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Panasonic 高效GaN 電源解決方案 登陸Mouser
貿(mào)澤電子 (Mouser Electronics) 即日起開始分銷Panasonic氮化鎵(GaN)解決方案。為滿足現(xiàn)代電源的效率和功率密度設(shè)計需要，設(shè)計工程師一直在尋找GaN技術(shù)等可替代傳統(tǒng)MOS技術(shù)
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氮化鎵功率技術(shù)大熱，Transphorm創(chuàng)新HEMT結(jié)構(gòu)“劍走偏鋒”高壓器件
氮化鎵技術(shù)因其在低功耗、小尺寸等特性設(shè)計上的獨特優(yōu)勢和成熟規(guī)?；纳a(chǎn)能力，近年來在功率器件市場大受歡迎。在前不久舉辦的EEVIA第五屆ICT技術(shù)趨勢論壇上，這個主題受到國內(nèi)媒體的集體“圍觀”。富士
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名利兼收！中村修二以紫色LED打造完美白光
一般我們所見到的白光LED，是由藍(lán)色LED芯片激發(fā)黃色螢光材料而成，發(fā)光波長與色溫較不均勻，不易提高平均演色性評價指數(shù)(Ra)。Soraa公司則是以紫色LED芯片，搭配紅、綠、藍(lán)三色螢光材料組成白光LED，能輸出所有可見光波長范圍中的光，而且Ra值較高。
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宜普電源轉(zhuǎn)換公司（EPC）出版《無線電源手冊》第二版
《無線電源手冊》第二版是全新增訂本，旨在幫助工程師如何發(fā)揮氮化鎵功率晶體管的卓越性能以設(shè)計出面向無線電源傳送系統(tǒng)的高效放大器。宜普電源轉(zhuǎn)換公司宣布推出《無線電源
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宜普電源轉(zhuǎn)換公司（EPC）出版關(guān)于如何發(fā)揮氮化鎵晶體管優(yōu)勢的實用指南--《DC/DC轉(zhuǎn)換手冊》
宜普公司的《DC/DC轉(zhuǎn)換手冊》與工程師分享如何在數(shù)據(jù)通信設(shè)備及其它功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用中利用氮化鎵(GaN)功率晶體管提高效率及功率密度。
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飛思卡爾推出首款蜂窩移動通信基站專用的氮化鎵射頻功率晶體管
飛思卡爾已實現(xiàn)該器件的量產(chǎn)，該器件完美結(jié)合了高效率、高增益及射頻輸出功率飛思卡爾半導(dǎo)體公司日前推出了其首款蜂窩移動通信基站專用的氮化鎵(GaN)射頻功率晶體管。新產(chǎn)品A2G22S160-01S在無線基礎(chǔ)設(shè)施應(yīng)用所使用的
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宜普電源轉(zhuǎn)換公司推出具有寬間距的氮化鎵場效應(yīng)晶體管（eGaN FET） 小尺寸可以承載大電流
全新氮化鎵(eGaN®)功率晶體管(EPC2029)進(jìn)一步擴大宜普電源轉(zhuǎn)換公司的功率晶體管系列 – EPC2029 氮化鎵晶體管使用高效、具有寬間距的芯片規(guī)模封裝，可易于實現(xiàn)高
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小尺寸承載大電流！ 宜普電源轉(zhuǎn)換公司推出寬間距氮化鎵場效應(yīng)晶體管
采用全新100 V EPC2104半橋式器件的全降壓轉(zhuǎn)換器在48 V轉(zhuǎn)12 V、22 A輸出電流及300 kHz開關(guān)頻率下，系統(tǒng)效率可超過97%;而在22 A、500 kHz開關(guān)頻率下，系統(tǒng)效率則接近97%。宜
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宜普電源轉(zhuǎn)換公司推出單片式氮化鎵半橋器件
EPC2105氮化鎵半橋器件為系統(tǒng)設(shè)計師提供更高效及具有更高功率密度的解決方案--推動48 V轉(zhuǎn)至12 V并在300kHz頻率下開關(guān)的全降壓型轉(zhuǎn)換器系統(tǒng)可以在10 A輸出電流時實現(xiàn)高達(dá)接近98%效率，以及推動48 V轉(zhuǎn)至1 V并在300kH
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“變形”LED制作有新招：氮化鎵植于石墨烯
目前，許多由有機材料制造的電子和光電子材料都具備良好的柔韌度，易于改變形狀。與此同時，不易形變的無機化合物在制造光學(xué)、電氣和機械元件方面展現(xiàn)出了強大的性能。但由于技術(shù)原因，二者卻很難優(yōu)勢互補，功能優(yōu)異
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英飛凌欲以約30億美元現(xiàn)金收購美國國際整流器公司股份
英飛凌科技股份公司 (FSE:IFX / OTCQX:IFNNY) 及美國國際整流器公司 (NYSE:IRF) 今日宣布，兩家公司已簽訂一項最終協(xié)議，據(jù)此英飛凌將以每股 40 美元的價格收購國際整流器公司的股份，該項交易將全部以現(xiàn)金完成，價
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宜普電源轉(zhuǎn)換公司推出高性能氮化鎵功率晶體管
氮化鎵(eGaN®)功率晶體管繼續(xù)為電源轉(zhuǎn)換應(yīng)用設(shè)定業(yè)界領(lǐng)先的性能基準(zhǔn)。由于氮化鎵器件具有更低的導(dǎo)通電阻、更低的電容、更大的電流及卓越的熱性能，因此使得功率轉(zhuǎn)換器可
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宜普電源轉(zhuǎn)換公司推出采用高頻氮化鎵場效應(yīng)晶體管
21ic訊 由于氮化鎵場效應(yīng)晶體管具備卓越性能例如低輸出電容、低輸入電容、低寄生電感及尺寸短小，它是高度諧振并符合Rezence (A4WP)規(guī)格的無線電源傳送系統(tǒng)的理想器件，可提高該系統(tǒng)的效率。宜普電源轉(zhuǎn)換公司宣布推
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半導(dǎo)體所高性能GaN外延材料研究取得進(jìn)展
【導(dǎo)讀】半導(dǎo)體所高性能GaN外延材料研究取得進(jìn)展 中國科學(xué)院網(wǎng)2006年9月12日報道：近日，由中國科學(xué)院半導(dǎo)體研究所承擔(dān)的知識創(chuàng)新工程重要方向項目——“高性能氮化鎵(GaN)外延材料研究”通過了專家鑒定。
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RFMD RFMD ® 宣布提供氮化鎵 ( G aN) 晶圓代工服務(wù)
【導(dǎo)讀】RFMD RFMD ®，氮化鎵 ( G aN) 晶圓代工服務(wù) 設(shè)計與制造高性能半導(dǎo)體元件的全球領(lǐng)導(dǎo)廠商 RF Micro Devices 代工服務(wù)業(yè)務(wù)部門利用 RFMD 在化合物半導(dǎo)體技術(shù)及制造方面的行業(yè)領(lǐng)先地位，提供高可靠性
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美科學(xué)家研發(fā)新技術(shù)：LED發(fā)光穩(wěn)定高效更節(jié)能
5月4日消息，據(jù)媒體報道，美國北卡羅來納州立大學(xué)的科學(xué)家日前開發(fā)出一種新技術(shù)，能夠在不增加用電量的情況下大幅提升發(fā)光二極管（LED）的亮度。與此同時，借助一種特殊的涂層材料，這種新型LED與普通LED產(chǎn)品相比更為
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Trifortune訂購AIXTRON系統(tǒng) 研發(fā)氮化鎵基材LED
AIXTRON愛思強股份有限公司宣布，中國江蘇Trifortune電子科技有限公司已訂購一套AIXG5HT系統(tǒng)，用以研發(fā)基于氮化鎵的高亮度LED。 AIXTRON愛思強系統(tǒng)每次運行可處理56x2英寸晶圓，并將安裝于Trifortune公
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LED專利“政策”緊逼 中國企業(yè)如何出“對策”?
【導(dǎo)讀】LED產(chǎn)業(yè)專利數(shù)量巨大，涉及的技術(shù)領(lǐng)域多，外國大企業(yè)布局較早，實力雄厚，通過專利交叉授權(quán)已結(jié)成同盟，對我國LED企業(yè)形成專利重壓。 LED作為光源被譽為人類照明史上的第三次革命，具有高效節(jié)能、綠色環(huán)保
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Trifortune公司訂購AIXTRON系統(tǒng)，以研發(fā)氮化鎵基材LED
AIXTRON愛思強股份有限公司宣布，中國江蘇Trifortune電子科技有限公司已訂購一套AIX G5 HT系統(tǒng)，用以研發(fā)基于氮化鎵的高亮度LED。 AIXTRON愛思強系統(tǒng)每次運行可處理56x2英寸晶圓，并將安裝于Trifortun
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Trifortune公司訂購AIXTRON系統(tǒng) 以研發(fā)氮化鎵基材LED
AIXTRON愛思強股份有限公司宣布，中國江蘇Trifortune電子科技有限公司已訂購一套AIX G5 HT系統(tǒng)，用以研發(fā)基于氮化鎵的高亮度LED。 AIXTRON愛思強系統(tǒng)每次運行可處理56x2英寸晶圓，并將安裝于Trifortune公司的研發(fā)中心
