臺積電

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臺灣積體電路制造股份有限公司，簡稱臺積電、TSMC，屬于半導(dǎo)體制造公司。成立于1987年，是全球第一家專業(yè)積體電路制造服務(wù)（晶圓代工foundry）企業(yè)，總部與主要工廠位于臺灣新竹科學(xué)園區(qū)。2017年，領(lǐng)域占有率56%。2018年一季度，合并營收85億美元，同比增長6%，凈利潤30億美元，同比增長2.5%，毛利率為50.3%，凈利率為36.2%，其中10納米晶圓出貨量占據(jù)了總晶圓營收的19%，另外7納米FinFET制程技術(shù)即將量產(chǎn)。截止2018年4月19日，美股TSM，市值2174億美元，靜態(tài)市盈率19。

產(chǎn)業(yè)新賽局╱日韓聯(lián)手臺聯(lián)日抗韓何去何從

《前言》：韓國三星入股日本夏普，日、韓兩大龍頭企業(yè)聯(lián)手震撼全球科技產(chǎn)業(yè)。日、韓產(chǎn)業(yè)競爭遠(yuǎn)大于臺、日互補(bǔ)合作。正當(dāng)臺灣「臺日合作推動小組」才建立以「建共識、補(bǔ)斷鏈、整資源」等為推動目標(biāo)，韓國三星入股日本

顯示光電
2013-07-24

夏普三星臺積電富士通
臺積電轉(zhuǎn)變策略開發(fā)行動和智能穿戴裝置技術(shù)

就在市場普遍關(guān)注晶圓代工廠的28納米制程競爭之際，晶圓代工龍頭臺積電(2330)仍積極將現(xiàn)有技術(shù)升級為特殊技術(shù)制程產(chǎn)能，原因就是持續(xù)看好行動裝置及智能穿戴裝置的強(qiáng)勁成長動能，包括嵌入式快閃存儲器(eFlash)、CMOS

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2013-07-24

智能穿戴 CMOS BCD 臺積電
FinFET改變戰(zhàn)局臺積將組大聯(lián)盟對抗三星/Intel

晶圓代工廠邁入高投資與技術(shù)門檻的鰭式場效電晶體(FinFET)制程世代后，與整合元件制造商(IDM)的競爭將更為激烈，因此臺積電正積極籌組大聯(lián)盟(Grand Alliance)，串連矽智財(IP)、半導(dǎo)體設(shè)備/材料，以及電子設(shè)計自動化

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2013-07-24

Intel FINFET 三星臺積電
強(qiáng)化FinFET市場競爭力臺積電欲組團(tuán)抗三星/Intel

晶圓代工廠邁入高投資與技術(shù)門檻的鰭式場效電晶體(FinFET)制程世代后，與整合元件制造商(IDM)的競爭將更為激烈，因此臺積電正積極籌組大聯(lián)盟(Grand Alliance)，串連矽智財(IP)、半導(dǎo)體設(shè)備/材料，以及電子設(shè)計自動化

電子設(shè)計自動化
2013-07-24

Intel FINFET 三星臺積電
日月光子公司 9月1日合并

在智能型手機(jī)、平板計算機(jī)、穿戴式產(chǎn)品等行動裝置需求帶動下，IC封測廠日月光(2311)積極調(diào)整集團(tuán)營運(yùn)，除了大手筆進(jìn)行籌資外，亦將旗下子公司進(jìn)行合并，達(dá)到資源整合的效益。日月光上周五(19日)股價受到臺積電股價被

電子設(shè)計自動化
2013-07-24

半導(dǎo)體光子光電子臺積電
臺積電、中鋼拿下產(chǎn)學(xué)大聯(lián)盟補(bǔ)助

被視為產(chǎn)學(xué)攜手雄踞世界舞臺的產(chǎn)學(xué)大聯(lián)盟計劃審議結(jié)果昨(23)日出爐，臺積電及中鋼兩支團(tuán)隊獲得青睞。國科會與經(jīng)濟(jì)部昨(23)日召開指導(dǎo)委員會共同審議「補(bǔ)助前瞻技術(shù)產(chǎn)學(xué)合作計劃」(簡稱產(chǎn)學(xué)大聯(lián)盟)，歷經(jīng)3個月的

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2013-07-24

Intel 節(jié)點半導(dǎo)體技術(shù) 臺積電
FinFET改變戰(zhàn)局臺積將組大聯(lián)盟抗三星/Intel

晶圓代工廠邁入高投資與技術(shù)門檻的鰭式場效電晶體(FinFET)制程世代后，與整合元件制造商(IDM)的競爭將更為激烈，因此臺積電正積極籌組大聯(lián)盟(GrandAlliance)，串連矽智財(IP)、半導(dǎo)體設(shè)備/材料，以及電子設(shè)計自動化(

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2013-07-23

Intel FINFET 三星臺積電
臺積電新制程攻行動穿戴

就在市場普遍關(guān)注晶圓代工廠的28納米制程競爭之際，晶圓代工龍頭臺積電（2330）仍積極將現(xiàn)有技術(shù)升級為特殊技術(shù)制程產(chǎn)能，原因就是持續(xù)看好行動裝置及智能穿戴裝置的強(qiáng)勁成長動能，包括嵌入式快閃存儲器（eFlash）、

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2013-07-23

智能穿戴 CMOS BCD 臺積電
FinFET改變戰(zhàn)局臺積將組大聯(lián)盟抗三星/Intel

晶圓代工廠邁入高投資與技術(shù)門檻的鰭式場效電晶體(FinFET)制程世代后，與整合元件制造商(IDM)的競爭將更為激烈，因此臺積電正積極籌組大聯(lián)盟(Grand Alliance)，串連矽智財(IP)、半導(dǎo)體設(shè)備/材料，以及電子設(shè)計自動化

消費(fèi)電子
2013-07-23

Intel FINFET 三星臺積電
臺積電新制程攻行動穿戴

就在市場普遍關(guān)注晶圓代工廠的28納米制程競爭之際，晶圓代工龍頭臺積電(2330)仍積極將現(xiàn)有技術(shù)升級為特殊技術(shù)制程產(chǎn)能，原因就是持續(xù)看好行動裝置及智能穿戴裝置的強(qiáng)勁成長動能，包括嵌入式快閃存儲器(eFlash)、CMOS

消費(fèi)電子
2013-07-23

智能穿戴 CMOS BCD 臺積電
臺積電新制程攻行動穿戴

就在市場普遍關(guān)注晶圓代工廠的28納米制程競爭之際，晶圓代工龍頭臺積電(2330)仍積極將現(xiàn)有技術(shù)升級為特殊技術(shù)制程產(chǎn)能，原因就是持續(xù)看好行動裝置及智能穿戴裝置的強(qiáng)勁成長動能，包括嵌入式快閃存儲器(eFlash)、CMOS

電子設(shè)計自動化
2013-07-23

智能穿戴 CMOS BCD 臺積電
FinFET改變戰(zhàn)局臺積將組大聯(lián)盟抗三星/Intel

晶圓代工廠邁入高投資與技術(shù)門檻的鰭式場效電晶體(FinFET)制程世代后，與整合元件制造商(IDM)的競爭將更為激烈，因此臺積電正積極籌組大聯(lián)盟(Grand Alliance)，串連矽智財(IP)、半導(dǎo)體設(shè)備/材料，以及電子設(shè)計自動化

電子設(shè)計自動化
2013-07-23

Intel FINFET 三星臺積電
迎接先進(jìn)制程挑戰(zhàn)　Cadence強(qiáng)調(diào)創(chuàng)新與合作

EDA供應(yīng)商益華電腦(Cadence)的年度技術(shù)研討會 CDNLive 臺灣場次，于本月上旬在新竹圓滿落幕；本年度的研討會除了邀集來自臺積電(TSMC)、智原(Faraday)、ARM等大廠的高階主管發(fā)表專題演說，亦安排了多場由創(chuàng)意(GUC)、

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2013-07-23

研討會先進(jìn)制程 CADENCE 臺積電
[評析] 真理永遠(yuǎn)不變 IDM終究是IDM（上）

日前有媒體報導(dǎo)臺積電要籌組產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟，要強(qiáng)化與一線的EDA（電子設(shè)計自動化）與IP（矽智財）業(yè)者在先進(jìn)制程上的合作關(guān)系，以對抗IDM業(yè)者英特爾與三星的步步進(jìn)逼，臺積電同時也要提高資本支出。附圖 : IDM雖然擁

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2013-07-22

英特爾晶圓代工 DM 臺積電
28nm成臺積電最大搖錢樹

根據(jù)臺積電在昨日投資者大會上披露的數(shù)據(jù)，28nm工藝已經(jīng)成為全球頭號代工廠的搖錢樹，在總收入中的比例高達(dá)29%，也就是將近93億元人民幣。相比之下，40/45nm的收入比例已經(jīng)降至21%，接下來是65nm 18%、90nm 8%、110/

電子設(shè)計自動化
2013-07-22

消費(fèi)電子晶圓 IC 臺積電
臺灣半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)晶圓廠西進(jìn)政策

臺灣半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)晶圓廠西進(jìn)政策，在8寸晶圓廠時代是以「總量管制、技術(shù)領(lǐng)先」為兩大原則，其中總量管制是至2005年以核準(zhǔn)3座8寸晶圓廠為上限，當(dāng)時是晶圓代工廠臺積電，以及記憶體廠茂德和力晶申請。技術(shù)領(lǐng)先的規(guī)定是指

消費(fèi)電子
2013-07-22

DRAM 半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè) 晶圓廠臺積電
中國手機(jī)庫存增沖擊臺積Q4營運(yùn)

雜音四起臺積電(2330)今將舉行法說會，雖市場早已預(yù)估臺積電第3季還會成長1成左右，并續(xù)創(chuàng)單季新高、第4季則會因季節(jié)性因素而季減個位數(shù)左右，不過，在法說會前夕，法人圈再傳由于中國低階手機(jī)庫存水位增加，以及大客

消費(fèi)電子
2013-07-22

Wi-Fi EPS 臺積電
聯(lián)電擬赴廈門蓋8寸廠

晶圓代工廠聯(lián)電為搶食中國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)快速成長商機(jī)，計劃與廈門和當(dāng)?shù)卣腺Y興建8寸晶圓廠，鎖定產(chǎn)能極缺的40到55納米制程技術(shù)。聯(lián)電發(fā)言體系17日表示，日前董事會通過在3億美元(約新臺幣90億元)內(nèi)擬投資、參股或購

消費(fèi)電子
2013-07-22

聯(lián)電電表晶圓廠臺積電
臺積電張忠謀一年內(nèi)卸任CEO

臺積電董事長張忠謀回鍋兼任總執(zhí)行長已四年，18日他強(qiáng)調(diào)，未來一年，他將卸任執(zhí)行長職務(wù)，但仍擔(dān)任董事長。至于接替人選，他說，除了現(xiàn)有三位共同營運(yùn)長(COO)外，也有可能自外部延攬。張忠謀于2009年6月12日回鍋兼任

電子設(shè)計自動化
2013-07-22

蘋果 CE APPLE 臺積電
半導(dǎo)體景氣反轉(zhuǎn)　封測業(yè)慎防價格松動

洪綺君／電子時報臺積電釋出第3季營收季增率僅3~5%的財測目標(biāo)，再次跌破市場眼鏡，也預(yù)示下半年半導(dǎo)體景氣轉(zhuǎn)弱將是不爭的事實。半導(dǎo)體前段看壞，封測業(yè)恐將首當(dāng)其沖，外界普遍認(rèn)為日月光、矽品的成長格局將由激情轉(zhuǎn)

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2013-07-22

半導(dǎo)體電子臺積電

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臺積電

產(chǎn)業(yè)新賽局╱日韓聯(lián)手臺聯(lián)日抗韓何去何從

臺積電轉(zhuǎn)變策略開發(fā)行動和智能穿戴裝置技術(shù)

FinFET改變戰(zhàn)局臺積將組大聯(lián)盟對抗三星/Intel

強(qiáng)化FinFET市場競爭力臺積電欲組團(tuán)抗三星/Intel

日月光子公司 9月1日合并

臺積電、中鋼拿下產(chǎn)學(xué)大聯(lián)盟補(bǔ)助

FinFET改變戰(zhàn)局臺積將組大聯(lián)盟抗三星/Intel

臺積電新制程攻行動穿戴

FinFET改變戰(zhàn)局臺積將組大聯(lián)盟抗三星/Intel

臺積電新制程攻行動穿戴

臺積電新制程攻行動穿戴

FinFET改變戰(zhàn)局臺積將組大聯(lián)盟抗三星/Intel

迎接先進(jìn)制程挑戰(zhàn)　Cadence強(qiáng)調(diào)創(chuàng)新與合作

[評析] 真理永遠(yuǎn)不變 IDM終究是IDM（上）

28nm成臺積電最大搖錢樹

臺灣半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)晶圓廠西進(jìn)政策

中國手機(jī)庫存增沖擊臺積Q4營運(yùn)

聯(lián)電擬赴廈門蓋8寸廠

臺積電張忠謀一年內(nèi)卸任CEO

半導(dǎo)體景氣反轉(zhuǎn)　封測業(yè)慎防價格松動

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