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科銳商用無線射頻的發(fā)貨量已突破10兆瓦
科銳公司（Nasdaq: CREE）日前宣布，截至2011 年 4 月，公司的無線射頻（RF）業(yè)務部門已出貨的商用碳化硅襯底氮化鎵 (GaN-on-SiC) RF 功率晶體管和 MMIC 產(chǎn)品的合計 RF 輸出功率已突破 10 兆瓦。這一里程碑式成果充
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美國國家半導體推出業(yè)界首款針對增強型氮化鎵功率FET 100V半橋柵極驅(qū)動器
21ic訊 美國國家半導體公司近日宣布，推出業(yè)界首款針對高壓電源轉(zhuǎn)換器的增強型氮化鎵（GaN）功率場效應晶體管（FET）而優(yōu)化的100V半橋柵極驅(qū)動器。美國國家半導體新推出的LM5113是一款高度集成的高邊和低邊GaN FET驅(qū)
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IMEC利用CMOS工藝制程GaN MISHEMTs
歐洲微電子研究中心（Interuniversity Microelectronics Centre。即IMEC）與其合作伙伴共同開發(fā)了在200毫米硅芯片上生長GaN/AlGaN的技術(shù)。借助這項新技術(shù)，GaN MISHEMTs（ metal-insulator semiconductor high-elect
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IMEC發(fā)布200毫米CMOS硅襯底晶片生產(chǎn)技術(shù)
IMEC（Interuniversity MicroELectronics Centre，歐洲微電子研究中心）近日發(fā)布其最新的硅襯底晶片。在一項名為氮化鎵工業(yè)聯(lián)盟計劃（IIAP）的研發(fā)項目里，IMEC與其合作伙伴共同開發(fā)了在200毫米硅晶片上生長GaN/AlGa
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三星訂購愛思強頂尖MOCVD
德國MOCVD設(shè)備大廠愛思強(AIXTRON)日前宣布，接獲來自韓國三星LED基于專業(yè)生產(chǎn)LED的AIX G5 HT MOCVD Planetary Reactor®設(shè)備訂單。 三星此次訂購的G5新系統(tǒng)將是公司最頂尖的LED生產(chǎn)設(shè)備，主要用來生產(chǎn)用于
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三星LED訂購AIXTRON最新G5設(shè)備擴產(chǎn)高亮度藍白光LED
德國MOCVD設(shè)備大廠愛思強(AIXTRON)日前宣布，接獲來自韓國三星LED基于專業(yè)生產(chǎn)LED的AIXG5HTMOCVDPlanetaryReactor®設(shè)備訂單。三星此次訂購的G5新系統(tǒng)將是公司最頂尖的LED生產(chǎn)設(shè)備，主要用來生產(chǎn)用于電視背光及固
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三星訂購愛思強頂尖LED生產(chǎn)設(shè)備
德國MOCVD設(shè)備大廠愛思強(AIXTRON)日前宣布，接獲來自韓國三星LED基于專業(yè)生產(chǎn)LED的AIX G5 HT MOCVD Planetary Reactor®設(shè)備訂單。三星此次訂購的G5新系統(tǒng)將是公司最頂尖的LED生產(chǎn)設(shè)備，主要用來生產(chǎn)用于電視背光
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三星重啟電力芯片事業(yè)
據(jù)韓國電子新聞報導，三星電子(SamsungElectronics)1990年代受到專利訴訟、國際貨幣基金組織(IMF)危機等，1999年決定拋售工廠并撤守電力芯片事業(yè)，歷經(jīng)12年，三星又再度著手進行該事業(yè)。從數(shù)年前開始，以三星電子綜合
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三星重啟電力芯片事業(yè)
據(jù)韓國電子新聞報導，三星電子(Samsung Electronics) 1990年代受到專利訴訟、國際貨幣基金組織(IMF)危機等，1999年決定拋售工廠并撤守電力芯片事業(yè)，歷經(jīng)12年，三星又再度著手進行該事業(yè)。從數(shù)年前開始，以三星電子
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美國發(fā)明提高綠光LED光效新方法
日前，美國倫斯勒理工學院研究人員發(fā)現(xiàn)，在LED的藍寶石襯底和氮化鎵層的交界處進行納米級蝕刻，使LED產(chǎn)生綠光，可極大改進光提取、內(nèi)部效率和發(fā)光量等方面。 電腦顯示器和電視機是通過紅色、藍色和綠色來顯示顏色的，
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大陸LED商猛擴產(chǎn)
為因應持續(xù)增長的市場需求，發(fā)光二極體(LED)的制造商正積極擴充新的產(chǎn)能，連帶使得LED的關(guān)鍵制程設(shè)備──有機化學氣相沉積法(MOCVD)機臺出貨量不斷攀升。市場研究機構(gòu)IMS的Reseach指出，盡管2010年下半年的LED市場需
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大陸LED商猛擴產(chǎn) MOCVD生產(chǎn)出貨破千臺
為因應持續(xù)增長的市場需求，發(fā)光二極體（led）的制造商正積極擴充新的產(chǎn)能，連帶使得LED的關(guān)鍵制程設(shè)備──有機化學氣相沉積法（MOCVD）機臺出貨量不斷攀升。市場研究機構(gòu)IMS的Reseach指出，盡管2010年下半年的LED市
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Globalfoundries與IMEC簽署亞22nm節(jié)點制程CMOS合作計劃
擁有阿拉伯財閥背景的Globalfoundries公司最近與歐洲半導體研究機構(gòu)，比利時的IMEC簽署了一項關(guān)于在亞22nm節(jié)點制程CMOS技術(shù)和硅上氮化鎵（GaN-on-Si：可用于制造固態(tài)照明器件，功率器件和射頻電路器件等）技術(shù)結(jié)成長
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普瑞光電推出新型氮化鎵硅襯底LED制造技術(shù)
普瑞光電（Bridgelux）是一家美國LED照明的開發(fā)商與制造商，該公司近日宣布，他們已經(jīng)成功實現(xiàn)了最新的基于硅襯底的LED制造技術(shù)研發(fā)成果。該技術(shù)主要使用成本較低的硅來取代目前使用的更昂貴的制造材料。該公司相關(guān)負
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普瑞光電正式對外演示135lm/W氮化鎵硅LED
美國-普瑞光電( www.bridgelux.com )近日正式對外宣布其基于實驗室的最新技術(shù)研發(fā)成就：每瓦135流明的基于硅襯底的氮化鎵LED。 GaN-on-silicon LEDs 技術(shù)一直以來被業(yè)界認為是快速降低LED生產(chǎn)成本的利器，過去幾年也
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美方稱新一代電子芯片將給軍事電子市場帶來革命性進展
美國《防務新聞》周刊網(wǎng)站2月28日報道 原題：經(jīng)過長時間研發(fā)，國防業(yè)有了高性能芯片(記者戴夫·馬宗達)美國國防工業(yè)及政府官員表示，新一代電子芯片將注定給軍事電子市場帶來革命性的變化。美國國防部高級研究
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北卡羅萊納州立大學研究出一種能提高LED發(fā)光材料質(zhì)量的新技術(shù)
日前外媒報導，北卡羅萊納州立大學發(fā)現(xiàn)了一種通過降低氮化鎵薄薄膜中的2~3個數(shù)量級缺陷，來提高LED發(fā)光材料的質(zhì)量的新技術(shù)。 研究人員介紹，通過該技術(shù)，相同的輸入電能能夠多產(chǎn)生2倍的輸出光能，對于低電能輸入和紫
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一種新的氮化鎵生長工藝有望制造出更高亮度的LED發(fā)光二極管
美國北卡羅來納州立大學(NCSU)的研究人員最近提出了一種新的的氮化鎵生長工藝，據(jù)稱和現(xiàn)有工藝比較，這一新工藝有望把材料的缺陷減低千分之一，從而使得那些基于氮化鎵的LED發(fā)光二極管、功率器件等的輸出能力增加一倍
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NEULAND開辟可再生能源電力高效利用新途徑
隨著全球能源需求的不斷攀升，提高能源效率成為降低二氧化碳排放，確保能源可靠供應的重要手段。為此，德國半導體和太陽能行業(yè)的6家合作伙伴攜手開展了NEULAND項目。該項目由德國聯(lián)邦教育與研究部(BMBF)資助，旨在開
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德國半導體和太陽能跨行業(yè)研發(fā)新型半導體材料
隨著全球能源需求的不斷攀升，提高效源效率成為降低二氧化碳排放，確保能源可靠供應的重要手段。為此，德國半導體和太陽能行業(yè)的6家合作伙伴攜手開展了NEULAND項目。該項目由德國聯(lián)邦教育與研究部（BMBF）資助，旨在
