新理論改進(jìn)塑料半導(dǎo)體性能 有助研制彎曲屏據(jù)報(bào)道,消費(fèi)者一直希望擁有能彎曲的智能手機(jī)和平板電腦,但現(xiàn)在的芯片、顯示器等電子元件一般由金屬和無機(jī)半導(dǎo)體組成,因此,科學(xué)家們嘗試著用塑料(聚合物)研制出柔性電子設(shè)
美國(guó)倫斯勒理工學(xué)院(Rensselaer Polytechnic Institute)的智能照明工程技術(shù)研究中心稍早前宣布,已經(jīng)成功地在相同的氮化鎵(GaN)上整合LED和功率晶體管。研究人員稱這項(xiàng)創(chuàng)新將敲開新一代LED技術(shù)的大門,因?yàn)樗闹圃?/p>
[據(jù)美國(guó)化合物半導(dǎo)體網(wǎng)站2013年9月20日?qǐng)?bào)道]氮化鎵功率半導(dǎo)體市場(chǎng)將在2018年增長(zhǎng)到超過2.5億美元??晒ぷ髟?~18GHz的氮化鎵器件已成為微波射頻功率市場(chǎng)的新增長(zhǎng)點(diǎn)。美國(guó)ABI市場(chǎng)情報(bào)研究公司表示,大功率氮化鎵器件將
近日消息,美國(guó)射頻微系統(tǒng)公司(RFMD)日前推出世界首個(gè)用于制造射頻功率晶體管的碳化硅基氮化鎵晶圓,以滿足軍用和商用需求。該公司實(shí)現(xiàn)了從現(xiàn)有高產(chǎn)量、6寸砷化鎵晶圓生產(chǎn)向6寸氮化鎵晶圓生產(chǎn)和研發(fā)的轉(zhuǎn)變,以降低成
據(jù)中國(guó)國(guó)防科技信息網(wǎng)報(bào)道,美國(guó)射頻微系統(tǒng)公司(RFMD)日前推出世界首個(gè)用于制造射頻功率晶體管的碳化硅基氮化鎵晶圓,以滿足軍用和商用需求。該公司實(shí)現(xiàn)了從現(xiàn)有高產(chǎn)量、6寸砷化鎵晶圓生產(chǎn)向6寸氮化鎵晶圓生產(chǎn)和研發(fā)
[據(jù)美國(guó)化合物半導(dǎo)體網(wǎng)站2013年9月20日?qǐng)?bào)道]氮化鎵功率半導(dǎo)體市場(chǎng)將在2018年增長(zhǎng)到超過2.5億美元??晒ぷ髟?~18GHz的氮化鎵器件已成為微波射頻功率市場(chǎng)的新增長(zhǎng)點(diǎn)。美國(guó)ABI市場(chǎng)情報(bào)研究公司表示,大功率氮化鎵器件將
9月12日第十二屆電源技術(shù)研討會(huì)北京站召開,TOP-10電源產(chǎn)品獎(jiǎng)?lì)C獎(jiǎng),為21IC和今日電子一年一度的電源季畫上了圓滿的句號(hào)。和以往相比,今年GaN(氮化鎵)技術(shù)受關(guān)注的程度顯著提高,在研討會(huì)、頒獎(jiǎng)禮和廠商交流中被多
本文是專為功率系統(tǒng)設(shè)計(jì)工程師及工程經(jīng)理而設(shè)的連載文章的第一章。我們?cè)谖磥頂?shù)個(gè)月將介紹應(yīng)用于電源轉(zhuǎn)換的氮化鎵技術(shù),并討論其基本設(shè)計(jì)及輔以應(yīng)用范例。硅器件已稱王多時(shí)
21ic訊 東芝公司(Toshiba Corporation)最近推出采用硅上氮化鎵(GaN-on-Si)工藝打造的白色LED產(chǎn)品。LED可降低正向電壓(VF),屬于亞瓦型低功耗產(chǎn)品。該產(chǎn)品將以兩種封裝推出:采用3.0 x 1.4mm封裝的TL2FK系列以及采用
美國(guó)一公司近日推出了一款以氮化鎵(GaN-on-Silicon)為基板的白光LED照明產(chǎn)品,該產(chǎn)品由普萊思公司(Plessey)制造,型號(hào)為MAGIC PLW111010 PLCC-2 SMT。這些硅上氮化鎵(GaN-on-Silicon)LED是首批在6英寸GaN-on-Silic
2013年是LED發(fā)展爆發(fā)的元年,也是LED行業(yè)的是非年,產(chǎn)能過剩、核心技術(shù)缺失低價(jià)競(jìng)爭(zhēng)、盈利下降、價(jià)格混亂、倒閉潮、跑路門……在如此動(dòng)蕩的時(shí)局下,企業(yè)面臨著激烈的市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)。而在這激烈的競(jìng)爭(zhēng)中,企業(yè)更多的把目光
倫斯勒理工學(xué)院(RensselaerPolytechnicInstitute)的智慧照明工程技術(shù)研究中心稍早前宣布,已經(jīng)成功地在相同的氮化鎵(GaN)上整合LED和功率電晶體。研究人員稱這項(xiàng)創(chuàng)新將敲開新一代LED技術(shù)的大門,因?yàn)樗闹圃斐杀靖?/p>
美國(guó)倫斯勒理工學(xué)院(Rensselaer Polytechnic Institute)的智慧照明工程技術(shù)研究中心稍早前宣布,已經(jīng)成功地在相同的氮化鎵(GaN)上整合LED和功率電晶體。研究人員稱這項(xiàng)創(chuàng)新將敲開新一代LED技術(shù)的大門,因?yàn)樗闹圃?/p>
21ic訊 TriQuint半導(dǎo)體,日前發(fā)布了15款新型氮化鎵( GaN )放大器和晶體管以及兩套全新的氮化鎵工藝。這些產(chǎn)品為通訊系統(tǒng)提供了性能、尺寸和耐用性的優(yōu)勢(shì)。TriQuint公司中國(guó)區(qū)總經(jīng)理熊挺指出由于TriQuint的工藝和產(chǎn)品
倫斯勒理工學(xué)院(RensselaerPolytechnicInstitute)的智能照明工程技術(shù)研究中心稍早前宣布,已經(jīng)成功地在相同的氮化鎵(GaN)上整合LED和功率電晶體。研究人員稱這項(xiàng)創(chuàng)新將敲開新一代LED技術(shù)的大門,因?yàn)樗闹圃斐杀靖?/p>
IHS研究公司預(yù)計(jì),2013年將有超過1000億件氮化鎵LED單位的出貨,且來自于氮化鎵LED產(chǎn)品的收益將超過100億美金。公司預(yù)計(jì)今年應(yīng)用于照明領(lǐng)域的氮化鎵LED產(chǎn)品總收入將達(dá)到34億美金,并于2016年達(dá)到67億美金。 IHS指出,
日前,在廣州舉行的2013年LED外延芯片技術(shù)及設(shè)備材料最新趨勢(shì)專場(chǎng)中,晶能光電硅襯底LED研發(fā)副總裁孫錢博士向與會(huì)者做了題為“硅襯底氮化鎵大功率LED的研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化”的報(bào)告,與同行一道分享了硅襯底大功率
宜普電源轉(zhuǎn)換公司于2013年5月宣布全新設(shè)計(jì)的宜普網(wǎng)站的氮化鎵晶體管網(wǎng)上圖書館正式開館(epc-co.com ), 使工程師可以輕松搜尋及取得關(guān)于氮化鎵晶體管技術(shù)的教育資源及產(chǎn)品資料。功率設(shè)計(jì)工程師可以瀏覽主頁(yè)便直接找
21ic訊 國(guó)際整流器公司 (International Rectifier,簡(jiǎn)稱IR) 近日宣布已經(jīng)為一套家庭影院系統(tǒng)測(cè)試并裝運(yùn)了基于其革命性氮化鎵 (GaN) 功率器件技術(shù)平臺(tái)的產(chǎn)品。這套家庭影院系統(tǒng)是由一家業(yè)界領(lǐng)先的消費(fèi)電子產(chǎn)品公司所
21ic訊 國(guó)際整流器公司 (International Rectifier,簡(jiǎn)稱IR) 近日宣布已經(jīng)為一套家庭影院系統(tǒng)測(cè)試并裝運(yùn)了基于其革命性氮化鎵 (GaN) 功率器件技術(shù)平臺(tái)的產(chǎn)品。這套家庭影院