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成本下降給力 LED燈泡廉價(jià)時(shí)代即將到來
成本一直是一個(gè)主要障礙，妨礙著人們購買高能效LED燈泡?，F(xiàn)在，世界上最大的一家LED制造商歐司朗光電半導(dǎo)體公司（Osram Opto Semiconductors）表示，它已經(jīng)完善技術(shù)，能顯著降低LED的生產(chǎn)成本。 白色LED的制備，通常
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成本下降給力 LED燈泡廉價(jià)時(shí)代即將到來
成本一直是一個(gè)主要障礙，妨礙著人們購買高能效LED燈泡。現(xiàn)在，世界上最大的一家LED制造商歐司朗光電半導(dǎo)體公司（Osram Opto Semiconductors）表示，它已經(jīng)完善技術(shù)，能顯著降低LED的生產(chǎn)成本?！ “咨獿ED的制備
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LED球泡燈成本將顯著降低
成本一直是LED照明一個(gè)主要障礙，妨礙著人們購買高能效LED球泡燈?，F(xiàn)在，世界上最大的一家LED制造商歐司朗光電半導(dǎo)體公司(Osram Opto Semiconductors)表示，它已經(jīng)完善技術(shù)，能顯著降低LED的生產(chǎn)成本。白光LED的制備
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歐司朗新技術(shù)可取代藍(lán)寶石襯底 大幅降低LED生產(chǎn)成本
據(jù)物理學(xué)家組織網(wǎng)近日?qǐng)?bào)導(dǎo)，一種新的制造技術(shù)有望大幅降低發(fā)光二極管（LED）的生產(chǎn)成本，進(jìn)一步推動(dòng)其普及進(jìn)程。這項(xiàng)由西門子旗下子公司歐司朗光電半導(dǎo)體公司的研究人員所進(jìn)行的研究，成功在矽襯底上生產(chǎn)出了氮化鎵L
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歐司朗在矽襯底上成功生產(chǎn)出了氮化鎵LED芯片
據(jù)悉，一種新的制造技術(shù)有望大幅降低發(fā)光二極管（LED）的生產(chǎn)成本，進(jìn)一步推動(dòng)其普及進(jìn)程。這項(xiàng)由西門子旗下子公司歐司朗光電半導(dǎo)體公司的研究人員所進(jìn)行的研究，成功在矽襯底上生產(chǎn)出了氮化鎵LED芯片，取代了目前普
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氮化鎵在射頻通信中應(yīng)用
氮化鎵并非革命性的晶體管技術(shù)，這種新興技術(shù)逐漸用于替代橫向擴(kuò)散金屬氧化物硅半導(dǎo)體（Si LDMOS）和砷化鎵（GaAs）晶體管技術(shù)以及某些特定應(yīng)用中的真空管。與現(xiàn)有技術(shù)相比，氮化鎵（GaN）的優(yōu)勢在于更高的漏極效率、
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歐司朗在矽襯底上成功生產(chǎn)出了氮化鎵LED芯片
據(jù)悉，一種新的制造技術(shù)有望大幅降低發(fā)光二極管（LED）的生產(chǎn)成本，進(jìn)一步推動(dòng)其普及進(jìn)程。這項(xiàng)由西門子旗下子公司歐司朗光電半導(dǎo)體公司的研究人員所進(jìn)行的研究，成功在矽襯底上生產(chǎn)出了氮化鎵LED芯片，取代了目前普
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東芝普瑞攜手：8英寸LED芯片實(shí)現(xiàn)突破
據(jù)悉，領(lǐng)先的LED照明技術(shù)及解決方案開發(fā)商和制造商普瑞光電公司與世界領(lǐng)先的半導(dǎo)體制造商?hào)|芝公司今日宣布，在年初兩家公司達(dá)成合作協(xié)定短短幾個(gè)月后，兩家公司共同研發(fā)出了行業(yè)頂級(jí)8英寸矽基氮化鎵LED芯片。該芯片僅
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東芝普瑞攜手：8英寸LED芯片實(shí)現(xiàn)突破
據(jù)悉，領(lǐng)先的LED照明技術(shù)及解決方案開發(fā)商和制造商普瑞光電公司與世界領(lǐng)先的半導(dǎo)體制造商?hào)|芝公司今日宣布，在年初兩家公司達(dá)成合作協(xié)定短短幾個(gè)月后，兩家公司共同研發(fā)出了行業(yè)頂級(jí)8英寸矽基氮化鎵LED芯片。該芯片僅
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未來5年 氮化鎵襯底引領(lǐng)LED襯底發(fā)展潮流
在當(dāng)今日美壟斷LED芯片核心技術(shù)的格局下，中國LED企業(yè)如何打破格局，完成技術(shù)攻堅(jiān)，促進(jìn)LED發(fā)展顯得尤為重要。目前，LED襯底類別包括藍(lán)寶石、碳化硅、硅以及被稱為第三代半導(dǎo)體材料的氮化鎵。與傳統(tǒng)襯底材料相比，氮
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RFMD為功率器件產(chǎn)品和代工客戶推出rGaN-HV工藝技術(shù)
高性能射頻組件以及復(fù)合半導(dǎo)體技術(shù)設(shè)計(jì)和制造領(lǐng)域的全球領(lǐng)導(dǎo)者RF Micro Devices， Inc.（Nasdaq 股市代號(hào)：RFMD）日前宣布，擴(kuò)展其RFMD 業(yè)界領(lǐng)先的氮化鎵工藝技術(shù)，以包括功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用中專為高電壓功率器件而優(yōu)化的新
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積極物色代工廠普瑞明年量產(chǎn)矽基氮化鎵LED
普瑞光電(Bridgelux)正與全球半導(dǎo)體大廠洽談代工生產(chǎn)矽基氮化鎵(GaN-on-Silicon,簡稱GaN-on-Si)發(fā)光二極體(LED)細(xì)節(jié)，預(yù)定2013年初導(dǎo)入量產(chǎn)。普瑞光電行銷副總裁JasonPosselt表示，繼八吋晶圓廠后，普瑞光電下一步尋
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王占國院士：半導(dǎo)體材料將走向“納米化”
半導(dǎo)體是介于導(dǎo)體和絕緣體之間的材料。自1947年12月23日正式發(fā)明后，在家電、通信、網(wǎng)絡(luò)、航空、航天、國防等領(lǐng)域得到廣泛應(yīng)用，給電子工業(yè)帶來革命性的影響。2010年，全球半導(dǎo)體市場達(dá)到2983億美元，拉動(dòng)上萬億美元
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LED2.0比普通LED明亮10倍
2月9日，美國加州的創(chuàng)新公司Soraa宣布推出自己的旗艦產(chǎn)品――被稱為LED2.0技術(shù)的發(fā)光二極管(LED)照明產(chǎn)品。 據(jù)悉，Soraa公司發(fā)明的這種新型LED燈泡，比普通LED明亮10倍。一個(gè)12瓦的燈泡，其明亮程度同50瓦的鹵素?zé)襞?/p>
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Soraa推出GaN-on-GaN LEDs和MR16燈
Soraa是世界領(lǐng)先的氮化鎵開發(fā)商，開發(fā)了世界上第一個(gè)商業(yè)氮化鎵LED產(chǎn)品。Soraa成立于2008年，創(chuàng)辦人之一的中村修二擁有“藍(lán)光LED之父”的美名。近日，Soraa宣布推出自己的旗艦產(chǎn)品——被稱為LED2.0技術(shù)的LED照明產(chǎn)品
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產(chǎn)業(yè)冷清晶能光電成燙手山芋 金沙江累計(jì)投資超1億美元
2011年9月，美國LED芯片制造商BridgELux(以下簡稱“普瑞光電”)公司首席執(zhí)行官Bill Watkins透露，公司計(jì)劃裁掉利弗莫爾總部共250名員工中的53名，約五分之一。同時(shí)，公司決定將重心從藍(lán)寶石襯底LED制造轉(zhuǎn)移至成本更低
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RFMD公司推出氮化鎵有線電視表面貼裝功率倍增模塊
21ic訊 RFMD公司推出氮化鎵有線電視表面貼裝功率倍增模塊 RFCM2680 是業(yè)界首款專門針對(duì)有線電視網(wǎng)絡(luò)的表面貼裝氮化鎵功率倍增模塊。該器件同時(shí)采用了氮化鎵 HEMT 和砷化鎵 pHEMT 技術(shù)，可在頻率 45 至 1003MHz 范圍
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蘇州納米所利用氮化鎵器件從事核應(yīng)用研究取得系列成果
氮化鎵（GaN）是一種III / V直接帶隙半導(dǎo)體，作為第三代半導(dǎo)體材料的代表，隨著其生長工藝的不斷發(fā)展完善，現(xiàn)已廣泛應(yīng)用于光電器件領(lǐng)域，如激光器（LD）、發(fā)光二極管（LED）、高電子遷移率晶體管（HEMT）等。GaN基材
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蘇州納米所利用氮化鎵器件從事核應(yīng)用研究
氮化鎵（GaN）是一種III / V直接帶隙半導(dǎo)體，作為第三代半導(dǎo)體材料的代表，隨著其生長工藝的不斷發(fā)展完善，現(xiàn)已廣泛應(yīng)用于光電器件領(lǐng)域，如激光器（LD）、發(fā)光二極管（LED）、高電子遷移率晶體管（HEMT）等。GaN基材
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納米所利用氮化鎵器件從事核應(yīng)用研究取得系列成果
氮化鎵(GaN)是一種III / V直接帶隙半導(dǎo)體，作為第三代半導(dǎo)體材料的代表，隨著其生長工藝的不斷發(fā)展完善，現(xiàn)已廣泛應(yīng)用于光電器件領(lǐng)域，如激光器(LD)、發(fā)光二極管(LED)、高電子遷移率晶體管(HEMT)等。GaN基材料的良好
