處理器
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HTC One X ：主頻最高的Tegra3手機(jī)?
科技網(wǎng)站稱，本周早些時(shí)候，HTC PM63100 赫然出現(xiàn)在了NenaMark列表上，這暴露了HTC最新機(jī)型搭載1.7GHz 主頻NVIDIA Tegra3處理器的信息。除此之外，我們還了解到，該手機(jī)的操作系統(tǒng)是Android4.1.1果凍豆。HTC已經(jīng)發(fā)布
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IBM再創(chuàng)最速處理器傳說 運(yùn)作時(shí)脈高達(dá)5.5GHz
繼2010年時(shí)推出運(yùn)作時(shí)脈高達(dá)5.2GHz的企業(yè)用等級(jí)處理器zEnterprise，IBM再度于今年間推出全新zNext系列處理器，并且一舉將時(shí)脈提升為5.5GHz，同時(shí)預(yù)計(jì)將在8月底舉辦的HotChips大會(huì)中做技術(shù)展示。根據(jù)華爾街日?qǐng)?bào)報(bào)導(dǎo)透
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HTC One X ：主頻最高的Tegra3手機(jī)?
科技網(wǎng)站稱，本周早些時(shí)候，HTC PM63100 赫然出現(xiàn)在了NenaMark列表上，這暴露了HTC最新機(jī)型搭載1.7GHz 主頻NVIDIA Tegra3處理器的信息。除此之外，我們還了解到，該手機(jī)的操作系統(tǒng)是Android4.1.1果凍豆。HTC已經(jīng)發(fā)布
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IBM再創(chuàng)最速處理器傳說 運(yùn)作時(shí)脈高達(dá)5.5GHz
繼2010年時(shí)推出運(yùn)作時(shí)脈高達(dá)5.2GHz的企業(yè)用等級(jí)處理器zEnterprise，IBM再度于今年間推出全新zNext系列處理器，并且一舉將時(shí)脈提升為5.5GHz，同時(shí)預(yù)計(jì)將在8月底舉辦的HotChips大會(huì)中做技術(shù)展示。根據(jù)華爾街日?qǐng)?bào)報(bào)導(dǎo)透
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新岸線NS115處理器功耗深度解析
目前，市場(chǎng)上采用雙核Cortex A9的各個(gè)品牌的產(chǎn)品已經(jīng)紛紛上市，但產(chǎn)品功耗過高,發(fā)熱量大的問題卻廣受詬病。眾所周知，平板電腦發(fā)熱過高主要是由于芯片發(fā)熱所致，降低芯片功耗對(duì)于降低整機(jī)功耗來說至關(guān)重要。日前，基
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新岸線NS115處理器功耗深度解析
目前，市場(chǎng)上采用雙核Cortex A9的各個(gè)品牌的產(chǎn)品已經(jīng)紛紛上市，但產(chǎn)品功耗過高,發(fā)熱量大的問題卻廣受詬病。眾所周知，平板電腦發(fā)熱過高主要是由于芯片發(fā)熱所致，降低芯片功耗對(duì)于降低整機(jī)功耗來說至關(guān)重要。日前，基
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小型存儲(chǔ)環(huán)境如何不采用光纖通道交換機(jī)
標(biāo)簽：小型存儲(chǔ) 光纖通道在擴(kuò)大解決方案的應(yīng)用范圍時(shí)，沒有什么比僅僅考慮到服務(wù)器和存儲(chǔ)設(shè)備的安裝成本，而忽視交換技術(shù)耗費(fèi)資金的情況更令人沮喪的了。我個(gè)人堅(jiān)持這樣的觀點(diǎn)，現(xiàn)在正處于一個(gè)過渡時(shí)期，在某些情況
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國內(nèi)自主非易失處理器 主攻物聯(lián)網(wǎng)應(yīng)用
清華大學(xué)電子工程系電路與系統(tǒng)研究所與日本羅姆公司合作研制出世界上第一款微秒級(jí)喚醒速度的低功耗“非易失處理器THU1010N”。該處理器由清華大學(xué)完成設(shè)計(jì)，使用羅姆公司先進(jìn)的鐵電-CMOS混合制造工藝進(jìn)行流片，能夠
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百萬處理器組超級(jí)計(jì)算機(jī)系統(tǒng) 模擬十億腦細(xì)胞活動(dòng)
早期計(jì)算機(jī)技術(shù)的一位開拓者現(xiàn)在正在領(lǐng)頭努力創(chuàng)造有史以來最好的大腦模擬裝置，他把一百萬個(gè)單獨(dú)的處理器連接到一起并且拋棄了計(jì)算機(jī)所遵循的一些基本原則。模擬大腦是一種非常困難的任務(wù)，數(shù)十億的神經(jīng)細(xì)胞形成數(shù)萬
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AMD任命蘋果前移動(dòng)開發(fā)主管凱勒為首席架構(gòu)師
北京時(shí)間8月1日消息，據(jù)國外媒體報(bào)道，AMD周三宣布任命吉姆.凱勒（Jim Keller）為公司副總裁兼處理器核心的首席架構(gòu)師。凱勒今年53歲，之前在蘋果平臺(tái)架構(gòu)集團(tuán)擔(dān)任主管，負(fù)責(zé)移動(dòng)產(chǎn)品開發(fā)。AMD稱，凱勒在蘋果工作期間
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為提升冰淇淋口感 英國科學(xué)家動(dòng)用超級(jí)計(jì)算機(jī)
美味可口的冰淇淋是我們生活中簡(jiǎn)單可見的樂趣之一，但據(jù)微軟全國廣播公司網(wǎng)站（menbc）31日?qǐng)?bào)道，為調(diào)整冰淇淋口感并延長其保質(zhì)期，英國科學(xué)家們竟然于近日動(dòng)用了一臺(tái)超級(jí)計(jì)算機(jī)來進(jìn)行相關(guān)的研究。目前，超級(jí)計(jì)算機(jī)技
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蘋果不與人言說的真相：在配置上無需最高端
北京時(shí)間7月31日消息，據(jù)國外媒體報(bào)道，蘋果已經(jīng)在廣大用戶心目中建立了一種品牌識(shí)別，到目前為止還沒有其他哪家公司能夠做到這一點(diǎn)。不過，雖然蘋果的聲譽(yù)部分來源于前任具有超凡魅力的領(lǐng)導(dǎo)者史蒂夫-喬布斯和忠實(shí)的
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汽車電子系統(tǒng)處理器的動(dòng)態(tài)
諸如信息娛樂、遠(yuǎn)程信息處理和高級(jí)輔助駕駛等領(lǐng)域使得對(duì)車載電子產(chǎn)品的需求在增加，尤其是對(duì)新增的若干復(fù)雜功能的處理能力的要求也提高。盡管如此，多核芯片的需求不僅僅只對(duì)性能導(dǎo)向型的功能有利。IHSautomotive認(rèn)為
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汽車電子系統(tǒng)處理器的動(dòng)態(tài)
諸如信息娛樂、遠(yuǎn)程信息處理和高級(jí)輔助駕駛等領(lǐng)域使得對(duì)車載電子產(chǎn)品的需求在增加，尤其是對(duì)新增的若干復(fù)雜功能的處理能力的要求也提高。盡管如此，多核芯片的需求不僅僅只對(duì)性能導(dǎo)向型的功能有利。IHSautomotive認(rèn)為
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封測(cè)雙雄布建3D IC產(chǎn)能
因應(yīng)臺(tái)積電明年積極布建20nm制程產(chǎn)能并跨及3DIC封測(cè)，國內(nèi)封測(cè)雙雄日月光、矽品及記憶體封測(cè)龍頭力成，下半年起也積極搶進(jìn)3DIC封測(cè)，布建3DIC封測(cè)產(chǎn)能。臺(tái)積電決定在20nm制程跨足后段3DIC封測(cè)，一度引起外界擔(dān)心會(huì)沖
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蘋果不與人言說的真相：在配置上無需最高端
北京時(shí)間7月31日消息，據(jù)國外媒體報(bào)道，蘋果已經(jīng)在廣大用戶心目中建立了一種品牌識(shí)別，到目前為止還沒有其他哪家公司能夠做到這一點(diǎn)。不過，雖然蘋果的聲譽(yù)部分來源于前任具有超凡魅力的領(lǐng)導(dǎo)者史蒂夫-喬布斯和忠實(shí)的
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關(guān)于電阻式觸摸屏技術(shù)的一些探討
因?yàn)槊烙^、維護(hù)、成本和衛(wèi)生等原因，觸摸屏技術(shù)開始向消費(fèi)市場(chǎng)以外的醫(yī)療、工業(yè)和汽車市場(chǎng)滲透。隨著觸摸屏的問世，出現(xiàn)了多項(xiàng)觸控技術(shù)，如電容、電阻、電感、表面聲波和紅外線觸控技術(shù)。每種設(shè)計(jì)技術(shù)都有各自的優(yōu)缺
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電阻式觸摸屏技術(shù)的關(guān)鍵技術(shù)
因?yàn)槊烙^、維護(hù)、成本和衛(wèi)生等原因，觸摸屏技術(shù)開始向消費(fèi)市場(chǎng)以外的醫(yī)療、工業(yè)和汽車市場(chǎng)滲透。隨著觸摸屏的問世，出現(xiàn)了多項(xiàng)觸控技術(shù)，如電容、電阻、電感、表面聲波和紅外線觸控技術(shù)。每種設(shè)計(jì)技術(shù)都有各自的優(yōu)缺
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封測(cè)雙雄布建3D IC產(chǎn)能
因應(yīng)臺(tái)積電明年積極布建??20nm制程產(chǎn)能并跨及3DIC封測(cè)，國內(nèi)封測(cè)雙雄日月光、矽品及記憶體封測(cè)龍頭力成，下半年起也積極搶進(jìn)3DIC封測(cè)，布建3DIC封測(cè)產(chǎn)能。臺(tái)積電決定在20nm制程跨足后段3DIC封測(cè)，一度引起外界擔(dān)心會(huì)
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封測(cè)雙雄積極搶進(jìn)布建3D IC封測(cè)產(chǎn)能
因應(yīng)臺(tái)積電明年積極布建?? 20nm制程產(chǎn)能并跨及3DIC封測(cè)，國內(nèi)封測(cè)雙雄日月光、矽品及記憶體封測(cè)龍頭力成，下半年起也積極搶進(jìn)3DIC封測(cè)，布建3DIC封測(cè)產(chǎn)能。臺(tái)積電決定在20nm制程跨足后段3DIC封測(cè)，一度引起外界擔(dān)心會(huì)
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