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創(chuàng)新「混合式晶圓」可望實(shí)現(xiàn)單芯片手機(jī)
美國麻省理工學(xué)院(MIT)的研究人員利用氮化鎵(gallium nitride，GaN)材料做成的晶圓片，制造出一種內(nèi)含硅晶體管的芯片；雖然該種芯片大部分的晶體管仍是以硅制成，但其余的氮化鎵晶體管性能更高。 目前的研究人員試圖
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劍橋研發(fā)LED新制法 可大大降低造價(jià)
據(jù)美國工程物理科學(xué)委員會（Engineering and Physical Science Council）消息，劍橋大學(xué)氮化鎵中心研究出一種發(fā)光二極管（LED）的新制法，可使其造價(jià)降低90%，并有望在五年內(nèi)將家庭電費(fèi)減少75%。 90年代以來，用于制
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劍橋發(fā)光二極管新技術(shù)將大幅降低居民電費(fèi)
據(jù)美國工程物理科學(xué)委員會（Engineering and Physical Science Council) 消息，劍橋大學(xué)（Cambridge University）氮化鎵(Gallium Nitride GaN)中心研究出一種發(fā)光二極管（LED）的新制法，可使其造價(jià)降低90%，并有望在
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OKI為無線基站研制的氮化鎵晶體管
今天，OKI公司宣布將開始預(yù)備為無線基站研制的增強(qiáng)型偽同晶高電子遷移率氮化鎵晶體管(GaN-HEMT)。這種晶體管的使用，將有效降低3G移動電話和PHS基站以及城域網(wǎng)基站的規(guī)模與能耗。 GaN-HEMT擁有3-10W/mm...
