近日,英諾賽科寬禁帶半導(dǎo)體項目在蘇州市吳江區(qū)舉行開工儀式。據(jù)悉,該項目總投資60億,占地368畝,建成后將成為世界一流的集研發(fā)、設(shè)計、外延生產(chǎn)、芯片制造、分裝測試等于一體的第三代半導(dǎo)體全產(chǎn)業(yè)鏈研發(fā)生產(chǎn)平臺,
宜普電源轉(zhuǎn)換公司(EPC)的專家攜手與工程師發(fā)揮氮化鎵器件及集成電路的最高性能,不僅替代MOSFET器件,更為市場帶來創(chuàng)新設(shè)計。
氮化鎵(GaN)和RF(射頻)能量應(yīng)用將為工業(yè)市場帶來重大變革。我們研究了氮化鎵如何改變烹飪、等離子體照明和醫(yī)療過程,接下來將在日常生活中的射頻能量系列第4部分中研究氮化鎵如何用于工業(yè)加熱和干燥。
納微 (Navitas)半導(dǎo)體宣布其現(xiàn)場應(yīng)用及技術(shù)營銷總監(jiān)黃萬年將在2018年1月30日于中國臺北舉辦的“2018前瞻電源設(shè)計與功率組件技術(shù)論壇”上發(fā)表“利用氮化鎵(GaN)功率IC實(shí)現(xiàn)下一代電源適配器設(shè)計”的主題演講。他將分享如何利用業(yè)內(nèi)首個及唯一的氮化鎵(GaN)功率IC在各種電力系統(tǒng)中顯著提高速度、效率和密度的嶄新見解。納微是這項活動的銀級贊助商,該活動為具有創(chuàng)新性的制造商、合作伙伴及客戶提供了一個交互論壇,以交流加速采用新型氮化鎵(GaN)和碳化硅(SiC)器件的專業(yè)知識。
納微 (Navitas) 半導(dǎo)體宣布,將在11月3號到6號在上海舉辦的中國電源學(xué)會學(xué)術(shù)年會(CPSSC) 上展示最新的氮化鎵(GaN)功率IC及其應(yīng)用。
LinkedIn隨著碳化硅(SiC)、氮化鎵(GaN)等新材料陸續(xù)應(yīng)用在二極管、場效晶體管(MOSFET)等組件上,電力電子產(chǎn)業(yè)的技術(shù)大革命已揭開序幕。 這些新組件雖然在成本上仍比傳統(tǒng)硅組件高出一大截,但其開關(guān)速度、切換損失等性能指針,也是硅組件難以望其項背的。 這些新一代組件的商品化,為電力電子產(chǎn)業(yè)打開了全新的應(yīng)用可能性。
PC2111氮化鎵半橋功率晶體管幫助系統(tǒng)設(shè)計師實(shí)現(xiàn)具更高效率的負(fù)載點(diǎn)系統(tǒng)應(yīng)用,在14 A、12 V轉(zhuǎn)至1.8 V、5 MHz開關(guān)時實(shí)現(xiàn)超過85%效率,及在10 MHz開關(guān)時實(shí)現(xiàn)超過80%效率。宜普
21IC訊 宜普電源轉(zhuǎn)換公司(EPC)宣布推出面向多種應(yīng)用的EPC2046功率晶體管,包括無線充電、多級AC/DC電源供電、機(jī)械人應(yīng)用、太陽能微型逆變器及具低電感的馬達(dá)驅(qū)動器。EPC2046的額定電壓為200 V、最大導(dǎo)通電阻RDS(on)為25 mΩ、脈沖輸出電流為55 A。
在過去的半個世紀(jì),硅一直是現(xiàn)代電子工業(yè)的基礎(chǔ),原因很顯然:到現(xiàn)在為止,硅是大規(guī)模應(yīng)用于最新消費(fèi)、商業(yè)和工業(yè)技術(shù)最完美的半導(dǎo)體材料。但是現(xiàn)在,面對一種可提供比舊行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)更高的速度、更強(qiáng)的功率處理能力和更
繼“集成電路產(chǎn)業(yè)”帶動中國在半導(dǎo)體行業(yè)的投資熱潮后,三代半導(dǎo)體如今逐步進(jìn)入人們的視線。今天我(作者)就以一個在三代半導(dǎo)體行業(yè)浸淫近15載的江湖中人角度給大家聊一聊,三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)在中國乃至世界的發(fā)展,以及這個行業(yè)的特點(diǎn)。
宜普電源轉(zhuǎn)換公司發(fā)布第九階段可靠性測試報告,記錄受測器件在累計超過900萬個器件-小時的應(yīng)力測試后,沒有發(fā)生故障。該報告聚焦電路板熱機(jī)械可靠性,首次描述焊點(diǎn)的完整性的預(yù)測模型,以及與可比的封裝器件相比,展示出采用晶圓級芯片規(guī)模封裝(WLCSP)的氮化鎵晶體管具備卓越的可靠性。
SmartGan DA8801采用優(yōu)化、高效的650V半橋設(shè)計,提供氮化鎵(GaN)功率FET與模擬驅(qū)動器和邏輯電路的單片集成
宜普電源轉(zhuǎn)換公司(EPC)發(fā)布第八階段可靠性測試報告。該報告表明,在累計超過800萬個器件-小時的應(yīng)力測試后,沒有器件發(fā)生失效的情況。該報告詳細(xì)探討EPC器件在被確認(rèn)為合格產(chǎn)品前所經(jīng)受的各項應(yīng)力測試,并且分析器件失效的物理原因。
EPC與ASD公司啟動增值合作伙伴計劃,攜手為客戶共創(chuàng)美好未來,支持客戶利用基于eGaN®技術(shù),從概念開發(fā)到產(chǎn)品制造,共同開發(fā)出全新的無線充電應(yīng)用及其它的新興應(yīng)用。
TI最近推出的LMG3410用開創(chuàng)性的氮化鎵 (GaN) 技術(shù)搭建的高壓、具有集成驅(qū)動器的解決方案,相對于傳統(tǒng)的、基于硅材料的技術(shù),創(chuàng)新人員將能夠創(chuàng)造出更加小巧、效率更高、性能更佳的應(yīng)用。
將GaN FET與它們的驅(qū)動器集成在一起可以改進(jìn)開關(guān)性能,并且能夠簡化基于GaN的功率級設(shè)計。
我經(jīng)常感到奇怪,我們的行業(yè)為什么不在加快氮化鎵 (GaN) 晶體管的部署和采用方面加大合作力度;畢竟,大潮之下,沒人能獨(dú)善其身。每年,我們都看到市場預(yù)測的前景不太令人滿意。但通過共同努力,我們就能夠大大增加這項高能效技術(shù)的市場滲透能力。
采用先進(jìn)氮化鎵晶體管及集成電路(IC)的功率系統(tǒng)設(shè)計工程師現(xiàn)在可以利用互動式、網(wǎng)上參數(shù)選型工具,替他們的功率轉(zhuǎn)換系統(tǒng)找出基于氮化鎵器件的最優(yōu)解決方案。
宜普電源轉(zhuǎn)換公司制作了6個視頻,于網(wǎng)上分享采用eGaN® FET及集成電路(IC)并面向最終用戶的應(yīng)用。這些視頻展示出氮化鎵技術(shù)如何改變了我們的生活方式及挑戰(zhàn)功率系統(tǒng)設(shè)計工程師如何在他們的新一代功率系統(tǒng)設(shè)計中發(fā)揮氮化鎵場效應(yīng)晶體管的卓越性能。
正如Cisco視覺網(wǎng)絡(luò)指數(shù) (VNI) 預(yù)測,到了2019年,每個月將有五百萬年的視頻內(nèi)容在互聯(lián)網(wǎng)上傳播。這意味著每一秒就有將近一百萬分鐘的視頻在流動或者下載。為了迎合消費(fèi)者的需求,有線電視行業(yè)在2013年10月宣布了DOCSIS 3.1標(biāo)準(zhǔn),以期提供數(shù)千兆的流通量。這一標(biāo)準(zhǔn)為該行業(yè)制定了一個遠(yuǎn)大的目標(biāo)。