三安光電12月16日晚間公告表示,經(jīng)第七屆董事會(huì)第三十次會(huì)議決議,決定公司全資子公司廈門市三安光電科技有限公司新增國際先進(jìn)的20臺(tái)單腔機(jī)或者5臺(tái)四腔連體機(jī)氮化鎵MOCVD設(shè)備及擴(kuò)充部分LED芯片產(chǎn)線。
12月24日晚間,新海宜公告稱,公司控股子公司蘇州新納晶光電有限公司于2013年12月24日收到通知,蘇州工業(yè)園區(qū)將對其“高亮度氮化鎵基半導(dǎo)體照明外延片、芯片的研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化”科技項(xiàng)目給予1430.70萬元資助。
2013年12月23日 - Horizon House出版物和《微波雜志》中文版宣布,RF和微波元件設(shè)計(jì)和制造領(lǐng)域的全球領(lǐng)導(dǎo)廠商RFHIC將作為黃金贊助商將參與于2014年4月8日至10日在中國北京的北京國際會(huì)議中心舉行的2014年電子設(shè)計(jì)創(chuàng)新
Horizon House出版物和《微波雜志》中文版宣布,RF和微波元件設(shè)計(jì)和制造領(lǐng)域的全球領(lǐng)導(dǎo)廠商RFHIC將作為黃金贊助商將參與于2014年4月8日至10日在中國北京的北京國際會(huì)議中心舉行的2014年電子設(shè)計(jì)創(chuàng)新會(huì)議(EDI CON 2
三安光電12月16日晚間公告表示,經(jīng)第七屆董事會(huì)第三十次會(huì)議決議,決定公司全資子公司廈門市三安光電科技有限公司新增國際先進(jìn)的20臺(tái)單腔機(jī)或者5臺(tái)四腔連體機(jī)氮化鎵MOCVD設(shè)備及擴(kuò)充部分LED芯片產(chǎn)線。 廈門市政府及廈
我們在之前的文章討論了氮化鎵場效應(yīng)晶體管的優(yōu)勢,以及它具備可實(shí)現(xiàn)更高效率和更快開關(guān)速度的潛力,為硅MOSFET器件所不可能實(shí)現(xiàn)的。本章將探討如何利用氮化鎵場效應(yīng)晶體管
EPC9106 D類音頻放大器參考設(shè)計(jì)使用具備高頻開關(guān)性能的氮化鎵功率晶體管,展示在提升效率、縮小產(chǎn)品尺寸及不需散熱器之同時(shí)可實(shí)現(xiàn)具專業(yè)消費(fèi)類水平的高質(zhì)音響效果。21ic訊
在日前舉辦的第十屆中國國際半導(dǎo)體照明論壇(CHINASSL2013)上,藍(lán)光LED發(fā)明人中村修二教授、黃光LED發(fā)明人George Craford教授及OLED發(fā)明人鄧青云教授齊聚一堂,他們從自己對技術(shù)和產(chǎn)業(yè)的角度闡述半導(dǎo)體照明新技術(shù)的未
IMS Research(已被全球領(lǐng)先的信息與分析公司IHS Inc.收購)分析師認(rèn)為今年氮化鎵(GaN)LED的出貨量超過1000億個(gè)單位——相當(dāng)于地球上的每個(gè)人擁有15個(gè)單位。IMS Research創(chuàng)建于1989年,總部位于英
倫斯勒理工學(xué)院(Rensselaer Polytechnic Institute)的智慧照明工程技術(shù)研究中心稍早前宣布,已經(jīng)成功地在相同的氮化鎵(GaN)上整合LED和功率電晶體。研究人員稱這項(xiàng)創(chuàng)新將敲開新一代LED技術(shù)的大門,因
11月11日下午,第十屆中國國際半導(dǎo)體照明論壇(CHINASSL2013)正式拉開帷幕。在開幕式的論壇環(huán)節(jié)中,獲得全球半導(dǎo)體照明突出貢獻(xiàn)獎(jiǎng)之一的藍(lán)光、綠光和白光LED發(fā)明人,美國加州大學(xué)圣塔芭芭拉分校教授中村修二先生為在場
11月11日下午,第十屆中國國際半導(dǎo)體照明論壇(CHINASSL2013)正式拉開帷幕。在開幕式的論壇環(huán)節(jié)中,獲得全球半導(dǎo)體照明突出貢獻(xiàn)獎(jiǎng)之一的藍(lán)光、綠光和白光LED發(fā)明人,美國加州大學(xué)圣塔芭芭拉分校教授中村修二先生為在場
2013年11月11日下午,第十屆中國國際半導(dǎo)體照明論壇(CHINASSL2013)正式拉開帷幕。在開幕式的論壇環(huán)節(jié)中,獲得全球半導(dǎo)體照明突出貢獻(xiàn)獎(jiǎng)之一的藍(lán)光、綠光和白光LED發(fā)明人,美國加州大學(xué)圣塔芭芭拉分校教授中村修二先生
技術(shù)改進(jìn)是永恒的話題,在11月10日下午于北京昆泰酒店召開的CHINASSL2013材料與裝備技術(shù)分會(huì)上,來自賽倫光電Bedwyr Humphreys就為與會(huì)聽眾帶來了如何《開發(fā)高質(zhì)量、低缺陷密度半極化和非極化氮化鎵模板》的報(bào)告。
在業(yè)界熱烈的歡慶聲中,2013年11月11日下午,備受全球矚目的半導(dǎo)體照明產(chǎn)業(yè)年度盛會(huì)——第十屆中國國際半導(dǎo)體照明論壇(CHINASSL2013)正式拉開帷幕,來自全球半導(dǎo)體照明業(yè)界各方專家學(xué)者、政府領(lǐng)導(dǎo)、行業(yè)精英齊聚京
LED半導(dǎo)體照明網(wǎng)訊 “工業(yè)園區(qū)的房子比城區(qū)還貴,這不太可能吧?”“最近幾年來這里的人才越來越多,房價(jià)當(dāng)然也跟著水漲船高?!痹谔K州東隅,有這樣一片神奇的土地:以僅占蘇州3.5%的面積,創(chuàng)造了全市15%的
對于一直使用功率MOSFET器件設(shè)計(jì)產(chǎn)品的功率系統(tǒng)工程師來說,使用更高效的增強(qiáng)型氮化鎵晶體管并不困難。雖然兩種器件的基本工作特性非常相似,如果想發(fā)揮這種新世代器件的最
發(fā)光二極體(LED)的發(fā)光效率遠(yuǎn)高于傳統(tǒng)光源,耗電量僅約同亮度傳統(tǒng)光源的20%,并具有體積小、壽命長、效率高、不含汞等環(huán)保與健康特性,且現(xiàn)今LED商品效率已超出每瓦110流明,LED應(yīng)用領(lǐng)域更是無限寬廣。尤其在照明、筆
LED半導(dǎo)體照明網(wǎng)訊 中國半導(dǎo)體照明產(chǎn)業(yè)發(fā)展特別快。在這種情況下,要注意吸取歷史教訓(xùn)。歷史上包括改革開放以后,我們很多新興產(chǎn)業(yè)并不是啟動(dòng)的太晚,但因?yàn)闆]有聯(lián)合起來,最后落后了,例如光纖通訊。希望在
LED半導(dǎo)體照明網(wǎng)訊 GT Advanced Technologies將出席于2013年10月16至17日在臺(tái)灣臺(tái)北舉行的LED Forum Taipei 2013。屆時(shí),GT首席技術(shù)官Raghavan博士將與與會(huì)者一同探討高效氫化物氣相磊晶(HVPE)氮化鎵(GaN)系