經(jīng)濟(jì)部下周一將開(kāi)始受理晶圓面板登陸申請(qǐng),其中并購(gòu)、參股也以個(gè)案接受審理,臺(tái)積電(2303)表示,目前已在準(zhǔn)備文件中,會(huì)盡速配合政府申請(qǐng)。
去年,英特爾與臺(tái)積電在移動(dòng)處理器凌動(dòng)(Atom)方面的戰(zhàn)略,曾經(jīng)轟動(dòng)一時(shí)。它一度被視為英特爾開(kāi)始向崛起的中國(guó)臺(tái)灣半導(dǎo)體代工業(yè)低頭,借力更多外部資源之舉。 但是昨天,英特爾、臺(tái)積電雙雙表示,由于客戶(hù)需求不足
臺(tái)灣臺(tái)積電(TSMC)2010年2月24日在橫濱舉行了技術(shù)論壇“TSMC 2010 Executive Forum on Leading Edge Technology”。臺(tái)積電負(fù)責(zé)研發(fā)的高級(jí)副總裁蔣尚義就技術(shù)開(kāi)發(fā)狀況等發(fā)表了演講。蔣尚義分別介紹了在45/40nm、32/2
據(jù)臺(tái)灣媒體報(bào)道,手機(jī)芯片大廠(chǎng)聯(lián)發(fā)科為控制庫(kù)保持在正常水位,擬減少在晶圓代工廠(chǎng)臺(tái)積電、聯(lián)電的投片量,幅度約10%到20%,此舉或引發(fā)業(yè)界對(duì)晶圓代工業(yè)出現(xiàn)“重復(fù)下單(double booking)”的擔(dān)憂(yōu),為第二季訂單蒙上陰
臺(tái)積電(2330)研發(fā)資深副總經(jīng)理蔣尚義23日在日本舉行的臺(tái)積電先進(jìn)技術(shù)主管高峰會(huì)上指出,40奈米良率問(wèn)題獲得解決,將加速擴(kuò)產(chǎn)進(jìn)度,第1季40奈米產(chǎn)能已提升至8萬(wàn)片,預(yù)計(jì)第4季產(chǎn)能可提升一倍至16萬(wàn)片,占營(yíng)收比重則挑
2月25日消息,據(jù)臺(tái)灣媒體報(bào)道,手機(jī)芯片大廠(chǎng)聯(lián)發(fā)科為控制庫(kù)保持在正常水位,擬減少在晶圓代工廠(chǎng)臺(tái)積電、聯(lián)電的投片量,幅度約10%到20%,此舉或引發(fā)業(yè)界對(duì)晶圓代工業(yè)出現(xiàn)“重復(fù)下單(doublebooking)”的擔(dān)憂(yōu),為第二
背景:2008年10月半導(dǎo)體大廠(chǎng)AMD與中東阿布達(dá)比先進(jìn)技術(shù)投資公司(ATIC)合作,除接受來(lái)自ATIC的7億美元資金,讓經(jīng)營(yíng)狀況獲得改善外,AMD更將半導(dǎo)體制造部門(mén)切割予以獨(dú)立,并與ATIC合資成立以晶圓代工為核心業(yè)務(wù)的新公司
臺(tái)灣《中國(guó)時(shí)報(bào)》22日刊出社論《開(kāi)放企業(yè)赴大陸投資別綁手綁腳》。社論說(shuō),在大陸成為全球成長(zhǎng)性最高的經(jīng)濟(jì)體與市場(chǎng)之際,臺(tái)灣企業(yè)更不能缺席于此市場(chǎng)之外。臺(tái)當(dāng)局年前的開(kāi)放措施誠(chéng)然值得肯定,但期待未來(lái)能有更具前
2月25日消息,據(jù)臺(tái)灣媒體報(bào)道,手機(jī)芯片大廠(chǎng)聯(lián)發(fā)科為控制庫(kù)保持在正常水位,擬減少在晶圓代工廠(chǎng)臺(tái)積電、聯(lián)電的投片量,幅度約10%到20%,此舉或引發(fā)業(yè)界對(duì)晶圓代工業(yè)出現(xiàn)“重復(fù)下單(double booking)”的擔(dān)憂(yōu),為第二
去年夏季,一直走Gate-first工藝路線(xiàn)的臺(tái)積電公司忽然作了一個(gè)驚人的決定:他們將在其28nm HKMG柵極結(jié)構(gòu)制程技術(shù)中采用Gate-last工藝。不過(guò)據(jù)臺(tái)積電負(fù)責(zé)技術(shù)研發(fā)的高級(jí)副總裁蔣尚義表示,臺(tái)積電此番作出這種決定是要
李洵穎/臺(tái)北 臺(tái)積電在日本橫濱舉辦高階制程研討會(huì),該公司新世代22奈米制程技術(shù)藍(lán)圖首次對(duì)外曝光。臺(tái)積電研究發(fā)展資深副總經(jīng)理蔣尚義在會(huì)中指出,臺(tái)積電已切入22奈米制程的研發(fā)作業(yè),計(jì)劃2012~2013年將可望進(jìn)入試產(chǎn)
臺(tái)積電(2330)研發(fā)資深副總蔣尚義表示,,臺(tái)積28奈米低功率制程已在一月量產(chǎn);28奈米高速制程將在9月推出;12月則將提供結(jié)合高速與低功率制程的28奈米代工服務(wù)。
美國(guó)賽靈思(Xilinx)公布了28nm工藝FPGA中采用的核心技術(shù)。該公司計(jì)劃在28nm工藝FPGA方面,將總功耗較上代產(chǎn)品削減50%,同時(shí)將最大集成度增至原來(lái)的2倍。為此,該公司組合采用了以下三項(xiàng)技術(shù)。第一,基于high-k柵極
德商Dialog半導(dǎo)體與臺(tái)積電(TSMC)宣布,雙方正密切合作,為行動(dòng)產(chǎn)品的高效能電源管理芯片量身打造BCD(Bipolar-CMOS-DMOS)制程技術(shù)。 新的0.25微米高壓制程技術(shù)世代能將各種高電壓功能有效整合在單一電源管理芯
可編程邏輯組件大廠(chǎng)賽靈思(Xilinx)昨(23)日宣布,將采用臺(tái)積電(2330)高效能(HPL)及三星電子低功耗(LPMZ)等28奈米高介電金屬閘極(High-K Metal-Gate,HKMG)制程,生產(chǎn)下一世代的可編程邏輯門(mén)陣列(FPGA)
日本媒體日刊工業(yè)新聞24日?qǐng)?bào)導(dǎo),全球晶圓代工龍頭大廠(chǎng)臺(tái)積電(2330)計(jì)劃將采用40奈米(nm;包含40nm、45nm)制程的先端半導(dǎo)體產(chǎn)能于2010年Q4(10-12月)倍增至16萬(wàn)片(以12吋晶圓換算)的規(guī)模。報(bào)導(dǎo)指出,2009年Q4臺(tái)積電40n
搶在今年農(nóng)歷春節(jié)前,政府給了國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體廠(chǎng)商一份大禮,那就是經(jīng)濟(jì)部正式宣布有條件開(kāi)放半導(dǎo)體廠(chǎng)西進(jìn)大陸,晶圓代工廠(chǎng)得以透過(guò)參股或并購(gòu)方式,登陸投資晶圓代工廠(chǎng),但不開(kāi)放新設(shè)。至于并購(gòu)或參股大陸晶圓代工廠(chǎng),將
據(jù)臺(tái)灣媒體報(bào)道,臺(tái)積電與德國(guó)Dialog半導(dǎo)體公司日前共同宣布,雙方正合作開(kāi)發(fā)用于移動(dòng)產(chǎn)品的高效能電源管理芯片,發(fā)展BCD(Bipolar–CMOS-DMOS)制程技術(shù),希望提高電源管理整合度,以滿(mǎn)足智能手機(jī)、電子書(shū)、筆記本電
據(jù)國(guó)外媒體報(bào)道,由于全球經(jīng)濟(jì)復(fù)蘇推動(dòng)需求增長(zhǎng),而許多芯片公司由于價(jià)格壓力和投資障礙無(wú)法建設(shè)單獨(dú)的芯片工廠(chǎng),亞洲外包芯片廠(chǎng)商預(yù)計(jì)今年業(yè)績(jī)將會(huì)大幅增長(zhǎng)。 分析師預(yù)計(jì),逐漸增長(zhǎng)的外包訂單,尤其是來(lái)自日
領(lǐng)先業(yè)界的高整合創(chuàng)新電源管理半導(dǎo)體解決方案提供業(yè)者-德商Dialog半導(dǎo)體公司與TSMC 23日共同宣布,雙方正密切合作,為移動(dòng)產(chǎn)品的高效能電源管理芯片量身打造BCD(Bipolar–CMOS -DMOS)工藝技術(shù)。此0.25微米高