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德州儀器新型即用型600V GaN FET功率級產(chǎn)品組合可支持高達(dá)10kW的應(yīng)用
德州儀器(TI)近日宣布推出支持高達(dá)10kW應(yīng)用的新型即用型600 V氮化鎵(GaN)，50mΩ和70mΩ功率級產(chǎn)品組合。與AC/DC電源、機器人、可再生能源、電網(wǎng)基礎(chǔ)設(shè)施、電信和個人電子應(yīng)用中的硅場效應(yīng)晶體管(FET)相比，LMG341x系列使設(shè)計人員能夠創(chuàng)建更小、更高效和更高性能的設(shè)計。
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ST和Leti合作開發(fā)硅基氮化鎵功率轉(zhuǎn)換技術(shù)
意法半導(dǎo)體(STMicroelectronics，簡稱ST)和CEA Tech下屬的研究所Leti今天宣布合作研制硅基氮化鎵(GaN)功率開關(guān)器件制造技術(shù)。該硅基氮化鎵功率技術(shù)將讓意法半導(dǎo)體能夠滿足高能效、高功率的應(yīng)用需求，包括混動和電動汽車車載充電器、無線充電和服務(wù)器。
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EPC推出100 V、尺寸比等效硅器件小30倍及工作在500 kHz頻率時可實現(xiàn)97%效率的氮化鎵功率晶體管
宜普電源轉(zhuǎn)換公司(EPC)宣布推出100 V的EPC2051氮化鎵場效應(yīng)晶體管，其占板面積只是1.1平方毫米、最大導(dǎo)通阻抗(RDS(on))為25 mΩ及脈沖輸出電流高達(dá)37 A 以支持高效功率轉(zhuǎn)換。
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基于氮化鎵（eGaN®）技術(shù)的汽車應(yīng)用即將到來
宜普電源轉(zhuǎn)換公司(EPC)的兩個車用氮化鎵晶體管成功通過了國際汽車電子協(xié)會所制定的AEC Q101分立器件應(yīng)力測試認(rèn)證。
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寬禁帶技術(shù) – 下一代功率器件
碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)是寬禁帶材料，提供下一代功率器件的基礎(chǔ)。與硅相比，SiC和GaN需要高3倍的能量才能使電子開始在材料中自由移動。因而具有比硅更佳的特性和性能。
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氮化鎵（GaN）技術(shù)推動電源管理不斷革新
任何電源管理系統(tǒng)的核心是開關(guān)，可以打開和關(guān)閉電源。它就像墻上的照明開關(guān)一樣，但是速度會數(shù)百萬倍地快，尺寸會數(shù)百萬倍地小。效率(低損耗)、可靠性、集成度和可負(fù)擔(dān)性是半導(dǎo)體電源開關(guān)的關(guān)鍵屬性。
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總投資60億 英諾賽科寬禁帶半導(dǎo)體項目落戶吳江
近日，英諾賽科寬禁帶半導(dǎo)體項目在蘇州市吳江區(qū)舉行開工儀式。據(jù)悉，該項目總投資60億，占地368畝，建成后將成為世界一流的集研發(fā)、設(shè)計、外延生產(chǎn)、芯片制造、分裝測試等于一體的第三代半導(dǎo)體全產(chǎn)業(yè)鏈研發(fā)生產(chǎn)平臺，
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不僅僅替代MOSFET器件!EPC專家攜手工程師發(fā)揮氮化鎵器件及集成電路的最高性能
宜普電源轉(zhuǎn)換公司(EPC)的專家攜手與工程師發(fā)揮氮化鎵器件及集成電路的最高性能，不僅替代MOSFET器件，更為市場帶來創(chuàng)新設(shè)計。
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日常生活中的射頻能量第4部分：工業(yè)加熱和干燥用氮化鎵
氮化鎵(GaN)和RF(射頻)能量應(yīng)用將為工業(yè)市場帶來重大變革。我們研究了氮化鎵如何改變烹飪、等離子體照明和醫(yī)療過程，接下來將在日常生活中的射頻能量系列第4部分中研究氮化鎵如何用于工業(yè)加熱和干燥。
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納微將在中國臺灣的電源設(shè)計技術(shù)論壇活動上展示GaN功率IC帶來的革新性效能
納微 (Navitas)半導(dǎo)體宣布其現(xiàn)場應(yīng)用及技術(shù)營銷總監(jiān)黃萬年將在2018年1月30日于中國臺北舉辦的“2018前瞻電源設(shè)計與功率組件技術(shù)論壇”上發(fā)表“利用氮化鎵(GaN)功率IC實現(xiàn)下一代電源適配器設(shè)計”的主題演講。他將分享如何利用業(yè)內(nèi)首個及唯一的氮化鎵(GaN)功率IC在各種電力系統(tǒng)中顯著提高速度、效率和密度的嶄新見解。納微是這項活動的銀級贊助商，該活動為具有創(chuàng)新性的制造商、合作伙伴及客戶提供了一個交互論壇，以交流加速采用新型氮化鎵(GaN)和碳化硅(SiC)器件的專業(yè)知識。
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納微半導(dǎo)體 (Navitas) 在重要亞洲電子會議上 展示氮化鎵(GaN) 功率IC
納微 (Navitas) 半導(dǎo)體宣布，將在11月3號到6號在上海舉辦的中國電源學(xué)會學(xué)術(shù)年會(CPSSC) 上展示最新的氮化鎵(GaN)功率IC及其應(yīng)用。
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碳化硅/氮化鎵組件進(jìn)入商品化 電力電子產(chǎn)業(yè)迎來大革命
LinkedIn隨著碳化硅(SiC)、氮化鎵(GaN)等新材料陸續(xù)應(yīng)用在二極管、場效晶體管(MOSFET)等組件上，電力電子產(chǎn)業(yè)的技術(shù)大革命已揭開序幕。 這些新組件雖然在成本上仍比傳統(tǒng)硅組件高出一大截，但其開關(guān)速度、切換損失等性能指針，也是硅組件難以望其項背的。 這些新一代組件的商品化，為電力電子產(chǎn)業(yè)打開了全新的應(yīng)用可能性。
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EPC推出高頻單片式氮化鎵半橋功率晶體管 推動12 V轉(zhuǎn)至1.8 V系統(tǒng)在5 MHz、14 A輸出電流 MHz、14 A輸出電流
PC2111氮化鎵半橋功率晶體管幫助系統(tǒng)設(shè)計師實現(xiàn)具更高效率的負(fù)載點系統(tǒng)應(yīng)用，在14 A、12 V轉(zhuǎn)至1.8 V、5 MHz開關(guān)時實現(xiàn)超過85%效率，及在10 MHz開關(guān)時實現(xiàn)超過80%效率。宜普
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EPC推出比等效MOSFET小型化12倍 的200 V氮化鎵功率晶體管
21IC訊 宜普電源轉(zhuǎn)換公司(EPC)宣布推出面向多種應(yīng)用的EPC2046功率晶體管，包括無線充電、多級AC/DC電源供電、機械人應(yīng)用、太陽能微型逆變器及具低電感的馬達(dá)驅(qū)動器。EPC2046的額定電壓為200 V、最大導(dǎo)通電阻RDS(on)為25 mΩ、脈沖輸出電流為55 A。
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通用適配器來了，氮化鎵技術(shù)做后盾
在過去的半個世紀(jì)，硅一直是現(xiàn)代電子工業(yè)的基礎(chǔ)，原因很顯然：到現(xiàn)在為止，硅是大規(guī)模應(yīng)用于最新消費、商業(yè)和工業(yè)技術(shù)最完美的半導(dǎo)體材料。但是現(xiàn)在，面對一種可提供比舊行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)更高的速度、更強的功率處理能力和更
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第三代半導(dǎo)體是中國“芯”崛起的希望嗎？
繼“集成電路產(chǎn)業(yè)”帶動中國在半導(dǎo)體行業(yè)的投資熱潮后，三代半導(dǎo)體如今逐步進(jìn)入人們的視線。今天我(作者)就以一個在三代半導(dǎo)體行業(yè)浸淫近15載的江湖中人角度給大家聊一聊，三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)在中國乃至世界的發(fā)展，以及這個行業(yè)的特點。
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EPC發(fā)布第九階段可靠性測試報告 記錄了受測的氮化鎵器件全部通過數(shù)百萬個器件-小時的應(yīng)力測試而沒有發(fā)生故障
宜普電源轉(zhuǎn)換公司發(fā)布第九階段可靠性測試報告，記錄受測器件在累計超過900萬個器件-小時的應(yīng)力測試后,沒有發(fā)生故障。該報告聚焦電路板熱機械可靠性，首次描述焊點的完整性的預(yù)測模型，以及與可比的封裝器件相比，展示出采用晶圓級芯片規(guī)模封裝(WLCSP)的氮化鎵晶體管具備卓越的可靠性。
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Dialog公司推出首款用于快速充電電源適配器的集成式器件，進(jìn)軍氮化鎵(GaN)領(lǐng)域
SmartGan DA8801采用優(yōu)化、高效的650V半橋設(shè)計，提供氮化鎵(GaN)功率FET與模擬驅(qū)動器和邏輯電路的單片集成
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器件通過數(shù)百萬個器件-小時嚴(yán)謹(jǐn)?shù)膽?yīng)力測試 EPC發(fā)布可靠性測試報告以記錄氮化鎵（GaN）技術(shù)的可靠性
宜普電源轉(zhuǎn)換公司(EPC)發(fā)布第八階段可靠性測試報告。該報告表明，在累計超過800萬個器件-小時的應(yīng)力測試后，沒有器件發(fā)生失效的情況。該報告詳細(xì)探討EPC器件在被確認(rèn)為合格產(chǎn)品前所經(jīng)受的各項應(yīng)力測試，并且分析器件失效的物理原因。
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EPC與ASD公司建立增值合作伙伴關(guān)系，加速基于氮化鎵技術(shù)的無線電源解決方案的上市進(jìn)程
EPC與ASD公司啟動增值合作伙伴計劃，攜手為客戶共創(chuàng)美好未來，支持客戶利用基于eGaN®技術(shù)，從概念開發(fā)到產(chǎn)品制造，共同開發(fā)出全新的無線充電應(yīng)用及其它的新興應(yīng)用。
