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氮化鎵(GaN)接替硅，能給電源設(shè)計(jì)帶來(lái)什么變化？
在所有電力電子應(yīng)用中，功率密度是關(guān)鍵指標(biāo)之一，這主要由更高能效和更高開關(guān)頻率驅(qū)動(dòng)。隨著基于硅的技術(shù)接近其發(fā)展極限，設(shè)計(jì)工程師現(xiàn)在正尋求寬禁帶技術(shù)如氮化鎵(GaN)來(lái)提供方案。
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雷軍吹爆的65W氮化鎵（GaN）充電器到底是啥？
2020年2月13日，小米通過(guò)線上直播的形式，面向百萬(wàn)觀眾，正式發(fā)布了小米10Pro系列手機(jī)以及部分配件產(chǎn)品。其中，小米65W氮化鎵充電器成為本次發(fā)布會(huì)的一大重要亮點(diǎn)。 據(jù)小米首席執(zhí)行官雷軍介紹，該款
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意法半導(dǎo)體收購(gòu)氮化鎵創(chuàng)新企業(yè)Exagan的多數(shù)股權(quán)
此次收購(gòu)將大幅提高意法半導(dǎo)體在汽車、工業(yè)和消費(fèi)級(jí)高頻大功率GaN的技術(shù)積累、擴(kuò)大其開發(fā)計(jì)劃和業(yè)務(wù)
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一文看懂小米65W氮化鎵與倍思65W氮化鎵充電器區(qū)別
隨著小米在2020年2月13日發(fā)布最65W氮化鎵充電器后，氮化鎵充電器又一次占領(lǐng)各大頭條熱搜榜，就連氮化鎵相關(guān)的證券板塊也波動(dòng)了一番。 上一次這么火爆是2019年倍思65W 2C1A氮化鎵充電器，該產(chǎn)
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氮化鎵快充背后的芯片技術(shù)、三大潛在贏家
一、雷軍上陣，吹響氮化鎵快充的號(hào)角 2020年2月13日，小米通過(guò)線上直播的形式，面向百萬(wàn)觀眾，正式發(fā)布了小米10Pro系列手機(jī)以及部分配件產(chǎn)品。其中，小米65W氮化鎵充電器成為本次發(fā)布會(huì)的一大重要亮
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宜普電源轉(zhuǎn)換公司(EPC)將于APEC 2020展覽會(huì)展示氮化鎵(GaN)技術(shù)推動(dòng)了多個(gè)行業(yè)的功率傳輸轉(zhuǎn)型
EPC公司將于是次展覽會(huì)展出多個(gè)演示品，為工程師闡釋具備行業(yè)領(lǐng)先性能的氮化鎵器件如何推動(dòng)多個(gè)行業(yè)的功率傳輸轉(zhuǎn)型，包括運(yùn)算、通信及電動(dòng)汽車等行業(yè)。
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臺(tái)積電宣布與意法半導(dǎo)體合作加速市場(chǎng)采用氮化鎵產(chǎn)品
2月21日消息，臺(tái)積電昨日宣布，與意法半導(dǎo)體合作加速市場(chǎng)采用氮化鎵產(chǎn)品。意法半導(dǎo)體預(yù)計(jì)今年晚些時(shí)候?qū)⑹着鷺悠方唤o其主要客戶。 臺(tái)積電 臺(tái)積電與意法半導(dǎo)體將合作加速氮化鎵（Gallium Nitrid
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意法半導(dǎo)體與臺(tái)積電攜手合作，提高氮化鎵產(chǎn)品市場(chǎng)采用率
·加快先進(jìn)功率氮化鎵解決方案的開發(fā)和上市 ·充分利用意法半導(dǎo)體的汽車市場(chǎng)專業(yè)知識(shí)和臺(tái)積電的世界領(lǐng)先的制造技術(shù) ·改進(jìn)寬帶隙產(chǎn)品的能效，使功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用獲得更高能效
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臺(tái)積電宣布：將與意法半導(dǎo)體合作，加速氮化鎵(GaN)技術(shù)開發(fā)
臺(tái)積電昨日宣布，與意法半導(dǎo)體合作加速市場(chǎng)采用氮化鎵產(chǎn)品。意法半導(dǎo)體預(yù)計(jì)今年晚些時(shí)候?qū)⑹着鷺悠方唤o其主要客戶。
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納微半導(dǎo)體65W氮化鎵(GaN)方案獲小米10Pro充電器采用
充電技術(shù)推動(dòng)小米投資納微(Navitas)半導(dǎo)體
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33家廠商66款：氮化鎵快充集中爆發(fā) 還有NVIDIA
作為世界上最大的消費(fèi)類電子技術(shù)年展以及全球最大的消費(fèi)技術(shù)產(chǎn)業(yè)盛會(huì)，CES 2020于1月7日-1月10日在拉斯維加斯舉辦。就氮化鎵快充而言，上我們看到了很多熟悉的參展企業(yè)，如ANKER、AUKEY、B
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美富達(dá)參加CES2020：100W氮化鎵快充充電器即將亮相
1月7日-1月10日，CES2020將在美國(guó)拉斯維加斯舉行，深圳市美富達(dá)電子有限公司展位設(shè)在SOUTH HALL4 35359。據(jù)了解，美富達(dá)將在本次展會(huì)中展出全系列USB PD快充產(chǎn)品，其中包括10
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宜普電源轉(zhuǎn)換公司(EPC)推出基于車規(guī)級(jí)氮化鎵(eGaN?)技術(shù)的飛行時(shí)間(ToF)演示板，可在高達(dá)28A并具1.2納秒脈寬的脈沖電流驅(qū)動(dòng)激光
?EPC9144演示板內(nèi)的車規(guī)級(jí)EPC2216氮化鎵場(chǎng)效應(yīng)晶體管(eGaN FET)可支持大電流納秒脈衝的應(yīng)用，提供高速的大電流脈沖–電流可高達(dá)28A、脈寬則可低至1.2納秒，從而使得飛行時(shí)間及flash激光雷達(dá)系統(tǒng)更準(zhǔn)確、更精確及更快速。
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GTC推出首款65W氮化鎵車載充電器參考設(shè)計(jì)：僅硬幣大小
GTC為業(yè)界領(lǐng)先的高頻驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì)和制造廠商，其半橋驅(qū)動(dòng)芯片GT7753以其在高頻驅(qū)動(dòng)的優(yōu)越表現(xiàn)，在工業(yè)和軍工產(chǎn)品中被廣泛應(yīng)用。 目前GTC基于南芯的SC8703升降壓IC和EPC第三代半導(dǎo)體EPC204
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為增強(qiáng)型GaN功率晶體管匹配門極驅(qū)動(dòng)器
氮化鎵(GaN)是最接近理想的半導(dǎo)體開關(guān)的器件，能夠以非常高的能效和高功率密度實(shí)現(xiàn)電源轉(zhuǎn)換。但GaN器件在某些方面不如舊的硅技術(shù)強(qiáng)固，因此需謹(jǐn)慎應(yīng)用，集成正確的門極驅(qū)動(dòng)對(duì)于實(shí)現(xiàn)最佳性能和可靠性至關(guān)重要。
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Navitas聯(lián)合Baseus倍思推出世界上最小的65W-2C1A 3口充電器
Navitas Semiconductor近日宣布與Baseus合作推出采用GaNFast(氮化鎵)功率IC技術(shù)的65W“2C1A”三口移動(dòng)充電器，該充電器集全球最小、最輕、便攜性于一體。
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Navitas納微半導(dǎo)體在亞洲高級(jí)電力電子會(huì)議上展示在GaN（氮化鎵）功率器件領(lǐng)域的領(lǐng)導(dǎo)地位
Navitas 納微半導(dǎo)體近日宣布將于2019年11月1日至4日在中國(guó)深圳舉行的中國(guó)電源學(xué)會(huì)(CPSSC)上展示20多款由GaNFast技術(shù)驅(qū)動(dòng)的手機(jī)快速充電器。
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PI PowiGaN技術(shù)另辟蹊徑 引爆氮化鎵在消費(fèi)電子領(lǐng)域商用
硅技術(shù)正在接近其極限，但應(yīng)用市場(chǎng)仍然需要更快、需高效的電路。半導(dǎo)體行業(yè)不得不從材料入手，氮化鎵就是一種被譽(yù)為第三代半導(dǎo)體未來(lái)的明星材料。對(duì)氮化鎵的研究早在多年前就已開始，氮化鎵是一種寬禁帶材料，它的帶
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貿(mào)澤推出TI LMG1210 MOSFET和GaN FET驅(qū)動(dòng)器，高頻應(yīng)用的好選擇
2019年9月26日–專注于引入新品并提供海量庫(kù)存的電子元器件分銷商貿(mào)澤電子(Mouser Electronics)即日起開始備貨Texas Instruments(TI)LMG1210 200V半橋MOSFET和GaN FET驅(qū)動(dòng)器。
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超越SOI，Soitec將優(yōu)化襯底技術(shù)向GaN、SiC擴(kuò)展
Soitec是全球優(yōu)化襯底最大的制造商，憑借其兩個(gè)核心技術(shù)-Smart Cut和Smart Stacking，Soitec為行業(yè)提供創(chuàng)新的材料及優(yōu)化襯底設(shè)計(jì)，這些創(chuàng)新被用于加工晶體管，從而為智能手機(jī)、汽車、云、物聯(lián)網(wǎng)等領(lǐng)域的終端產(chǎn)品帶來(lái)
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