303）去年積極在臺(tái)灣擴(kuò)充12寸廠先進(jìn)制程產(chǎn)能，臺(tái)灣在2011年成為全球最大半導(dǎo)體晶圓生產(chǎn)國。根據(jù)市調(diào)機(jī)構(gòu)ICInsights調(diào)查統(tǒng)計(jì)，臺(tái)灣去年晶圓月產(chǎn)能達(dá)2,858.3千片8寸約當(dāng)晶圓，占全球半導(dǎo)
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2012年臺(tái)系晶圓廠設(shè)備采購預(yù)計(jì)達(dá)70.48億美元
半導(dǎo)體材料與設(shè)備協(xié)會(huì)(SEMI)在最新全球晶圓廠報(bào)告《SEMIWorldFabForecast》中指出，今年上半年半導(dǎo)體晶圓廠設(shè)備支出將縮減，不過下半年將有大幅度的回升，預(yù)估全年全球晶圓廠的設(shè)備總支出將達(dá)到350億美元，年減4%。S
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晶圓生產(chǎn) 臺(tái)灣躍世界第一
受惠于臺(tái)積電（2330）及聯(lián)電（2303）去年積極在臺(tái)灣擴(kuò)充12寸廠先進(jìn)制程產(chǎn)能，臺(tái)灣在2011年成為全球最大半導(dǎo)體晶圓生產(chǎn)國。根據(jù)市調(diào)機(jī)構(gòu)IC Insights調(diào)查統(tǒng)計(jì)，臺(tái)灣去年晶圓月產(chǎn)能達(dá)2,858.3千片8寸約當(dāng)晶圓，占全球半導(dǎo)
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SEMI：晶圓廠設(shè)備支出2012僅減4% Q3起反彈
半導(dǎo)體材料與設(shè)備協(xié)會(huì)(SEMI)在最新全球晶圓廠報(bào)告《SEMIWorldFabForecast》中指出，今年上半年半導(dǎo)體晶圓廠設(shè)備支出將縮減，不過下半年將有大幅度的回升，預(yù)估全年全球晶圓廠的設(shè)備總支出將達(dá)到350億美元，年減4%。S
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SEMI：晶圓廠設(shè)備支出2012僅減4% Q3起反彈
半導(dǎo)體材料與設(shè)備協(xié)會(huì)(SEMI)在最新全球晶圓廠報(bào)告《SEMI World Fab Forecast》中指出，今年上半年半導(dǎo)體晶圓廠設(shè)備支出將縮減，不過下半年將有大幅度的回升，預(yù)估全年全球晶圓廠的設(shè)備總支出將達(dá)到350億美元，年減4%
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65/40納米供過于求 成熟制程開打低價(jià)戰(zhàn)
資策會(huì)產(chǎn)業(yè)研究所（MIC）指出，晶圓代工明年將跨入2X納米制程競爭，恐造成明年65納米及40納米供過于求局面，使得市場陷入激烈價(jià)格戰(zhàn)。 面對全球經(jīng)濟(jì)遲緩及科技產(chǎn)品需求轉(zhuǎn)弱，包括顧能（Gartner）等相繼下修明年半
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臺(tái)積28納米 明年大擴(kuò)產(chǎn)
臺(tái)積電（2330）28納米先進(jìn)制程布建進(jìn)展超乎預(yù)期，近期單月投片量推升近5,000片，較9月大增四倍，預(yù)定明年再以單季擴(kuò)增8,000片速度前進(jìn)，明年達(dá)到單月投片量達(dá)到近4萬片。 圖／經(jīng)濟(jì)日報(bào)提供 臺(tái)積電的28納米制程
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臺(tái)積晶圓代工 有信心贏三星
臺(tái)積電董事長張忠謀昨（9）日表示，中科15廠第三期產(chǎn)能將以20納米先進(jìn)制程為主，總投資金額將超越3,000億元；針對三星在晶圓代工產(chǎn)業(yè)發(fā)動(dòng)猛烈攻勢，張忠謀表示，三星是可畏的對手，但臺(tái)積電有信心將成為最后的勝利者
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臺(tái)積電積極布局28納米制程
臺(tái)積電日前正在加快28納米以下制程布建腳步，位于中科園區(qū)的晶圓15廠第三暨第四期廠房，將同時(shí)興建，預(yù)計(jì)2013年完工，這二座新廠，未來將成為臺(tái)積電跨足20納米制程主要生產(chǎn)重心。外資看好臺(tái)積電拉大先進(jìn)制程優(yōu)勢，有
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臺(tái)積電中科15廠第3期 明動(dòng)土
(中央社記者張建中新竹2011年12月8日電)臺(tái)積電(2330)積極沖刺先進(jìn)制程，預(yù)計(jì)明天舉辦15廠第3期新建工程動(dòng)土典禮，董事長暨總執(zhí)行長張忠謀將親自出席。 受全球經(jīng)濟(jì)情勢不佳影響，今年全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)產(chǎn)值恐僅成長1%
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臺(tái)積電積極布局28納米制程
臺(tái)積電日前正在加快28納米以下制程布建腳步，位于中科園區(qū)的晶圓15廠第三暨第四期廠房，將同時(shí)興建，預(yù)計(jì)2013年完工，這二座新廠，未來將成為臺(tái)積電跨足20納米制程主要生產(chǎn)重心。外資看好臺(tái)積電拉大先進(jìn)制程優(yōu)勢，有
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臺(tái)積電積極布局28納米制程
臺(tái)積電日前正在加快28納米以下制程布建腳步，位于中科園區(qū)的晶圓15廠第三暨第四期廠房，將同時(shí)興建，預(yù)計(jì)2013年完工，這二座新廠，未來將成為臺(tái)積電跨足20納米制程主要生產(chǎn)重心。外資看好臺(tái)積電拉大先進(jìn)制程優(yōu)勢，有
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臺(tái)積電積極布局28納米制程
臺(tái)積電日前正在加快28納米以下制程布建腳步，位于中科園區(qū)的晶圓15廠第三暨第四期廠房，將同時(shí)興建，預(yù)計(jì)2013年完工，這二座新廠，未來將成為臺(tái)積電跨足20納米制程主要生產(chǎn)重心。外資看好臺(tái)積電拉大先進(jìn)制程優(yōu)勢，有
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