隨著全球能源需求的不斷攀升,提高效源效率成為降低二氧化碳排放,確保能源可靠供應的重要手段。為此,德國半導體和#LINKKEYWORD0#行業(yè)的6家合作伙伴攜手開展了NEULAND項目。該項目由德國聯(lián)邦教育與研究部(BMBF)資
隨著全球能源需求的不斷攀升,提高效源效率成為降低二氧化碳排放,確保能源可靠供應的重要手段。為此,德國半導體和太陽能行業(yè)的6家合作伙伴攜手開展了NEULAND項目。該項目由德國聯(lián)邦教育與研究部(BMBF)資助,旨在
隨著全球能源需求的不斷攀升,提高效源效率成為降低二氧化碳排放,確保能源可靠供應的重要手段。為此,德國半導體和太陽能行業(yè)的6家合作伙伴攜手開展了NEULAND項目。該項目由德國聯(lián)邦教育與研究部(BMBF)資助,旨在
MILMEGA有限公司總經理 Pat Moore 氮化鎵并非革命性的晶體管技術,這種新興技術逐漸用于替代橫向擴散金屬氧化物硅半導體(Si LDMOS)和砷化鎵(GaAs)晶體管技術以及某些特定應用中的真空管。 與現(xiàn)有技術相比,
一條完整的LED產業(yè)鏈由幾個環(huán)節(jié)構成,從上游的襯底材料、外延片和芯片制造,到中游的封裝,再到下游的應用,技術特征和資本特征差異很大,行業(yè)進入門檻逐步降低。據媒體報道,我國LED產業(yè)具有典型的不均衡產業(yè)鏈結構,2008年
一條完整的LED產業(yè)鏈由幾個環(huán)節(jié)構成,從上游的襯底材料、外延片和芯片制造,到中游的封裝,再到下游的應用,技術特征和資本特征差異很大,行業(yè)進入門檻逐步降低。據媒體報道,我國LED產業(yè)具有典型的不均衡產業(yè)鏈結構,2008年
美國麻省理工學院(MIT)的研究人員利用氮化鎵(gallium nitride,GaN)材料做成的晶圓片,制造出一種內含硅晶體管的芯片;雖然該種芯片大部分的晶體管仍是以硅制成,但其余的氮化鎵晶體管性能更高。 目前的研究人員試圖
據美國工程物理科學委員會(Engineering and Physical Science Council)消息,劍橋大學氮化鎵中心研究出一種發(fā)光二極管(LED)的新制法,可使其造價降低90%,并有望在五年內將家庭電費減少75%。 90年代以來,用于制
據美國工程物理科學委員會(Engineering and Physical Science Council) 消息,劍橋大學(Cambridge University)氮化鎵(Gallium Nitride GaN)中心研究出一種發(fā)光二極管(LED)的新制法,可使其造價降低90%,并有望在
今天,OKI公司宣布將開始預備為無線基站研制的增強型偽同晶高電子遷移率氮化鎵晶體管(GaN-HEMT)。這種晶體管的使用,將有效降低3G移動電話和PHS基站以及城域網基站的規(guī)模與能耗。 GaN-HEMT擁有3-10W/mm...